Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=В379.2<.>)
Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 20
1.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : В37/Э68
Заглавие : Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников . Т.1
Выходные данные : Воронеж: Изд-во "Водолей", 2004
Колич.характеристики :967 с
Перевод издания: Handbook of Semiconductor Technology
Примечания : Библиогр. в конце разд.
ISBN, Цена 3-527-29834-7: 100.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства электромагнитные-- Структура-- Технология
Экземпляры :ЧЗ(1)
Свободны : ЧЗ(1)
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Ш 18
Автор(ы) : Шалабутов, Юрий Константинович
Заглавие : Введение в физику полупроводников
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1969
Колич.характеристики :292 с.: рис., граф.
Коллективы : Академия наук СССР
Примечания : Библиогр.: с. 284-289 (225 назв.)
Цена : 1.51 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая решетка и связанные с ней свойства твердого тела ; Электронные процессы в кристаллах и связанные с ними свойства твердых тел ; Элементы зонной теории твердых тел ; Распределение электронов в твердом теле по энергетическим состояниям в условиях теплового равновесия ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические явления в полупроводниках ; Магнитные явления в твердых телах. Резонансные магнитные явления в полупроводниках ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках ; Контактные явления в полупроводниках ; Взаимодействие излучения с полупроводниками ; Фотопроводимость
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Х 45
Автор(ы) : Хилсум К., Роуз-Инс А.
Заглавие : Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]]
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1963
Колич.характеристики :324 с.: рис.
Перевод издания: Hilsum C. Semiconducting III-V compounds/ C. Hilsum, A. C. Rose-Innes
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320
Цена : 1.24 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая структура и химическая связь ; Свойства структуры цинковой обманки ; Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости ; Пьезоэлектрический эффект ; "Ионность" связи ; Расположение атомов ; Скалывание ; Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки ; Спин-орбитальное расщепление ; Ширина запрещенной зоны ; Электроотрицательность. Выводы о характере связи ; Зонная структура ; Значение зонной структуры ; Теория зонной структуры ; Симметрия ; Спин-орбитальные эффекты ; Одномерная модель ; Метод возмущений Германа ; Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау ; Зонная структура антимонида индия ; Зона проводимости ; Валентная зона ; Зонная структура арсенида индия ; Зонная структура антимонида галлия ; Зонная структура арсенида галлия ; Зонная структура фосфида галлия ; Зонная структура антимонида алюминия ; Зонная структура нитрида бора ; Общий обзор энергетических схем соединений III-V ; Примеси и дефекты ; Доноры и акцепторы ; Водородоподобная модель примесей ; Антимонид индия ; Донорные примеси ; Акцепторные уровни ; Примесная зона ; Арсенид индия ; Фосфид индия ; Антимонид галлия ; Арсенид галлия ; Фосфид галлия ; Антимонид алюминия ; Смешанные кристаллы ; Диффузия ; Дислокационные трещины ; Получение соединений III-V ; Образование соединений ; Очистка элементов ; Методы получения ; Аппаратура ; Остаточные примеси ; Очистка бестигельной зонной плавкой ; Электрические свойства ; Процессы рассеяния ; Рассеяния на акустических колебаниях решетки ; Рассеяния на оптических колебаниях решетки ; Рассеяния на примесях ; Рассеяния на носителях ; Подвижность в соединениях III-V ; Характерные черты переноса носителей ; Следствия большого отношения подвижностей ; Электрических свойств от магнитного поля ; Оптические и фотоэлектрические свойства ; Край полосы поглощения ; Роль свободных носителей ; Поглощение на колебаниях решетки ; Показатель преломления ; Фотоэлектрические явления ; Механизмы рекомбинации ; Измерение времени жизни ; Эмиссия излучения ; Применения ; Применения переходов ; Диоды с переменной емкостью ; Микроволновые детекторы ; Коммутирующие диоды ; Туннельные диоды ; Транзисторы ; Применения гальваномагнитных эффектов ; Магнетометр, основанный на эффекте Холла ; Измеритель магнитной восприимчивости ; Измерение электрического тока и мощности ; Умножитель на основе на эффекте Холла ; Усилитель на основе на эффекте Холла ; Магниторезистивные генератор и усилитель ; Магниторезистивный датчик перемещения ; Оптические применения ; Инфракрасные фотоэлементы ; Солнечные батареи ; Оптические фильтры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Ф63
Автор(ы) : Фистуль, Виктор Ильич
Заглавие : Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение)
Выходные данные : М.: Физматлит, 2004
Колич.характеристики :432 с
Примечания : Библиогр.: с. 407. - Предм. указ.: с. 429
ISBN, Цена 5-94052-065-2: 257.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках/ под. ред. В. И. Фистуля и др.
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж/Т 66
Автор(ы) : Трегулов, Вадим Викторович
Заглавие : Пористый кремний: технология, свойства, применение
Выходные данные : Рязань: Рязан. гос. ун-т, 2011
Колич.характеристики :123 с. ; 20 см
Коллективы : Министерство образования и науки Российской Федерации, Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Примечания : Библиогр.: с. 116-122
ISBN, Цена 978-5-88006-677-3: 185.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31
ББК : Ж362 + Л253.2 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Кремний-- Свойства-- Получение-- Применение
Электроника-- Материалы-- Кремний
Содержание : Технология изготовления пористого кремния ; Фотолюминесценция пористого кремния ; Электрофизические свойства пористого кремния ; Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния ; Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики ; Приборы СВЧ-диапазона ; Химические датчики на основе пористого кремния
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
6.


    (Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/Т 38
Автор(ы) : Кожитов, Лев Васильевич, Косушкин, Виктор Григорьевич, Крапухин, Всеволод Валерьевич, Пархоменко, Юрий Николаевич
Заглавие : Технология материалов микро- и наноэлектроники
Выходные данные : М.: МИСИС, 2007
Колич.характеристики :543 с
Коллективы : Московский государственный институт стали и сплавов (Технологического университета)
Серия: Металлургия и материаловедение ХХI века
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 978-5-87623-132-7: 393.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09 + 47.13 + 61.31.47
ББК : В379.2 + З844.1 + Л25.3
Предметные рубрики: Электроника-- Нанотехнологии
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 80
Автор(ы) : Стильбанс, Лазарь Соломонович
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1967
Колич.характеристики :451 с
Примечания : Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Основные свойства полупроводников ; Некоторые сведения о строении атома ; Энергия и движение электрона в твердом теле ; Электропроводность полупроводников ; Теплопроводность полупроводников ; Контактные явления ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Фотопроводимость ; Строение кристаллов ; Некоторые вопросы квантовой теории ; Геометрия кристаллической решетки ; Дефекты в кристаллах ; Тепловые колебания в кристаллах ; Теплоемкость ; Основные представления электронной теории кристаллов ; Адиабатическое приближение ; Одноэлектронное приближение ; Приближение почти свободных электронов ; Приближение сильно связанных электронов ; Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Некоторые понятия статистики и термодинамики ; Распределение Ферми ; Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках ; Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение ; Некоторые вопросы теории явлений переноса ; Элементарный расчет электропроводности и подвижности ; Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации) ; Феноменологический анализ явлений переноса ; Вычисление времени релаксации ; Явления в сильных электрических полях ; Термоэлектрические явления и теплопроводность ; Термоэлектродвижущая сила ; Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Увлечение электронов фононами ; Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Электронная теплопроводность ; Теплопроводность кристаллической решетки ; Фотонная теплопроводность ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле ; Эффект Эттингсгаузена ; Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях ; Термомагнитные явления ; Контактные явления ; Контакт полупроводника и металла ; Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) ; Диодная теория Бете ; Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) ; Теория p-n-перехода ; Оптические свойства полупроводников ; Поглощение света ; Фотопроводимость ; Фотовольтаические эффекты ; Циклотронный резонанс ; Стимулированное излучение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 61
Автор(ы) : Соминский, Монус Самуилович
Заглавие : Полупроводники
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1967
Колич.характеристики :440 с
Коллективы : Академия наук СССР, Институт полупроводников АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце глав :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 48
Автор(ы) : Тэзлэван В. Е., ЦурканТэзлэван В. В., Никифоров К. Г.
Заглавие : Сложные полупроводники
Выходные данные : Кишинев: Штиинца, 1988
Колич.характеристики :163 с.: ил.
Коллективы : Академия наук Молдавской ССР, Институт прикладной физики АН Молдавской ССР
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 5-376-453-8: 1.60 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводниковые соединения A[[p]]I[[/p]][[d]]2[[/d]]B[[p]]VI[[/p]]
Выходные данные : М.: Металлургия, 1980
Колич.характеристики :132 с
Примечания : Библиогр.
Цена : 1.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Халькогениды-- Свойства физические
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводники : сб.
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1962
Колич.характеристики :667 с.: ил.
Перевод издания: Semiconductors. -London
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ. имен: с. 641-652. - Предм. указ.: с. 653-663
Цена : 4.23, р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г52 + Г116.7 + Г214
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Полупроводники-- Физическая химия
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/П 53
Заглавие : Полупроводники и их применение в технике
Выходные данные : Минск: Беларусь, 1963
Колич.характеристики :287 с
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 0.94 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33.29 + 47.09.29
ББК : З852 + З233 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Радиоэлектроника
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
13.


    (Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводники в науке и технике . Т. 2
Выходные данные : М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1958
Колич.характеристики :658 с
Коллективы : Академия наук СССР, Институт полупроводников АН СССР :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Наука и техника
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
14.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/М 73
Автор(ы) : Денис, Винцентас Ионо, Канцлерис Ж., Матулёнис А., Пожела, Юрас Карлович, Реклайтис А., Шилейка А., Толутис Р.
Заглавие : Многодолинные полупроводники
Выходные данные : Вильнюс: Мокслас, 1978
Колич.характеристики :201 с
Коллективы : Академия наук Литовской ССР, Институт физики полупроводников АН Литовской ССР
Серия: Электроны в полупроводниках; [вып.] 1
Примечания : Библиогр. в конце глав :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + В379.23 + В373.4
Предметные рубрики: Полупроводники-- Структура электронная-- Сборники
Электроника твердотельная-- Материалы-- Сборники
Содержание : Динамика разогрева электронов ; Межэлектронное рассеяние носителей тока в ковалентных полупроводниках ; Исследование полупроводников при помощи геликонных волн ; Оптические исследования зонной структуры соединений A2B4C2[[p]]5[[/p]]
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
15.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 13
Автор(ы) : Маделунг, Отфрид
Заглавие : Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп
Выходные данные : М.: Мир, 1967
Колич.характеристики :477 с.: рис.
Перевод издания: Madelung, Otfried Physics of III-V compounds
Примечания : Вспом. указатели: с. 462-473. -Библиогр.: с. 414-461
Цена : 2.14 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Теоретические основы ; Оптические свойства соединений АIIIВV ; Явления переноса ; Примеси и дефекты ; Кристаллы твердых растворов и тройных соединений ; Различные физические свойства ; Обобщение и обсуждение основных свойств соединений АIIIВV
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
16.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/Л 88
Автор(ы) : Лыков, Сергей Николаевич
Заглавие : Сверхпроводимость полупроводников : Учеб. пособ.
Выходные данные : СПб.: Наука, 2001
Колич.характеристики :104 с
Коллективы : "Государственная поддержка интеграции высшего образования и фундаментальной науки", Федеральная целевая программа
Серия: Новые разделы физики полупроводников
ISBN, Цена 5-02-024943-2: 0.00
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.03.08
ББК : В379.2 + В368.37
Предметные рубрики: Полупроводники-- Сверхпроводники
Экземпляры : всего : КФ(5)
Свободны : КФ(4)
Найти похожие
17.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : З84/К 96
Автор(ы) : Куэй Р.
Заглавие : Электроника на основе нитрида галлия : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Техносфера, 2011
Колич.характеристики :587 с
Серия: Мир радиоэлектроники
Перевод издания: Quay Rudiger Gallium nitride electronics. -Berlin ; Heidelberg, 2008
Примечания : Библиогр. в конце глав - Библиогр.: с. 561-577 (159 назв.). - Предм. указ.: с. 578-587
ISBN, Цена 978-5-94836-296-0: 1011.22 р.
ГРНТИ : 47.09.29
ББК : З843.3 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы-- Материалы-- Обзоры
СВЧ-электроника-- Материалы-- Обзоры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 89
Автор(ы) : Кузьминов, Юрий Сергеевич
Заглавие : Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития
Выходные данные : М.: Наука, 1987
Колич.характеристики :264 с.: рис.
Цена : 3.30 р.
ГРНТИ : 29.31.21 + 29.19.23 + 29.19.35 + 47.09.33
УДК : В379.2 + В379.3
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства физические
Нелинейная оптика-- Материалы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
19.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 89
Автор(ы) : Кузьминов, Юрий Сергеевич
Заглавие : Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением
Выходные данные : М.: Наука, 1982
Колич.характеристики :400 с.: ил.
Примечания : Библиогр. : с. 383-400
Цена : 3.60 р.
ГРНТИ : 29.31.21 + 29.19.23 + 29.19.35 + 47.09.33
УДК : В379.2 + В379.3
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства физические
Сегнетоэлектрики-- Кристаллы-- Свойства оптические
Нелинейная оптика-- Материалы
Содержание : Сегнетоэлектрические перовскиты ; Сегнетоэлектрики со структурой тетрагональной калий-вольфрамовой бронзы ; Некоторые физические аспекты кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриков
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 89
Автор(ы) : Кузьминов, Юрий Сергеевич
Заглавие : Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной оптики
Выходные данные : М.: Наука, 1975
Колич.характеристики :223 с.: рис., табл.
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 217-223
Цена : 1.11 р.
ГРНТИ : 29.19.23 + 29.31.21
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства физические
Нелинейная оптика-- Материалы
Содержание : Физико-химические свойства метаниобата и метатанталата лития ; Получение монокристаллов метанилбата лития ; Электрические свойства метаниобата и метатанталата лития ; Электрооптический эффект в кристаллах метаниобата и метатанталата лития ; Воздействие лазерного излучения на монокристаллы LiNbO[[d]]2[[/d]] и LiTaO[[d]]3[[/d]] ; Генерация второй гармоники ; Зависимость оптических свойств метаниобата лития от технологичесикх параметров выращивания кристаллов ; Спектроскопия кристаллов ; Упругие и пьезооптические свойства
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)