Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Кристаллы полупроводниковые -- Рост -- Сборники<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Р 78
Заглавие : Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок: [сб. в 2 ч.]/ Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. Ч. 1
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1977
Колич.характеристики :314 с.: рис., фот.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст. :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В375.14я43 + З852я43
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Содержание : Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом/ Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур/ В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии/ М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях/ Э. Н. Хабаров. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний/ С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов/ А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. Травление германия в потоке HJ+H2/ В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния/ И. М. Скворцов, Б. В. Орион. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников/ Э Н. Киселева, С. А. Строителев. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии/ В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях/ В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках/ Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов/ И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов/ И. Сунагава. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников/ С. А. Строителев. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия/ Г. Опперман. Новые методики роста кристаллов и пленок ; Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах/ В. А. Кутвицкий. Эпитаксиальный рост кремния в Японии/ Дж. Нишизава. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла/ А. Н. Лузин. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников/ М. Р. Грейсух. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения/ В. Н. Маслов. Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы ; Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия/ Е. Буттер. Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках ; Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве ; Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках ; Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te/ Г. П. Сорокин [и др.]. Соосаждение кремния с донорами и бором/ Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2/ А. В. Родионов [и др.]. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния/ Ф. А. Кузнецов [и др.]. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы/ С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb/ А. А. Вилисов [и др.]. Получение монокристаллов фосфида германия/ Я. А. Угай [и др.]. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий/ В. А. Толомасов [и др.]. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей/ М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge/ В. М. Бабич [и др.]. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия/ В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии/ Л. В. Голубев [и др.]. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx/ В. В. Бобков [и др.]. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H/ Ю. М. Румянцев [и др.]. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As/ Ж. И. Алферов [и др.]. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36/ В. Н. Маслов [и др.]. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия/ Л. И. Дьяконов [и др.]. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы/ В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe/ Г. С. Бушмарина [и др.]. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы/ Д. И. Биленко [и др.]. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе/ Г. А. Александрова [и др.]. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы/ Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара/ А. В. Новоселова [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии/ В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно/ Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x/ Н. И. Батырев [и др.]. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута/ Э. Т. Абдукаримов [и др.]. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита/ С. И. Радауцан [и др.]. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы/ Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. Исследование роста монокристаллов AgGaS2/ В. В. Бадиков [и др.]. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки/ А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии/ А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2/ К. Б. Алейникова [и др.]. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок/ Г. А. Качурин [и др.]. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций/ Ю. В. Жиляев [и др.]. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Изучение неоднородностей легирования германия/ М. Ф. Резниченко [и др.]. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV/ Е. А. Балагурова [и др.]. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом/ Д. И. Биленко [и др.]. Свойство легированного арсенида при высоких температурах/ В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии/ Ю. Г. Сидоров [и др.]. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te/ В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов/ С. С. Вахрамеев [и др.]. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара/ Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского/ Х. И. Макеев [и др.]. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси/ Ю. Б. Болховитянов [и др.]. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии/ И. Е. Полозова [и др.]. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки/ Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях/ М. Родо [и др.]. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией/ Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана/ С. Фалькевич [и др.]. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава/ К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2/ ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI/ В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 78
Заглавие : Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов : Симпозиум 11-16 окт. 1965 г., г. Новосибирск
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1971
Колич.характеристики :312 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Симпозиум по процессам синтеза и роста монокристаллов и пленок полупроводниковых материалов (1965; Новосибирск)
Примечания : Библиогр. в конце докладов :
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.05 + 31.15.17
ББК : В379.22я431 + В375.14я431 + Г522я431
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Тонкие пленки полупроводниковые-- Кристаллизация-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 84
Заглавие : Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок : сб. науч. тр.
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1988
Колич.характеристики :198 с.: рис., фот.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст.
ISBN, Цена 5-02-028671-0: 3.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.15
ББК : В379.251я431 + В379.212.2я431 + В379.212.6я431
Предметные рубрики: Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Полупроводники-- Кристаллы-- Рост-- Сборники
Содержание : Термодинамика и процессы моделирования ; Методы роста и их автоматизация ; Дефекты структуры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 84
Заглавие : Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников : тр. симпозиума : сб. ст.
Выходные данные : Новосибирск, 1970
Колич.характеристики :682 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, Всесоюзный симпозиум по синтезу и росту кристаллов и пленок полупроводников (2; 1969 ; май; Новосибирск)
Примечания : Библиогр. в конце ст. и с. 681-682
Цена : 2.98 р.
ГРНТИ : 29.19.15 + 29.19.31
ББК : В375.14я431
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Полупроводники-- Кристаллы-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 84
Заглавие : Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников : труды симпозиума. Ч. 1
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1968
Колич.характеристики :593 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 2.58 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.15
ББК : В379.251я431 + В379.212.6я431 + Г116я431
Предметные рубрики: Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 65
Заглавие : VII конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : г. Новосибирск, 9-13 июня 1986 г. : тезисы докл. : [в 3 т.]. Т. 3. Семинар по использованию элементоорганических соединений в синтезе кристаллов и пленок . Семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии
Выходные данные : Новосибирск, 1986
Колич.характеристики :128 с
Коллективы : Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок(7;1986 ; июнь ; 9-13;Новосибирск), Академия наук СССР, Научный совет по физическим основам полупроводникового материаловедения АН СССР, Сибирская секция полупроводников и твердотельных структур АН СССР, Научный совет по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР, Сибирское отделение АН СССР, Всесоюзное химическое общество им. Д.И. Менделеева, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, Семинар по использованию элементоорагнических соединений в синтезе кристаллов и пленок (1986 ; июнь ; 9-13; Новосибирск) :
ГРНТИ : 31.15.17 + 29.19.15 + 29.19.16
ББК : В379.251.4я431 + В379.212.6я431 + Г562.1я431 + В375.14я431
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Эпитаксия-- Рост кристаллов-- Сборники
Содержание : Семинар по использованию элементоорганических соединений в синтезе кристаллов и пленок ; Семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 65
Заглавие : VII конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : г. Новосибирск, 9-13 июня 1986 г. : тезисы докл. : [в 3 т.]. Т. 2. Семинар по использованию элементоорганических соединений в синтезе кристаллов и пленок . Семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии
Выходные данные : Новосибирск, 1986
Колич.характеристики :272 с
Коллективы : Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок(7;1986 ; июнь ; 9-13;Новосибирск), Академия наук СССР, Научный совет по физическим основам полупроводникового материаловедения АН СССР, Сибирская секция полупроводников и твердотельных структур АН СССР, Научный совет по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР, Сибирское отделение АН СССР, Всесоюзное химическое общество им. Д.И. Менделеева, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, Семинар по использованию элементоорагнических соединений в синтезе кристаллов и пленок (1986 ; июнь ; 9-13; Новосибирск) :
ГРНТИ : 31.15.17 + 29.19.15 + 29.19.16
ББК : В379.251.4я431 + В379.212.6я431 + Г562.1я431 + В375.14я431
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Эпитаксия-- Рост кристаллов-- Сборники
Содержание : Кристаллизация из растворов (а) и расплавов (б) ; Границы раздела фаз (а), дефекты структуры слоев (б) и кристаллов (в) ; Фазовые равновесия и состояние примесей в твердых растворах ; Памяти Н. А. Горюновой
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 65
Заглавие : VII конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : г. Новосибирск, 9-13 июня 1986 г. : тезисы докл. : [в 3 т.]. Т. 1. Семинар по использованию элементоорганических соединений в синтезе кристаллов и пленок . Семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии
Выходные данные : Новосибирск, 1986
Колич.характеристики :328 с
Коллективы : Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок(7;1986 ; июнь ; 9-13;Новосибирск), Академия наук СССР, Научный совет по физическим основам полупроводникового материаловедения АН СССР, Сибирская секция полупроводников и твердотельных структур АН СССР, Научный совет по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР, Сибирское отделение АН СССР, Всесоюзное химическое общество им. Д.И. Менделеева, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, Семинар по использованию элементоорагнических соединений в синтезе кристаллов и пленок (1986 ; июнь ; 9-13; Новосибирск) :
ГРНТИ : 31.15.17 + 29.19.15 + 29.19.16
ББК : В379.251.4я431 + В379.212.6я431 + Г562.1я431 + В375.14я431
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Эпитаксия-- Рост кристаллов-- Сборники
Содержание : Теория зародышеобразования ; Новые методы роста, исследования процессов роста, свойств материалов ; Автоматизация процессов роста ; Рекристаллизация ; Кристаллизация из газовой фазы (а) и напыление (б)
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 65
Заглавие : VI конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : г. Новосибирск, 21-25 июня 1982 г. : тезисы докл. : [в 2 т.]. Т. 2. Семинар по развитию новых методов роста пленок
Выходные данные : Новосибирск, 1982
Колич.характеристики :336 с
Коллективы : Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок(6;1982 ; июнь ; 21-25;Новосибирск), Академия наук СССР, Научный совет по физическим основам полупроводникового материаловедения АН СССР, Сибирская секция полупроводников и твердотельных структур АН СССР, Научный совет по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР, Сибирское отделение АН СССР, Всесоюзное химическое общество им. Д.И. Менделеева, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, Семинар по развитию новых методов роста пленок (1982 ; июнь ; 21-25; Новосибирск) :
ГРНТИ : 31.15.17 + 29.19.15 + 29.19.16
ББК : В379.251.4я431 + Г562.1я431 + В379.212я431
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Кристаллы полупроводниковые-- Дефекты-- Сборники
Содержание : Развитие методов и исследование микроструктуры ; Разработка критериев оценки функциональной пригодности материала ; Распределение примесей в кристаллах и слоях ; Собственные и примесные дефекты ; Семинар по развитию новых методов роста пленок ; Молекулярно-лучевая и ионно-лучевая эпитаксия ; Лазерное, плазменное и и ионно-плазменное напыление ; Электрожидкостная кристаллизация
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа :
Шифр издания : В37/К 65
Заглавие : VI конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок : г. Новосибирск, 21-25 июня 1982 г. : тезисы докл. : [в 2 т.]. Т. 1. Семинар по развитию новых методов роста пленок
Выходные данные : Новосибирск, 1982
Колич.характеристики :326 с
Коллективы : Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок(6;1982 ; июнь ; 21-25;Новосибирск), Академия наук СССР, Научный совет по физическим основам полупроводникового материаловедения АН СССР, Сибирская секция полупроводников и твердотельных структур АН СССР, Научный совет по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР, Сибирское отделение АН СССР, Всесоюзное химическое общество им. Д.И. Менделеева, Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР, Семинар по развитию новых методов роста пленок (1982 ; июнь ; 21-25; Новосибирск) :
ГРНТИ : 31.15.17 + 29.19.15 + 29.19.16
ББК : В379.251.4я431 + В379.212.6я431 + Г562.1я431
Предметные рубрики: Кристаллы полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Пленки полупроводниковые-- Рост-- Сборники
Содержание : Новые методы роста и исследования процессов роста и качества полупроводниковых материалов и структур ; Рост слоев из растворов-расплавов ; Рост из газовой фазы ; Рост кристаллов из расплавов и растворов
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН

Библиотека института биофизики

Библиотека института химии и химический технологии

Библиотека института вычислительного моделирования

Библиотека института леса

Библиотека СФУ

Краевая научная библиотека

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)