Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>S=Полупроводники -- Дефекты<.>)
Общее количество найденных документов
:
6
Показаны документы
с 1 по 6
1.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В37/А 46
Автор(ы)
: Александров, Леонид Наумович, Зотов, Михаил Иванович
Заглавие
: Внутреннее трение и
дефекты
в полупроводниках
Выходные данные
: Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1979
Колич.характеристики
:159 с.: ил.
Коллективы
: Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
Примечания
: Библиогр.: с. 149-158 (188 назв.)
Цена
: 1.00 р.
ГРНТИ
: 29.19.11 + 29.19.31
ББК
: В375.6
Предметные рубрики:
Полупроводники
-- Трение внутреннее
Полупроводники
--
Дефекты
Экземпляры
: всего : КФ(2)
Свободны
: КФ(2)
Найти похожие
2.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В37/Б 79
Автор(ы)
: Болтакс, Борис Иосифович
Заглавие
: Диффузия и точечные
дефекты
в полупроводниках
Выходные данные
: Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1972
Колич.характеристики
:384 с
Коллективы
: Академия наук СССР, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Примечания
: Библиогр. в конце глав
Цена
: 1.99 р.
ГРНТИ
: 29.19.31
ББК
: В379.2
Предметные рубрики:
Полупроводники
--
Дефекты
Полупроводники
-- Диффузия
Экземпляры
: всего : КФ(2)
Свободны
: КФ(2)
Найти похожие
3.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В37/Б 91
Автор(ы)
: Бургуэн, Жак, Ланно, Мишель
Заглавие
: Точечные
дефекты
в полупроводниках: экспериментальные аспекты
Выходные данные
: М.: Мир, 1985
Колич.характеристики
:304 с.: ил.
Перевод издания:
Bourgoin J. Point defects in semiconductors/ J. Bourgoin, Michel Lannoo
Примечания
: Библиогр.: с. 289-297. - Предм. указ.: с. 298-300
Цена
: 2.70 р.
ГРНТИ
: 29.19.31
ББК
: В379.2
Предметные рубрики:
Полупроводники
--
Дефекты
Экземпляры
: всего : КФ(2)
Свободны
: КФ(2)
Найти похожие
4.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В37/В 48
Автор(ы)
: Винецкий, Валентин Львович, Холодарь, Галина Антоновна
Заглавие
: Радиационная физика полупроводников
Выходные данные
: Киев: Наукова думка, 1979
Колич.характеристики
:335 с.: рис.
Коллективы
: Академия наук СССР, Институт физики АН Украинской ССР
Примечания
: Библиогр. : с. 323 - 332 (240 назв.)
Цена
: 3.70 р.
ГРНТИ
: 29.19.31 + 29.19.21
ББК
: В379.312.7
Предметные рубрики:
Полупроводники
--
Дефекты
Экземпляры
:КФ(1)
Свободны
: КФ(1)
Найти похожие
5.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В37/Л 37
Автор(ы)
: Левицкий, Юрий Тимофеевич
Заглавие
: Макроскопические
дефекты
кристаллической структуры и свойства материалов
Выходные данные
: М.: Наука, 1988
Колич.характеристики
:199 с.: ил.
Коллективы
: Академия наук СССР, Дальневосточное отделение АН СССР, Амурский комплексный научно-исследовательский институт
Примечания
: Библиогр.: с.185-198 ( 345 назв.)
ISBN, Цена
5-02-005964-1: 2.80 р.
ГРНТИ
: 29.19.11 + 53.49.07
ББК
: В371.231 + К202
Предметные рубрики:
Металлы-- Структура кристаллическая--
Дефекты
Полуметаллы--
Дефекты
Полупроводники
--
Дефекты
Содержание
: Включения в кристаллах ; Двойникование в металлах, полупроводниках и полуметаллах ; Дендриты ; Зависимость свойств и применение материалов от дефектов кристаллического строения ; Практическое значение дефектов кристаллической структуры ; Классификация дефектов ; Металлы с ГЦК-решеткой ; Методы изучения макроскопических дефектов и их поведения ; Полуметаллы и их свойства ;
Полупроводники
IV группы ; Процессы образования дефектов
Экземпляры
:КФ(1)
Свободны
: КФ(1)
Найти похожие
6.
Вид документа
: Однотомное издание
Шифр издания
: В37/М 33
Автор(ы)
: Матаре Г.
Заглавие
: Электроника дефектов в полупроводниках
Выходные данные
: М.: Мир, 1974
Колич.характеристики
:463 с.: рис., табл.
Перевод издания:
Matare, Herbert F. Defect electronics in śemiconductors
Примечания
: Библиогр. в конце глав
Цена
: 2.19 р.
ГРНТИ
: 29.19.11 + 29.19.31
ББК
: В379.1 + В372.212.2
Предметные рубрики:
Полупроводники
--
Дефекты
Полупроводники
-- Электронная теория
Экземпляры
:КФ(1)
Свободны
: КФ(1)
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)