Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=В379.2<.>)

Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-47

   В37
   И 75

    Иоффе, Абрам Федорович.
    Полупроводники в современной физике / А. Ф. Иоффе ; Акад. наук СССР. - М. ; Л. : Изд-во АН СССР, 1954. - 355 с. - Библиогр. - 1.30 р.
Пометки владельца коллекции: Цомакион. №558

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Квантовая теория
Электролиты твердые--Свойства электрические
Металлы--Свойства электрические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР
Экземпляры всего: 1
СЦ (1)
Свободны: СЦ (1)}
Найти похожие

   В37
   И 75

    Иоффе, Абрам Федорович.
    Физика полупроводников / А. Ф. Иоффе, С. Г. Калашников ; Акад. наук СССР. - М. : Изд-во АН СССР, 1957. - 491 с. : ил. - Библиогр.: с. 486-487. - 2.00 р.
1-е изд. вышло под загл. : Полупроводники в современной физике

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Калашников, Сергей Григорьевич; Академия наук СССР
Экземпляры всего: 2
КФ (1), Музей (1)
Свободны: Музей (1)}
Найти похожие

   В37
   П 53


    Полупроводники в науке и технике. Т. 2 / Акад. наук СССР, Ин-т полупроводников. - М. ; Л. : Изд-во АН СССР, 1958. - 658 с. - 3.00 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Наука и техника

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Институт полупроводников АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

   В37
   Д 18

    Данлэп, У.
    Введение в физику полупроводников : пер. с англ. / У. Данлэп ; ред. В. Л. Бонч-Бруевич. - М. : Изд-во иностр. лит., 1959. - 430 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. -

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бонч-Бруевич, Виктор Леопольдович \ред.\ КФ
Свободных экз. нет}
Найти похожие

   В37
   К 78

    Красюк, Борис Анатольевич.
    Полупроводники германий и кремний / Б. А. Красюк, А. И. Грибов. - М. : Металлургиздат, 1961. - 266 с. - Библиогр. в конце глав. - 5300 экз. - 1.02 р.

ГРНТИ

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Свойства--Получение

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Грибов, Александр Исидирович
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   П 53


    Полупроводники : сб. / ред. Н. Б. Хенней. - М. : Изд-во иностр. лит., 1962. - 667 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Указ. имен: с. 641-652. - Предм. указ.: с. 653-663. - Пер. изд. : Semiconductors. - London. - 4.23 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2 + Г52 + Г116.7 + Г214
Рубрики:
Полупроводники--Физика
Полупроводники--Физическая химия

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Хенней, Н. Б. \ред.\; Ормонт, Борис Филлипович \ред. перевода.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Х 45

    Хилсум, К.
    Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]] / К. Хилсум, А. Роуз-Инс ; пер. с англ. [и предисл.] М. М. Горшкова и А. Э. Наджипа ; под ред. Н. П. Сажина и Г. В. Захваткина. - М. : Изд-во иностр. лит., 1963. - 324 с. : рис. - Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320. - Пер. изд. : Semiconducting III-V compounds / C. Hilsum, A. C. Rose-Innes. - 1.24 р.
    Содержание:
Кристаллическая структура и химическая связь
Свойства структуры цинковой обманки
Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости
Пьезоэлектрический эффект
"Ионность" связи
Расположение атомов
Скалывание
Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки
Спин-орбитальное расщепление
Ширина запрещенной зоны
Электроотрицательность. Выводы о характере связи
Зонная структура
Значение зонной структуры
Теория зонной структуры
Симметрия
Спин-орбитальные эффекты
Одномерная модель
Метод возмущений Германа
Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау
Зонная структура антимонида индия
Зона проводимости
Валентная зона
Зонная структура арсенида индия
Зонная структура антимонида галлия
Зонная структура арсенида галлия
Зонная структура фосфида галлия
Зонная структура антимонида алюминия
Зонная структура нитрида бора
Общий обзор энергетических схем соединений III-V
Примеси и дефекты
Доноры и акцепторы
Водородоподобная модель примесей
Антимонид индия
Донорные примеси
Акцепторные уровни
Примесная зона
Арсенид индия
Фосфид индия
Антимонид галлия
Арсенид галлия
Фосфид галлия
Антимонид алюминия
Смешанные кристаллы
Диффузия
Дислокационные трещины
Получение соединений III-V
Образование соединений
Очистка элементов
Методы получения
Аппаратура
Остаточные примеси
Очистка бестигельной зонной плавкой
Электрические свойства
Процессы рассеяния
Рассеяния на акустических колебаниях решетки
Рассеяния на оптических колебаниях решетки
Рассеяния на примесях
Рассеяния на носителях
Подвижность в соединениях III-V
Характерные черты переноса носителей
Следствия большого отношения подвижностей
Электрических свойств от магнитного поля
Оптические и фотоэлектрические свойства
Край полосы поглощения
Роль свободных носителей
Поглощение на колебаниях решетки
Показатель преломления
Фотоэлектрические явления
Механизмы рекомбинации
Измерение времени жизни
Эмиссия излучения
Применения
Применения переходов
Диоды с переменной емкостью
Микроволновые детекторы
Коммутирующие диоды
Туннельные диоды
Транзисторы
Применения гальваномагнитных эффектов
Магнетометр, основанный на эффекте Холла
Измеритель магнитной восприимчивости
Измерение электрического тока и мощности
Умножитель на основе на эффекте Холла
Усилитель на основе на эффекте Холла
Магниторезистивные генератор и усилитель
Магниторезистивный датчик перемещения
Оптические применения
Инфракрасные фотоэлементы
Солнечные батареи
Оптические фильтры

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Роуз-Инс, А.; Горшков, М. М. \пер.\; Наджип, А. Э. \пер.\; Сажин, Н. П. \ред. пер.\; Захваткин, Г. В. \ред. пер.\; Hilsum, C. ; Rose-Innes, A. C.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   З85
   П 53


    Полупроводники и их применение в технике / ред. И. Ф. Волошин. - Минск : Беларусь, 1963. - 287 с. - Библиогр. в конце глав. - 8000 экз. - 0.94 р.

ГРНТИ

29.19.31

47.33.29

47.09.29

ББК З852 + З233 + В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Радиоэлектроника

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волошин, Иван Филлипович \ред.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   З85
   Г 70

    Городецкий, Александр Фомич.
    Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Ф. Городецкий, А. Ф. Кравченко, Е. М. Самойлов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1966. - 350 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 3700 экз. - 1.98 р.
    Содержание:
Структура твердых тел
Основы квантовой теории твердых тел
Тепловые свойства твердых тел
Несовершенства в кристаллах
Статистика электронов в полупроводниках
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические и гальваномагнитные явления
Контактные явления
Полупроводниковые материалы
Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды)
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы)
Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах
Приборы, основанные на явлении Холла
Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях
Приборы, основанные на эффекте сильного поля
Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте

ГРНТИ

29.19.31

ББК З852 + В379.2
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Физические основы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович; Самойлов, Евгений Михайлович; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

10.

   В37
   С 80

    Стильбанс, Лазарь Соломонович.
    Физика полупроводников / Л. С. Стильбанс. - М. : Сов. радио, 1967. - 451 с. - Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449. - 43000 экз. - 1.63 р.
    Содержание:
Основные свойства полупроводников
Некоторые сведения о строении атома
Энергия и движение электрона в твердом теле
Электропроводность полупроводников
Теплопроводность полупроводников
Контактные явления
Термоэлектрические явления
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Фотопроводимость
Строение кристаллов
Некоторые вопросы квантовой теории
Геометрия кристаллической решетки
Дефекты в кристаллах
Тепловые колебания в кристаллах
Теплоемкость
Основные представления электронной теории кристаллов
Адиабатическое приближение
Одноэлектронное приближение
Приближение почти свободных электронов
Приближение сильно связанных электронов
Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников
Статистика электронов в полупроводниках
Некоторые понятия статистики и термодинамики
Распределение Ферми
Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках
Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение
Некоторые вопросы теории явлений переноса
Элементарный расчет электропроводности и подвижности
Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации)
Феноменологический анализ явлений переноса
Вычисление времени релаксации
Явления в сильных электрических полях
Термоэлектрические явления и теплопроводность
Термоэлектродвижущая сила
Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей
Увлечение электронов фононами
Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей
Электронная теплопроводность
Теплопроводность кристаллической решетки
Фотонная теплопроводность
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле
Эффект Эттингсгаузена
Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях
Термомагнитные явления
Контактные явления
Контакт полупроводника и металла
Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником)
Диодная теория Бете
Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки)
Теория p-n-перехода
Оптические свойства полупроводников
Поглощение света
Фотопроводимость
Фотовольтаические эффекты
Циклотронный резонанс
Стимулированное излучение

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие