Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=В379.2<.>)

Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-47

   В37
   М 13

    Маделунг, Отфрид.
    Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп / О. Маделунг ; пер. с англ. под ред. [и с предисл.] Б. И. Болтакса. - М. : Мир, 1967. - 477 с. : рис. - Вспом. указатели: с. 462-473. -Библиогр.: с. 414-461. - Пер. изд. : Physics of III-V compounds / Otfried Madelung. - 2.14 р.
    Содержание:
Теоретические основы
Оптические свойства соединений АIIIВV
Явления переноса
Примеси и дефекты
Кристаллы твердых растворов и тройных соединений
Различные физические свойства
Обобщение и обсуждение основных свойств соединений АIIIВV

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Болтакс, Б. И. \ред.\; Madelung, Otfried
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   З85
   Г 70

    Городецкий, Александр Фомич.
    Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов / А. Ф. Городецкий, А. Ф. Кравченко, Е. М. Самойлов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1966. - 350 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 3700 экз. - 1.98 р.
    Содержание:
Структура твердых тел
Основы квантовой теории твердых тел
Тепловые свойства твердых тел
Несовершенства в кристаллах
Статистика электронов в полупроводниках
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические и гальваномагнитные явления
Контактные явления
Полупроводниковые материалы
Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды)
Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы)
Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах
Приборы, основанные на явлении Холла
Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях
Приборы, основанные на эффекте сильного поля
Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте

ГРНТИ

29.19.31

ББК З852 + В379.2
Рубрики:
Приборы полупроводниковые--Физические основы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кравченко, Александр Филиппович; Самойлов, Евгений Михайлович; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Х 45

    Хилсум, К.
    Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]] / К. Хилсум, А. Роуз-Инс ; пер. с англ. [и предисл.] М. М. Горшкова и А. Э. Наджипа ; под ред. Н. П. Сажина и Г. В. Захваткина. - М. : Изд-во иностр. лит., 1963. - 324 с. : рис. - Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320. - Пер. изд. : Semiconducting III-V compounds / C. Hilsum, A. C. Rose-Innes. - 1.24 р.
    Содержание:
Кристаллическая структура и химическая связь
Свойства структуры цинковой обманки
Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости
Пьезоэлектрический эффект
"Ионность" связи
Расположение атомов
Скалывание
Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки
Спин-орбитальное расщепление
Ширина запрещенной зоны
Электроотрицательность. Выводы о характере связи
Зонная структура
Значение зонной структуры
Теория зонной структуры
Симметрия
Спин-орбитальные эффекты
Одномерная модель
Метод возмущений Германа
Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау
Зонная структура антимонида индия
Зона проводимости
Валентная зона
Зонная структура арсенида индия
Зонная структура антимонида галлия
Зонная структура арсенида галлия
Зонная структура фосфида галлия
Зонная структура антимонида алюминия
Зонная структура нитрида бора
Общий обзор энергетических схем соединений III-V
Примеси и дефекты
Доноры и акцепторы
Водородоподобная модель примесей
Антимонид индия
Донорные примеси
Акцепторные уровни
Примесная зона
Арсенид индия
Фосфид индия
Антимонид галлия
Арсенид галлия
Фосфид галлия
Антимонид алюминия
Смешанные кристаллы
Диффузия
Дислокационные трещины
Получение соединений III-V
Образование соединений
Очистка элементов
Методы получения
Аппаратура
Остаточные примеси
Очистка бестигельной зонной плавкой
Электрические свойства
Процессы рассеяния
Рассеяния на акустических колебаниях решетки
Рассеяния на оптических колебаниях решетки
Рассеяния на примесях
Рассеяния на носителях
Подвижность в соединениях III-V
Характерные черты переноса носителей
Следствия большого отношения подвижностей
Электрических свойств от магнитного поля
Оптические и фотоэлектрические свойства
Край полосы поглощения
Роль свободных носителей
Поглощение на колебаниях решетки
Показатель преломления
Фотоэлектрические явления
Механизмы рекомбинации
Измерение времени жизни
Эмиссия излучения
Применения
Применения переходов
Диоды с переменной емкостью
Микроволновые детекторы
Коммутирующие диоды
Туннельные диоды
Транзисторы
Применения гальваномагнитных эффектов
Магнетометр, основанный на эффекте Холла
Измеритель магнитной восприимчивости
Измерение электрического тока и мощности
Умножитель на основе на эффекте Холла
Усилитель на основе на эффекте Холла
Магниторезистивные генератор и усилитель
Магниторезистивный датчик перемещения
Оптические применения
Инфракрасные фотоэлементы
Солнечные батареи
Оптические фильтры

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Роуз-Инс, А.; Горшков, М. М. \пер.\; Наджип, А. Э. \пер.\; Сажин, Н. П. \ред. пер.\; Захваткин, Г. В. \ред. пер.\; Hilsum, C. ; Rose-Innes, A. C.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   Ж
   Т 66

    Трегулов, Вадим Викторович.
    Пористый кремний: технология, свойства, применение / В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния

ГРНТИ

ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Свойства--Получение--Применение
Кремний--Свойства--Получение--Применение
Электроника--Материалы--Кремний

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   С 80

    Стильбанс, Лазарь Соломонович.
    Физика полупроводников / Л. С. Стильбанс. - М. : Сов. радио, 1967. - 451 с. - Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449. - 43000 экз. - 1.63 р.
    Содержание:
Основные свойства полупроводников
Некоторые сведения о строении атома
Энергия и движение электрона в твердом теле
Электропроводность полупроводников
Теплопроводность полупроводников
Контактные явления
Термоэлектрические явления
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Фотопроводимость
Строение кристаллов
Некоторые вопросы квантовой теории
Геометрия кристаллической решетки
Дефекты в кристаллах
Тепловые колебания в кристаллах
Теплоемкость
Основные представления электронной теории кристаллов
Адиабатическое приближение
Одноэлектронное приближение
Приближение почти свободных электронов
Приближение сильно связанных электронов
Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников
Статистика электронов в полупроводниках
Некоторые понятия статистики и термодинамики
Распределение Ферми
Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках
Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение
Некоторые вопросы теории явлений переноса
Элементарный расчет электропроводности и подвижности
Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации)
Феноменологический анализ явлений переноса
Вычисление времени релаксации
Явления в сильных электрических полях
Термоэлектрические явления и теплопроводность
Термоэлектродвижущая сила
Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей
Увлечение электронов фононами
Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей
Электронная теплопроводность
Теплопроводность кристаллической решетки
Фотонная теплопроводность
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле
Эффект Эттингсгаузена
Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях
Термомагнитные явления
Контактные явления
Контакт полупроводника и металла
Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником)
Диодная теория Бете
Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки)
Теория p-n-перехода
Оптические свойства полупроводников
Поглощение света
Фотопроводимость
Фотовольтаические эффекты
Циклотронный резонанс
Стимулированное излучение

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   З85
   S46


    Semiconductor spintronics and quantum computation / D. D. Awschalom, D. Loss, N. Samarth (eds.). - Berlin ; New York : Springer, 2002. - XV, 311 p. + 24 cm. - (Nanoscience and Technology, ISSN 1434-4904). - Bibliogr. - Iindex. - ISBN 3-540-42176-9 : 4053.00 р.
Перевод заглавия: Полупроводниковая спинтроника и квантовые вычисления
   Перевод заглавия: Полупроводниковая спинтроника и квантовые вычисления

ГРНТИ

47.03

ББК З852-01 + З815 + В379.2
Рубрики:
Электроника полупроводниковая--Спинтроника
   Spintronics
   Quantum electronics
   Logic devices

http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0816/2002020925-t.html,
http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0816/2002020925-d.html
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Awschalom, David; Loss, Daniel; Samarth, Nitin
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

   В37
   S43

    Seeger, Karlheinz.
    Semiconductor physics : an introduction / K. Seeger. - 2nd corr. and updated ed. - Berlin ; New York : Springer-Verlag, 1982. - XII, 462 p. : il. ; 24 cm. - (Springer series in solid-state sciences, ISSN 0171-1873 ; vol. 40). - References: p. 435-456. - Subject ind.: p. 457-462. - ISBN 3-540-11421-1 : 26.00 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Semiconductors
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

   В37
   С 48


    Сложные полупроводники / В. Е. Тэзлэван, В. В. ЦурканТэзлэван, К. Г. Никифоров ; Акад. наук МССР, Ин-т приклад. физики. - Кишинев : Штиинца, 1988. - 163 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-376-453-8 : 1.60 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Свойства--Получение--Применение

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тэзлэван, В. Е.; ЦурканТэзлэван, В. В.; Никифоров, К. Г.; Академия наук Молдавской ССР; Институт прикладной физики АН Молдавской ССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   К 63


    Компенсированный кремний / Б. И. Болтакс, М. К. Бахадырханов [и др.] ; отв. ред. Б. И. Болтакс ; Акад. наук СССР, Физ.-тех. ин-т. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1972. - 122 с. - Библиогр.: 266 назв. - 2300 экз. - 0.57 р.

ГРНТИ

ББК В379.2 + Г124.2
Рубрики:
Полупроводниковые материалы--Кремний

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Болтакс, Борис Иосифович; Бахадырханов, М. К.; Городецкий, С. М.; Куликов, Г. С.; Болтакс, Борис Иосифович \ред.\; Академия наук СССР; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

10.

   В37
   Ш 18

    Шалабутов, Юрий Константинович.
    Введение в физику полупроводников / Ю. К. Шалабутов ; Акад наук СССР ; Акад. наук СССР. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1969. - 292 с. : рис., граф. - Библиогр.: с. 284-289 (225 назв.). - 10000 экз. - 1.51 р.
    Содержание:
Кристаллическая решетка и связанные с ней свойства твердого тела
Электронные процессы в кристаллах и связанные с ними свойства твердых тел
Элементы зонной теории твердых тел
Распределение электронов в твердом теле по энергетическим состояниям в условиях теплового равновесия
Электропроводность полупроводников
Термоэлектрические явления в полупроводниках
Магнитные явления в твердых телах. Резонансные магнитные явления в полупроводниках
Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках
Контактные явления в полупроводниках
Взаимодействие излучения с полупроводниками
Фотопроводимость

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие