1. 
| В37
Ф 94
Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов [и др.] ; отв. ред. Т. П. Смирнова ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии им. А.В. Николаева, Иркут. ин-т орган. химии им. А.Е. Фаворского, Ин-т физики полупроводн. им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - 175 с. : ил. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 37). - Авт. указ. на с.172. - Библиогр.: с. 156-171. - 330 экз. - ISBN 978-5-7692-1272-7 : 5.00 р.
Содержание:
Синтез и характеризация летучих комплексов металлов Ru, Ir, Cu, Ni с органическими лигандами
Новые реагенты для получения пленок карбонитрида кремния
Термодинамическое моделирование процессов осаждения из газовой фазы. Построение CVD-диаграмм
Осаждение металлических пленок Ru, Ir, Cu, Ni методом МО CVD
Разработка процессов получения двух- и трехкомпонентных оксидных пленок из β-дикетонатных комплексов металлов
От кремнийорганических соединений-предшественников к многофункциональным покрытиям из карбонитрида кремния
CVD-синтез пленок и покрытий на основе фаз системы D-C-N
Исследование химического состава пленок Si(B)C[[d]]x[[/d]]N[[d]]y[[/d]] методами РФЭС- и Оже-спектроскопии ББК В379.212.6 + З843.3
Рубрики:
Тонкие пленки полупроводниковые--Получение--Свойства физико-химические
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А.; Воронков, Михаил Григорьевич; Борисов, В. О.; Игуменов, И. К.; Смирнова, Т. П. \отв. ред.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт неорганической химии им А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Иркутский институт органической химии им. А.Е. Фаворского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН