|
|
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/И 75
Автор(ы) : Иоффе, Абрам Федорович
Заглавие : Полупроводники в современной физике
Выходные данные : М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1954
Колич.характеристики :355 с
Коллективы :
Академия наук СССР
Примечания : Библиогр.
Цена : 1.30 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Квантовая теория
Электролиты твердые-- Свойства электрические
Металлы-- Свойства электрические
Экземпляры :СЦ(1)
Свободны : СЦ(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/И 75
Автор(ы) : Иоффе, Абрам Федорович, Калашников, Сергей Григорьевич
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Изд-во АН СССР, 1957
Колич.характеристики :491 с.:
ил.
Коллективы :
Академия наук СССР
Примечания : Библиогр.: с. 486-487. - 1-е изд. вышло под загл. : Полупроводники в современной физике
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры : всего : КФ(1), Музей(1)
Свободны : Музей(1)
Найти похожие
|
3.
|
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводники в науке и технике
. Т. 2
Выходные данные : М.; Л.: Изд-во АН СССР, 1958
Колич.характеристики :658 с
Коллективы :
Академия наук СССР, Институт полупроводников АН СССР
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Наука и техника
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
|
4.
|
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 18
Автор(ы) : Данлэп У.
Заглавие : Введение в физику полупроводников
: пер. с англ.
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1959
Колич.характеристики :430 с.:
ил.
Примечания : Библиогр. в конце глав
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры :
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 78
Автор(ы) : Красюк, Борис Анатольевич, Грибов, Александр Исидирович
Заглавие : Полупроводники германий и кремний
Выходные данные : М.: Металлургиздат, 1961
Колич.характеристики :266 с
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 1.02 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29 + 53.41.29 + 53.41.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводники
: сб.
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1962
Колич.характеристики :667 с.:
ил.
Перевод издания: Semiconductors. -London
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ. имен: с. 641-652. - Предм. указ.: с. 653-663
Цена : 4.23, р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г52 + Г116.7 + Г214
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Полупроводники-- Физическая химия
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Х 45
Автор(ы) : Хилсум К., Роуз-Инс А.
Заглавие : Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]]
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1963
Колич.характеристики :324 с.:
рис.
Перевод издания: Hilsum C. Semiconducting III-V compounds/ C. Hilsum, A. C. Rose-Innes
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320
Цена : 1.24 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая структура и химическая связь ; Свойства структуры цинковой обманки ; Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости ; Пьезоэлектрический эффект ; "Ионность" связи ; Расположение атомов ; Скалывание ; Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки ; Спин-орбитальное расщепление ; Ширина запрещенной зоны ; Электроотрицательность. Выводы о характере связи ; Зонная структура ; Значение зонной структуры ; Теория зонной структуры ; Симметрия ; Спин-орбитальные эффекты ; Одномерная модель ; Метод возмущений Германа ; Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау ; Зонная структура антимонида индия ; Зона проводимости ; Валентная зона ; Зонная структура арсенида индия ; Зонная структура антимонида галлия ; Зонная структура арсенида галлия ; Зонная структура фосфида галлия ; Зонная структура антимонида алюминия ; Зонная структура нитрида бора ; Общий обзор энергетических схем соединений III-V ; Примеси и дефекты ; Доноры и акцепторы ; Водородоподобная модель примесей ; Антимонид индия ; Донорные примеси ; Акцепторные уровни ; Примесная зона ; Арсенид индия ; Фосфид индия ; Антимонид галлия ; Арсенид галлия ; Фосфид галлия ; Антимонид алюминия ; Смешанные кристаллы ; Диффузия ; Дислокационные трещины ; Получение соединений III-V ; Образование соединений ; Очистка элементов ; Методы получения ; Аппаратура ; Остаточные примеси ; Очистка бестигельной зонной плавкой ; Электрические свойства ; Процессы рассеяния ; Рассеяния на акустических колебаниях решетки ; Рассеяния на оптических колебаниях решетки ; Рассеяния на примесях ; Рассеяния на носителях ; Подвижность в соединениях III-V ; Характерные черты переноса носителей ; Следствия большого отношения подвижностей ; Электрических свойств от магнитного поля ; Оптические и фотоэлектрические свойства ; Край полосы поглощения ; Роль свободных носителей ; Поглощение на колебаниях решетки ; Показатель преломления ; Фотоэлектрические явления ; Механизмы рекомбинации ; Измерение времени жизни ; Эмиссия излучения ; Применения ; Применения переходов ; Диоды с переменной емкостью ; Микроволновые детекторы ; Коммутирующие диоды ; Туннельные диоды ; Транзисторы ; Применения гальваномагнитных эффектов ; Магнетометр, основанный на эффекте Холла ; Измеритель магнитной восприимчивости ; Измерение электрического тока и мощности ; Умножитель на основе на эффекте Холла ; Усилитель на основе на эффекте Холла ; Магниторезистивные генератор и усилитель ; Магниторезистивный датчик перемещения ; Оптические применения ; Инфракрасные фотоэлементы ; Солнечные батареи ; Оптические фильтры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/П 53
Заглавие : Полупроводники и их применение в технике
Выходные данные : Минск: Беларусь, 1963
Колич.характеристики :287 с
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 0.94 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33.29 + 47.09.29
ББК : З852 + З233 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Радиоэлектроника
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Г 70
Автор(ы) : Городецкий, Александр Фомич, Кравченко, Александр Филиппович, Самойлов, Евгений Михайлович
Заглавие : Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1966
Колич.характеристики :350 с.:
ил.
Коллективы :
Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце гл.
Цена : 1.98 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : З852 + В379.2
Предметные рубрики: Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Структура твердых тел ; Основы квантовой теории твердых тел ; Тепловые свойства твердых тел ; Несовершенства в кристаллах ; Статистика электронов в полупроводниках ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические и гальваномагнитные явления ; Контактные явления ; Полупроводниковые материалы ; Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды) ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы) ; Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах ; Приборы, основанные на явлении Холла ; Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях ; Приборы, основанные на эффекте сильного поля ; Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 80
Автор(ы) : Стильбанс, Лазарь Соломонович
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1967
Колич.характеристики :451 с
Примечания : Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Основные свойства полупроводников ; Некоторые сведения о строении атома ; Энергия и движение электрона в твердом теле ; Электропроводность полупроводников ; Теплопроводность полупроводников ; Контактные явления ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Фотопроводимость ; Строение кристаллов ; Некоторые вопросы квантовой теории ; Геометрия кристаллической решетки ; Дефекты в кристаллах ; Тепловые колебания в кристаллах ; Теплоемкость ; Основные представления электронной теории кристаллов ; Адиабатическое приближение ; Одноэлектронное приближение ; Приближение почти свободных электронов ; Приближение сильно связанных электронов ; Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Некоторые понятия статистики и термодинамики ; Распределение Ферми ; Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках ; Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение ; Некоторые вопросы теории явлений переноса ; Элементарный расчет электропроводности и подвижности ; Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации) ; Феноменологический анализ явлений переноса ; Вычисление времени релаксации ; Явления в сильных электрических полях ; Термоэлектрические явления и теплопроводность ; Термоэлектродвижущая сила ; Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Увлечение электронов фононами ; Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Электронная теплопроводность ; Теплопроводность кристаллической решетки ; Фотонная теплопроводность ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле ; Эффект Эттингсгаузена ; Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях ; Термомагнитные явления ; Контактные явления ; Контакт полупроводника и металла ; Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) ; Диодная теория Бете ; Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) ; Теория p-n-перехода ; Оптические свойства полупроводников ; Поглощение света ; Фотопроводимость ; Фотовольтаические эффекты ; Циклотронный резонанс ; Стимулированное излучение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 61
Автор(ы) : Соминский, Монус Самуилович
Заглавие : Полупроводники
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1967
Колич.характеристики :440 с
Коллективы :
Академия наук СССР, Институт полупроводников АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце глав
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 13
Автор(ы) : Маделунг, Отфрид
Заглавие : Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп
Выходные данные : М.: Мир, 1967
Колич.характеристики :477 с.:
рис.
Перевод издания: Madelung, Otfried Physics of III-V compounds
Примечания : Вспом. указатели: с. 462-473. -Библиогр.: с. 414-461
Цена : 2.14 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Теоретические основы ; Оптические свойства соединений АIIIВV ; Явления переноса ; Примеси и дефекты ; Кристаллы твердых растворов и тройных соединений ; Различные физические свойства ; Обобщение и обсуждение основных свойств соединений АIIIВV
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Ш 18
Автор(ы) : Шалабутов, Юрий Константинович
Заглавие : Введение в физику полупроводников
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1969
Колич.характеристики :292 с.:
рис., граф.
Коллективы :
Академия наук СССР
Примечания : Библиогр.: с. 284-289 (225 назв.)
Цена : 1.51 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая решетка и связанные с ней свойства твердого тела ; Электронные процессы в кристаллах и связанные с ними свойства твердых тел ; Элементы зонной теории твердых тел ; Распределение электронов в твердом теле по энергетическим состояниям в условиях теплового равновесия ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические явления в полупроводниках ; Магнитные явления в твердых телах. Резонансные магнитные явления в полупроводниках ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках ; Контактные явления в полупроводниках ; Взаимодействие излучения с полупроводниками ; Фотопроводимость
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Б 81
Автор(ы) : Боонстра А.
Заглавие : Поверхностные свойства германия и кремния
: пер. с англ.
Выходные данные : М.: Мир, 1970
Колич.характеристики :176 с
Перевод издания: Boonstra A. H. Some investigations on germanium and silicon surfaces
Примечания : Библиогр. - Опубликовано в журнале "Philips research reports. Suppl., 1968, no 3, P. 1-106
:
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.31
ББК : В379.2 + В371.25
Предметные рубрики: Полупроводники-- Поверхность-- Свойства
Твердое тело-- Поверхность-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 63
Автор(ы) : Болтакс, Борис Иосифович, Бахадырханов М. К., Городецкий С. М., Куликов Г. С.
Заглавие : Компенсированный кремний
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1972
Колич.характеристики :122 с
Коллективы :
Академия наук СССР, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Примечания : Библиогр.: 266 назв.
Цена : 0.57 р.
ГРНТИ : 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31 + 61.31.47
ББК : В379.2 + Г124.2
Предметные рубрики: Полупроводниковые материалы-- Кремний
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Б 79
Автор(ы) : Болтакс, Борис Иосифович
Заглавие : Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1972
Колич.характеристики :384 с
Коллективы :
Академия наук СССР, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 1.99 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Дефекты
Полупроводники-- Диффузия
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Б 64
Автор(ы) : Бир, Геннадий Левикович, Пикус, Григорий Езекиелевич
Заглавие : Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках
Выходные данные : М.: Наука, 1972
Колич.характеристики :584 с
Примечания : Библиогр.: с. 574-584
Цена : 2.66 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Кристаллы-- Деформация
Полупроводники-- Кристаллы-- Симметрия
Экземпляры : всего : КФ(3)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие
|
18.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/А 46
Автор(ы) : Александров, Леонид Наумович
Заглавие : Кинетика образования и структуры твердых слоев
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1972
Колич.характеристики :227 с
Коллективы :
Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР, Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР
Примечания : Библиогр.: 414 назв.
:
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.16
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Пленки полупроводниковые-- Рост-- Фазовые превращения-- Релаксация
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
19.
|
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/Б 81
Автор(ы) : Бонч-Бруевич, Виктор Леопольдович, Звягин, Игорь Петрович, Миронов, Александр Григорьевич
Заглавие : Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках
Выходные данные : М.: Наука, 1972
Колич.характеристики :414 с
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 399-412. Предм. указ.: с. 413-414
Цена : 1.86 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства электрические
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
|
20.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 89
Автор(ы) : Кузьминов, Юрий Сергеевич
Заглавие : Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной оптики
Выходные данные : М.: Наука, 1975
Колич.характеристики :223 с.:
рис., табл.
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 217-223
Цена : 1.11 р.
ГРНТИ : 29.19.23 + 29.31.21
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства физические
Нелинейная оптика-- Материалы
Содержание : Физико-химические свойства метаниобата и метатанталата лития ; Получение монокристаллов метанилбата лития ; Электрические свойства метаниобата и метатанталата лития ; Электрооптический эффект в кристаллах метаниобата и метатанталата лития ; Воздействие лазерного излучения на монокристаллы LiNbO[[d]]2[[/d]] и LiTaO[[d]]3[[/d]] ; Генерация второй гармоники ; Зависимость оптических свойств метаниобата лития от технологичесикх параметров выращивания кристаллов ; Спектроскопия кристаллов ; Упругие и пьезооптические свойства
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие
|
|
|
|
|
 Стандартный Расширенный Профессиональный Распределенный По словарю ГРНТИ-навигатор УДК-навигатор Тематический навигатор
Другие библиотеки
 Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
|
|
|
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
|
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН