1. 
|
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/Т 38
Автор(ы) : Хэнсер, Эндрю, Эванс, Кейт, Коукиту, Акинори , Кумагаи, Йошинао, Дорадзински Р., Двилински Р., Гарчински Д., Сиржпутовски Л. П., Канбара Й., Хасимото, Тадао, Накамура, Шуджи, Эрентраут, Дирк, Кагамитани, Юджи, Боковски, Михал, Страк, Павел, Гжегори, Изабелла, Поровски, Сильвестр, Мейсснер, Элке, Хусси С., Фридрих Дж., Чичибу, Шигефуса, Туомисто, Филип
Заглавие : Технология выращивания кристаллов нитрида галлия
: пер. с англ.
Выходные данные : М.: Техносфера, 2011
Колич.характеристики :383 с.
+ 25 см
Серия: Мир радиоэлектроники
Перевод издания: Ehrentraut Dirk Technology of gallium nitride crystal growth/ Dirk Ehrentraut, Elke Meissner, Michal Bockowski. -Berlin; Heidelberg, 2010
Примечания : Библиогр. в конце гл.
ISBN, Цена 978-5-94836-293-9: 840.00 р.
ГРНТИ : 29.19.09 + 31.15.17
ББК : В375.14
Предметные рубрики: Кристаллы-- Рост-- Технология
Содержание : Объемные кристаллы GaN ; Технология выращивания из паровой фазы ; Технология выращивания из раствора ; Технология выращивания из расплава ; Характеристика кристаллов GaN. Оптические свойства подложек из GaN. Исследование точечных дефектов и примесей в объемном GaN с помощью спектроскопии позитронной аннигиляции
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Стандартный
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН