Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=В379.2<.>)

Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 13
Автор(ы) : Маделунг, Отфрид
Заглавие : Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп
Выходные данные : М.: Мир, 1967
Колич.характеристики :477 с.: рис.
Перевод издания: Madelung, Otfried Physics of III-V compounds
Примечания : Вспом. указатели: с. 462-473. -Библиогр.: с. 414-461
Цена : 2.14 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Теоретические основы ; Оптические свойства соединений АIIIВV ; Явления переноса ; Примеси и дефекты ; Кристаллы твердых растворов и тройных соединений ; Различные физические свойства ; Обобщение и обсуждение основных свойств соединений АIIIВV
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Г 70
Автор(ы) : Городецкий, Александр Фомич, Кравченко, Александр Филиппович, Самойлов, Евгений Михайлович
Заглавие : Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1966
Колич.характеристики :350 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце гл.
Цена : 1.98 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : З852 + В379.2
Предметные рубрики: Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Структура твердых тел ; Основы квантовой теории твердых тел ; Тепловые свойства твердых тел ; Несовершенства в кристаллах ; Статистика электронов в полупроводниках ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические и гальваномагнитные явления ; Контактные явления ; Полупроводниковые материалы ; Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды) ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы) ; Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах ; Приборы, основанные на явлении Холла ; Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях ; Приборы, основанные на эффекте сильного поля ; Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Х 45
Автор(ы) : Хилсум К., Роуз-Инс А.
Заглавие : Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]]
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1963
Колич.характеристики :324 с.: рис.
Перевод издания: Hilsum C. Semiconducting III-V compounds/ C. Hilsum, A. C. Rose-Innes
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320
Цена : 1.24 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая структура и химическая связь ; Свойства структуры цинковой обманки ; Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости ; Пьезоэлектрический эффект ; "Ионность" связи ; Расположение атомов ; Скалывание ; Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки ; Спин-орбитальное расщепление ; Ширина запрещенной зоны ; Электроотрицательность. Выводы о характере связи ; Зонная структура ; Значение зонной структуры ; Теория зонной структуры ; Симметрия ; Спин-орбитальные эффекты ; Одномерная модель ; Метод возмущений Германа ; Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау ; Зонная структура антимонида индия ; Зона проводимости ; Валентная зона ; Зонная структура арсенида индия ; Зонная структура антимонида галлия ; Зонная структура арсенида галлия ; Зонная структура фосфида галлия ; Зонная структура антимонида алюминия ; Зонная структура нитрида бора ; Общий обзор энергетических схем соединений III-V ; Примеси и дефекты ; Доноры и акцепторы ; Водородоподобная модель примесей ; Антимонид индия ; Донорные примеси ; Акцепторные уровни ; Примесная зона ; Арсенид индия ; Фосфид индия ; Антимонид галлия ; Арсенид галлия ; Фосфид галлия ; Антимонид алюминия ; Смешанные кристаллы ; Диффузия ; Дислокационные трещины ; Получение соединений III-V ; Образование соединений ; Очистка элементов ; Методы получения ; Аппаратура ; Остаточные примеси ; Очистка бестигельной зонной плавкой ; Электрические свойства ; Процессы рассеяния ; Рассеяния на акустических колебаниях решетки ; Рассеяния на оптических колебаниях решетки ; Рассеяния на примесях ; Рассеяния на носителях ; Подвижность в соединениях III-V ; Характерные черты переноса носителей ; Следствия большого отношения подвижностей ; Электрических свойств от магнитного поля ; Оптические и фотоэлектрические свойства ; Край полосы поглощения ; Роль свободных носителей ; Поглощение на колебаниях решетки ; Показатель преломления ; Фотоэлектрические явления ; Механизмы рекомбинации ; Измерение времени жизни ; Эмиссия излучения ; Применения ; Применения переходов ; Диоды с переменной емкостью ; Микроволновые детекторы ; Коммутирующие диоды ; Туннельные диоды ; Транзисторы ; Применения гальваномагнитных эффектов ; Магнетометр, основанный на эффекте Холла ; Измеритель магнитной восприимчивости ; Измерение электрического тока и мощности ; Умножитель на основе на эффекте Холла ; Усилитель на основе на эффекте Холла ; Магниторезистивные генератор и усилитель ; Магниторезистивный датчик перемещения ; Оптические применения ; Инфракрасные фотоэлементы ; Солнечные батареи ; Оптические фильтры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж/Т 66
Автор(ы) : Трегулов, Вадим Викторович
Заглавие : Пористый кремний: технология, свойства, применение
Выходные данные : Рязань: Рязан. гос. ун-т, 2011
Колич.характеристики :123 с. ; 20 см
Коллективы : Министерство образования и науки Российской Федерации, Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Примечания : Библиогр.: с. 116-122
ISBN, Цена 978-5-88006-677-3: 185.00 р.
ГРНТИ : 61.31.47 + 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31
ББК : Ж362 + Л253.2 + В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Кремний-- Свойства-- Получение-- Применение
Электроника-- Материалы-- Кремний
Содержание : Технология изготовления пористого кремния ; Фотолюминесценция пористого кремния ; Электрофизические свойства пористого кремния ; Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния ; Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики ; Приборы СВЧ-диапазона ; Химические датчики на основе пористого кремния
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 80
Автор(ы) : Стильбанс, Лазарь Соломонович
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1967
Колич.характеристики :451 с
Примечания : Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Основные свойства полупроводников ; Некоторые сведения о строении атома ; Энергия и движение электрона в твердом теле ; Электропроводность полупроводников ; Теплопроводность полупроводников ; Контактные явления ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Фотопроводимость ; Строение кристаллов ; Некоторые вопросы квантовой теории ; Геометрия кристаллической решетки ; Дефекты в кристаллах ; Тепловые колебания в кристаллах ; Теплоемкость ; Основные представления электронной теории кристаллов ; Адиабатическое приближение ; Одноэлектронное приближение ; Приближение почти свободных электронов ; Приближение сильно связанных электронов ; Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Некоторые понятия статистики и термодинамики ; Распределение Ферми ; Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках ; Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение ; Некоторые вопросы теории явлений переноса ; Элементарный расчет электропроводности и подвижности ; Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации) ; Феноменологический анализ явлений переноса ; Вычисление времени релаксации ; Явления в сильных электрических полях ; Термоэлектрические явления и теплопроводность ; Термоэлектродвижущая сила ; Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Увлечение электронов фононами ; Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Электронная теплопроводность ; Теплопроводность кристаллической решетки ; Фотонная теплопроводность ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле ; Эффект Эттингсгаузена ; Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях ; Термомагнитные явления ; Контактные явления ; Контакт полупроводника и металла ; Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) ; Диодная теория Бете ; Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) ; Теория p-n-перехода ; Оптические свойства полупроводников ; Поглощение света ; Фотопроводимость ; Фотовольтаические эффекты ; Циклотронный резонанс ; Стимулированное излучение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Найти похожие

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : З85/S46
Автор(ы) : Awschalom, David, Loss, Daniel, Samarth, Nitin
Заглавие : Semiconductor spintronics and quantum computation
Выходные данные : Berlin; New York : Springer, 2002
Колич.характеристики :XV с. ; 311 с + 24 cm
Серия: Nanoscience and Technology, ISSN 1434-4904
Примечания : Bibliogr. - Iindex
ISBN, Цена 3-540-42176-9:
ГРНТИ : 47.03
ББК : З852-01 + З815 + В379.2
Предметные рубрики: Электроника полупроводниковая-- Спинтроника
Spintronics
Quantum electronics
Logic devices
Экземпляры :КФ(1)
http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0816/2002020925-t.html,
http://www.loc.gov/catdir/enhancements/fy0816/2002020925-d.html
Найти похожие

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/S43
Автор(ы) : Seeger, Karlheinz
Заглавие : Semiconductor physics : an introduction . -2nd corr. and updated ed.
Выходные данные : Berlin; New York: Springer-Verlag, 1982
Колич.характеристики :XII с.: il.; 24 cm; 462 с
Серия: Springer series in solid-state sciences, ISSN 0171-1873; Vol. 40
Примечания : References: p. 435-456. - Subject ind.: p. 457-462
ISBN, Цена 3-540-11421-1:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Semiconductors
Полупроводники-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 48
Автор(ы) : Тэзлэван В. Е., ЦурканТэзлэван В. В., Никифоров К. Г.
Заглавие : Сложные полупроводники
Выходные данные : Кишинев: Штиинца, 1988
Колич.характеристики :163 с.: ил.
Коллективы : Академия наук Молдавской ССР, Институт прикладной физики АН Молдавской ССР
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 5-376-453-8: 1.60 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение-- Применение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 63
Автор(ы) : Болтакс, Борис Иосифович, Бахадырханов М. К., Городецкий С. М., Куликов Г. С.
Заглавие : Компенсированный кремний
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1972
Колич.характеристики :122 с
Коллективы : Академия наук СССР, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Примечания : Библиогр.: 266 назв.
Цена : 0.57 р.
ГРНТИ : 45.09.35 + 29.19.31 + 47.09.29 + 53.41.31 + 61.31.47
ББК : В379.2 + Г124.2
Предметные рубрики: Полупроводниковые материалы-- Кремний
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Ш 18
Автор(ы) : Шалабутов, Юрий Константинович
Заглавие : Введение в физику полупроводников
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1969
Колич.характеристики :292 с.: рис., граф.
Коллективы : Академия наук СССР
Примечания : Библиогр.: с. 284-289 (225 назв.)
Цена : 1.51 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая решетка и связанные с ней свойства твердого тела ; Электронные процессы в кристаллах и связанные с ними свойства твердых тел ; Элементы зонной теории твердых тел ; Распределение электронов в твердом теле по энергетическим состояниям в условиях теплового равновесия ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические явления в полупроводниках ; Магнитные явления в твердых телах. Резонансные магнитные явления в полупроводниках ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках ; Контактные явления в полупроводниках ; Взаимодействие излучения с полупроводниками ; Фотопроводимость
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 78
Автор(ы) : Красюк, Борис Анатольевич, Грибов, Александр Исидирович
Заглавие : Полупроводники германий и кремний
Выходные данные : М.: Металлургиздат, 1961
Колич.характеристики :266 с
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 1.02 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29 + 53.41.29 + 53.41.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства-- Получение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 44
Автор(ы) : Киселев В. А., Новиков, Борис Владимирович, Чередниченко, Адриан Евгеньевич
Заглавие : Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников
Выходные данные : Л.: Изд-во ЛГУ, 1987
Колич.характеристики :161 с
Коллективы : Ленинградский государственный университет им. А.А. Жданова
Примечания : Библиогр.: с. 149-160
Цена : 1.60 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.31.26
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Поверхность-- Методы исследования-- Спектроскопия
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

13.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/B35
Автор(ы) : Bechstedt, Friedhelm, Enderlein, Rolf
Заглавие : Semiconductor surfaces and interfaces : their atomic and electronic structures
Выходные данные : Berlin: Akademie-Verlag, 1988
Колич.характеристики :XXV с.: il.; 441 с
Серия: Physical research; Vol. 5
Примечания : Bibliogr. at the end of the chapters. - Ind.: p. 437
ISBN, Цена 3-05-500479-5: 15.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Semiconductors
Surface chemistry
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводниковые соединения A[[p]]I[[/p]][[d]]2[[/d]]B[[p]]VI[[/p]]
Выходные данные : М.: Металлургия, 1980
Колич.характеристики :132 с
Примечания : Библиогр.
Цена : 1.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 45.09.35 + 47.09.29
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Халькогениды-- Свойства физические
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

15.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/F97
Заглавие : Fundamental physics of amorphous semiconductors : proceedings of the Kyoto Summer Institute, Kyoto, Japan, September 8-11, 1980
Выходные данные : Berlin; New York: Springer-Verlag, 1981
Колич.характеристики :VIII, 181 p: il + 24 cm.
Коллективы : Kyoto Summer Institute (1980 ; Sep. ; 8-11; Kyoto, Japan)
Серия: Springer series in solid-state sciences; 25
Примечания : Includes bibliographies.
ISBN, Цена 3-540-10634-0: 20.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.33
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники аморфные-- Конференции
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

16.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 61
Автор(ы) : Соминский, Монус Самуилович
Заглавие : Полупроводники
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1967
Колич.характеристики :440 с
Коллективы : Академия наук СССР, Институт полупроводников АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце глав :
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

17.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В36/H89
Автор(ы) : Huebener, Rudolf Peter
Заглавие : Magnetic flux structures in superconductors
Выходные данные : Berlin; New York: Springer-Verlag, 1979
Колич.характеристики :XI, 259 p.: il + 24 cm.
Серия: Springer series in solid-state sciences, ISSN 0171-1873; 6
Примечания : Bibliography: p. [241]. - References: p. 242-254. - Sub. index: p. 255-259
ISBN, Цена 3-540-09213-7
ISBN, Цена 0-387-09213-7
ГРНТИ : 29.19.29 + 29.19.37
ББК : В379.2 + В368.373.01
Аннотация: The idea for this book originated from an International Conference on Mag netic Structures in Superconductors organized by John R. Clem and the author at Argonne National Laboratory (ANL) in September of 1973. Large parts of the book evolved from lectures given to graduate students at the University of TUbingen during the past three years. It is the purpose of this book to provide an introduction to the many features of magnetic flux structures in superconductors and to discuss the this field. Here, in addition to the static proper recent developments in ties of magnetic flux structures, the time-dependent phenomena represent an important subject including flux flow and the transport effects in supercon ductors. Throughout the book the emphasis is placed on the physical phenom ena and the experimental results. We do not attempt a general introduction to superconductivity. Except for a brief discussion of the Ginzburg-Landau theory, with respect to the theoretical developments we only give an outline and refer to the original papers or other reviews for the detail of the calculations. The book is intended for researchers and graduate students interested in the subject of magnetic flux structures in superconductors. It may serve as supplementary material for a graduate course on low-temperature solid state physics. During recent years technological applications of supercon ducting materials are becoming increasingly important. Here the static and dynamic behavior of magnetic flux structures playa distinguished role. The book may be helpful for people envolved in these engineering aspects of superconductivity.
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

18.

(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 90
Автор(ы) : Грундман, Мариус
Заглавие : Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения : пер. с англ. . -2-е изд.
Выходные данные : М.: Физматлит, 2012
Колич.характеристики :771 с. + 24 см
Перевод издания: Grundmann Marius The physics of semiconductors/ An introduction including nanophysics and applications. -2nd ed. -Berlin, 2010
Примечания : Библиогр. - Предм.указ.
ISBN, Цена 978-5-9221-1394-6: 200.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.22
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие

19.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 89
Автор(ы) : Кузьминов, Юрий Сергеевич
Заглавие : Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития
Выходные данные : М.: Наука, 1987
Колич.характеристики :264 с.: рис.
Цена : 3.30 р.
ГРНТИ : 29.31.21 + 29.19.23 + 29.19.35 + 47.09.33
УДК : В379.2 + В379.3
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства физические
Нелинейная оптика-- Материалы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие

20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/К 89
Автор(ы) : Кузьминов, Юрий Сергеевич
Заглавие : Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной оптики
Выходные данные : М.: Наука, 1975
Колич.характеристики :223 с.: рис., табл.
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 217-223
Цена : 1.11 р.
ГРНТИ : 29.19.23 + 29.31.21
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства физические
Нелинейная оптика-- Материалы
Содержание : Физико-химические свойства метаниобата и метатанталата лития ; Получение монокристаллов метанилбата лития ; Электрические свойства метаниобата и метатанталата лития ; Электрооптический эффект в кристаллах метаниобата и метатанталата лития ; Воздействие лазерного излучения на монокристаллы LiNbO[[d]]2[[/d]] и LiTaO[[d]]3[[/d]] ; Генерация второй гармоники ; Зависимость оптических свойств метаниобата лития от технологичесикх параметров выращивания кристаллов ; Спектроскопия кристаллов ; Упругие и пьезооптические свойства
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие