Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Труды сотрудников ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>R=47.09.29$<.>)
Общее количество найденных документов : 75
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-75 
1.
   В37
   О-95


    Очирова, В. Б.
    База данных по структурным свойствам материалов, используемых для эпитаксиального роста пленок [Препринт] : препринт. № 764Ф / В. Б. Очирова, С. Г. Овчинников ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск : ИФ СО РАН, 1996. - 19 с. - Библиогр.: 4 назв. - 50 экз. -
ГРНТИ
ББК В375.14 + З852 + В379.226
Рубрики:
Кристаллы полупроводниковые--Рост
   Пленки полупроводниковые--Рост


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАНИнститут физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
Препр. (1)
Свободны: Препр. (1)}
Найти похожие
2.
   З84
   К 96


    Куэй, Р.
    Электроника на основе нитрида галлия : пер. с англ. / Р. Куэй ; пер.: Ю. А. Концевой, Е. А. Митрофанов ; ред. пер. А. Г. Васильев. - М. : Техносфера, 2011. - 587 с. - (Мир радиоэлектроники). - Библиогр. в конце глав - Библиогр.: с. 561-577 (159 назв.). - Предм. указ.: с. 578-587. - Пер. изд. : Gallium nitride electronics / Rudiger Quay. - Berlin ; Heidelberg, 2008. - 1000 экз. - ISBN 978-5-94836-296-0 : 1011.22 р.
ГРНТИ
ББК З843.3 + В379.2
Рубрики:
Полупроводниковые приборы--Материалы--Обзоры
   СВЧ-электроника--Материалы--Обзоры


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Концевой, Юлий Абрамович \пер.\; Митрофанов, Е. А. \пер.\; Васильев, А. Г. \ред. пер.\; Quay, Rudiger
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
3.
   В37
   К 79


   
    Кремний-2002 : совещ. по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, 9-12 июля 2002 г.: тез. докл. / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск : [б. и.], 2002. - 215 с. - 10.00 р.
ГРНТИ
ББК В371.2я431 + В379.2я431 + З843.312.08я431 + Г124.2я431 + Л253я431
Рубрики:
Кремний--Тонкие слои--Свойства--Структура
   Кристаллы--Рост--Свойства--Структура


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; "Кремний-2002", совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (9-12 июля 2002 г. ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
4.
   З85
   Ш 33


    Шварц, Саймон.
    Полупроводниковые схемы : справочник / С. Шварц ; пер. с англ. А. М. Егорова, М. Л. Гинзбург, И. М. Шенброта, под ред. Е. И. Мамонова. - М. : Изд-во иностр. лит., 1962. - Предм. указ.: с. 430 - 433. - Пер. изд. : Selected semiconductor circuits handrook / S. Schwartz. - 2.26 р.
    Содержание:
Усилители постоянного тока
Низкочастотные усилители
Высокочастотные усилители
Генераторы
Нелинейные схемы при малых сигналах
Переключательные схемы
Логические схемы
Магнитные и транзисторные схемы
Источники питания
Преобразователи мощности
ГРНТИ
ББК З852
Рубрики:
Схемотехника--Полупроводниковые приборы--Справочники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Егоров, А. М. \пер.\; Гинзбург, М. Л. \пер.\; Шенброт, И. М. \пер.\; Мамонов, Е. И. \ред. пер.\; Schwartz, S.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
5.
   Ж
   Т 66


    Трегулов, Вадим Викторович.
    Пористый кремний: технология, свойства, применение / В. В. Трегулов ; Мин-во образ. и науки РФ, Рязан. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань : Рязан. гос. ун-т, 2011. - 123 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 116-122. - 200 экз. - ISBN 978-5-88006-677-3 : 185.00 р.
    Содержание:
Технология изготовления пористого кремния
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния
ГРНТИ
ББК Ж362 + Л253.2 + В379.2
Рубрики:
Полупроводники--Свойства--Получение--Применение
   Кремний--Свойства--Получение--Применение

   Электроника--Материалы--Кремний


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Министерство образования и науки Российской Федерации; Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
6.
   В37
   М 40


   
    МДП-структуры / В. Ф. Сыноров [и др.] ; под ред. В. Ф. Сынорова. - Воронеж : Изд-во Воронеж. ун-та, 1975. - 226 с. - Библиогр. в конце глав. - 600 экз. - 0.75 р.
ГРНТИ
ББК В379.231.5
Рубрики:
Полупроводниковые приборы--Материалы

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Сыноров, В. Ф.; Ревелева, М. А.; Алейников, Н. М.; Чистов, Ю. С.; Фетисова, С. В.; Сыноров, В. Ф. \ред.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
7.
   В37
   П 53


   
    Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы : материалы VII Всесоюз. симпозиума. Ч. 1 / Львов. ун-т им. И. Франко ; [ред. совет: В. Г. Средин (пред.)]. - Львов : [б. и.], 1986. - 204 с. : граф. - Загл. обл. : VII Всесоюзный симпозиум. - Библиогр. в конце ст. - 400 экз. - 0.65 р.
ГРНТИ
ББК В379.2я43
Рубрики:
Полупроводники узкозонные--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Средин, В. Г. \ред.\; Львовский государственный университет им. И. Франко"Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы", всесоюзный симпозиум (7 ; [1986] ; Львов)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
8.
   В37
   П 53


   
    Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы : материалы VII Всесоюз. симпозиума. Ч. 2 / Львов. ун-т им. И. Франко ; [ред. совет: В. Г. Средин (пред.)]. - Львов : [б. и.], 1986. - 226 с. : граф., фот. - Загл. обл. : VII Всесоюзный симпозиум. - Библиогр. в конце ст. - 400 экз. - 0.65 р.
ГРНТИ
ББК В379.2я43
Рубрики:
Полупроводники узкозонные--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Средин, В. Г. \ред.\; Львовский государственный университет им. И. Франко"Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы", всесоюзный симпозиум (7 ; [1986] ; Львов)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
9.
   В7
   М 59


   
    Микросенсорика (материалы и элементная база) : [сб. статей] / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т сенсорн. микроэлектроники ; отв. ред. В. В. Болотов. - Омск : ОмГПУ, 2000. - 261 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - 150 экз. - 80.00 р.
    Содержание:
Самоорганизация квантовых объектов
Корреляционные эффекты в полупроводниковых соединениях типа AIIIBV
Новые информационные технологии в медицине
Микроэлектронные сенсорные структуры для экологического мониторинга
Получение и исследование свойств гетеро-структур при воздействии плазмы
Структурно-фазовые превращения и модификация свойств гетерогенных материалов пучками заряженных частиц
Исследование высокотемпературных сверхпроводников
ГРНТИ
ББК В371я43 + З843.3я43


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Болотов, В. В. \ред.\; Российская академия наукСибирское отделение РАН; Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
10.
   В37
   П 53


   
    Полуметаллы и узкозонные полупроводники и приборы на их основе : [сб. статей] / АН МССР, Ин-т прикладной физики ; [ред. кол.: С. И. Радауцан (отв. ред.) и др.]. - Кишинев : Штиинца, 1983. - 181 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - 2.00 р.
ГРНТИ
ББК В379.2я43 + З843.3я43 + З852я43
Рубрики:
Полупроводники узкозонные--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Радауцан, Сергей Иванович \ред.\; Академия наук Молдавской ССРИнститут прикладной физики АН Молдавской ССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
11.
   Г2
   О-64


   
    Органические полупроводники / Акад. наук СССР, Ин-т нефтехим. синтеза им. А.В. Топчиева, Ин-т полупроводников ; отв. ред. А. В. Топчиев. - М. : Изд-во АН СССР, 1963. - 318 с. : граф., рис., табл. - Библиогр. в конце глав. - 7300 экз. - 1.51 р.
    Содержание:
Некоторые сведения из электронной теории кристаллов
Теплопроводность полупроводников
Статистика электронов в полупроводниках
Термоэлектрические явления
Гальваномагнитные явления
Внутренний фотоэффект
Контактные явления
Основные представления об электронном строении молекул органических полупроводниковых соединений
Электропроводность низкомолекулярных органических полупроводников
Фотопроводимость низкомолекулярных органических полупроводников
Молекулярные комплексы
Современные представления о полимерных веществах и возможности реализации в них проводимости
Получение полупроводниковых полимеров
Электрические свойства полимерных полупроводников
ГРНТИ
ББК Г214 + В379 + Л719.7
Рубрики:
Полупроводники органические--Свойства физико-химические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Стильбанс, Л. С.; Розенштейн, Л. Д.; Айрапетянц, А. В.; Каргин, В. А.; Кренцель, Б. А.; Давыдов, Б. Э.; Топчиев, Александр Васильевич; Топчиев, Александр Васильевич \ред.\; Академия наук СССР; Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева АН СССР; Институт полупроводников АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
12.
   В37
   Н 76


   
    Новые полупроводниковые материалы. Физико-химические и технологические вопросы получения полупроводниковых соединений группы AIIIBV : сб. перевод. статей / ред. пер. А. Я. Нашельский. - М. : Металлургиздат, 1964. - 272 с. - Библиогр. в конце ст. - 5200 экз. - 1.77 р.
    Содержание:
Физико-химические исследования
Фольберт, О. / О. Фольберт
Бумгард, ван ден Дж. / ван ден Дж. Бумгард, К. Шол
Вейсер, Курт. / К. Вейсер
Реннер, Т. / Т. Реннер
Кэфалс, Ж. / Ж. Кэфалс, Х. Гатос, М. Баттон
Примеси и источники загрязнения
Хилсам, Ч. / Ч. Хилсам
Найт, Д. / Д. Найт
Найт, Д. / Д. Найт
Фрош, Ч. / Ч. Фрош
Кохран, Ч. / Ч. Кохран
Экстром, Л. / Л. Экстром
ч. Рост кристаллов и структурные исследования / ч
Ричардс, Д. / Д. Ричардс
Уиланд, Л. / Л. Уиланд
Стамбау, Е. / Е. Стамбау
Оллред, У. / У. Оллред
Маллин, Д. / Д. Маллин
Фэйст, Д. / Д. Фэйст
я. Технология и аппаратура / я
Вейсберг, Л. В. / Л. В. Вейсберг
Фрош, Ч. / Ч. Фрош
Каннел, Ф. / Ф. Каннел
Халм, К. / К. Халм
Оллред, В. / В. Оллред
Каннел, Ф. / Ф. Каннел
Уикхам, Т. / Т. Уикхам
Косвенные методы получения полупроводниковых соединений
ГРНТИ
ББК З233я43 + В379я43 + З851я43
Рубрики:
Полупроводниковые материалы--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Нашельский, Александр Яковлевич \ред. пер.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
13.
   В37
   К 79


   
    Кремний : сборник статей : пер. с англ. / пер. Б. А. Колачев ; ред. пер. Д. А. Петров. - М. : Изд-во иностр. лит., 1960. - 436 с. - Библиогр. в конце ст. - 1.92 р.
    Содержание:
Производство и применение кремния
Получение чистого кремния
Структурные несовершенства монокристаллов кремния
Свойства кремния
Термическая обработка кремния
Растворимость и диффузия примесей в кремнии
Сплавы кремния с германием
ГРНТИ
ББК В379.2я44
Рубрики:
Полупроводниковые материалы--Кремний--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Колачев, Б. А. \пер.\; Петров, Дмитрий Андреевич \ред. пер.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
14.
   В37
   Ф 50


   
    Физика полупроводников и полупроводниковая электроника : сб. ст. Вып. 2 / Сарат. гос. ун-т ; под ред. З. И. Кирьяшкиной и Л. И. Барановой. - Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 1968. - 109 с. : граф., рис., фот. - Библиогр. в конце ст. - 1000 экз. - 0.67 р.
    Содержание:
Баранов, Л. И. О возможности использования p-n-n+-диода для управления СВЧ мощностью в дециметровом диапазоне b-коаксильном тракте / Л. И. Баранов
Баранов, Л. И. Полупроводниковый модулятор 8-миллиметрового диапазона длин волн / Л. И. Баранов
Баранов, Л. И. К вопросу о распределении носителей и изменении времени жизни в базовой области p-n-n+-диода в эффектах объединения / Л. И. Баранов
Биленко, Д. И. Определение электрофизических параметров полупроводниковых материалов на основе интегрального отражения в субмиллиметровом диапазоне длин волн / Д. И Биленко, Б. А. Дворкин
Биленко, Д. И. Исследование однородности полупроводниковых слоев на основе интегрального поглощения / Д. И Биленко, В. А. Лодгауз
Биленко, Д. И. Зависимость теплового излучения полупроводников от концентрации свободных носителей заряда / Д. И Биленко, В. Д. Ципоруха
Вдовин, О. С. Получение, структура и некоторые электрические свойства пленок двуокиси титана / О. С. Вдовин
Вилисова, М. Д. Детектирующие свойства точечного контакта на поликристаллических пленках арсенида галлия в диапазонах СВЧ / М. Д. Вилисова, В. К. Демидов
Капшталь, Г. Г. Исследование анизотропии электропроводности ванадиевых бронз натрия, лития, серебра и меди / Г. Г. Капшталь, З. И Орнатская
Кирьяшкина, З. И. Исследование фотоэлектрических, оптических и структурных свойств пленок CdSx, Se1-x легированных хлоридами металлов / З. И. Кирьяшкина, А. Г. Роках
Кирьяшкина, З. И. Некоторые свойства многоэлементных фоторезисторов на основе пленок CdSx, Se1-x при высоких уровнях возбуждения / З. И. Кирьяшкина, А. Г. Роках
Кирьяшкина, З. И. Исследование вольт-амперных характеристик пленочных структур металл-окись цинка-металл / З. И. Кирьяшкина, А. М. Свердлова
Кирьяшкина, З. И. Об эквивалентной схеме точечного контакта СВЧ диода / З. И. Кирьяшкина
Климов, Б. Н. О влиянии ультразвука на некоторые свойства сплавных контактов металл-полупроводник / Б. Н. Климов, В. А. Маслов
ГРНТИ
ББК В379я43 + З851я43 + З233я43
Рубрики:
Полупроводниковые материалы--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кирьяшкина, З. И. \ред.\; Баранов, Л. И. \ред.\; Саратовский государственный университет
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
15.
   З85
   S78


   
    Spintronics: materials, applications and devices / eds.: G. C. Lombardi, G. E. Bianchi. - New York : Nova science publ., 2009. - X,251 p. : ill. ; 26 cm. - Bibliogr. at the end of the chapters - Ind. - Ind.: p. 245-251. - ISBN 978-1-60456-734-2 : 211.00 р.
Перевод заглавия: Спинтроника: материалы, применения и устройства
   Перевод заглавия: Спинтроника: материалы, применения и устройства
ГРНТИ
ББК З852-01 + В379.23
Рубрики:
Спинтроника--Материалы--Свойства электромагнитные
   Spintronics--Materials--Properties


оглавление
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Lombardi, Giulia C. \ed.\; Bianchi, Ginevra E. \ed.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие
16.
   Л
   Б 74


    Богуславский, Леонид Исаакович.
    Органические полупроводники и биополимеры. Электропроводность и физико-химические свойства / Л. И. Богуславский, А. В. Ванников ; отв. ред Л. С. Стильбанс ; Акад. наук СССР, Ин-т электрохимии. - М. : Наука, 1968. - 180 с. : ил., табл. - 89.00 р.
    Содержание:
Получение, конструктивные свойства и основные электрические характеристики органических полупроводников
Фотопроводимость полупроводников
Связь между электрическими и парамагнитными характеристиками полимерных полупроводников
Механизм проводимости в органических полупроводниках
Поверхность органических полупроводников
Органические полупроводники как катализаторы
Биология и органические полупроводники
Перспективы применения
ГРНТИ
ББК Л719.7 + Г214 + З232.6
Рубрики:
Полупроводники органические--Свойства физико-химические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ванников, Анатолий Вениаминович; Стильбанс, Л. С. \отв. ред.\; Академия наук СССР; Институт электрохимии АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
17.
   З85
   Ф 63


    Фистуль, Виктор Ильич.
    Сильно легированные полупроводники / Виктор Ильич Фистуль. - М. : Наука, 1967. - 415 с. : рис., табл. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 397-415. - 1.49 р.
    Содержание:
Энергетический спектр электронов
Статистическая физика носителей заряда
Кинетические явления
Оптические свойства
Поведение легирующих примесей
Получение
Некоторые применения
ГРНТИ
ББК З852 + В379.212.2
Рубрики:
Полупроводники--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
18.
   В37
   H99


    Школа по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники (4 ; 1984 ; июнь ; 30 мая- 12 июня ; Красноярск / Шушенское).
    IV Школа по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники : г. Красноярск, 30 мая-12 июня 1984 г. : тезисы докл. / Акад. наук СССР [и др.]. - Новосибирск : [б. и.], 1984. - 190 с. - 300 экз. - Б. ц.
    Содержание:
Физико-химические основы новых методов получения кристаллов, пленок и многослойных структур, в том числе: сухой вакуумной литографии субмикронного разрешения, молекулярной эпитаксии, ионно-лучевых и плазмохимических
Состояние и перспективы использования различных классов материалов и предъявляемые к ним требования
Структура и химическое состояние веществ на границах раздела слоев многослойных структур
Новые методы изучения физико-химических параметров материалов электронной техники: формулировка критериев и разработка методов оценки функциональной пригодности материала, учет роли дефектной структуры. Успехи в автоматизации методов комплексного изучения свойств материалов
ГРНТИ
ББК В379.2я54 + З852я54
Рубрики:
Электроника--Материалы--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Научный совет по проблеме "Физико-химические основы полупроводникового материаловедения" АН СССР. Сибирская секция материаловедения полупроводников и твердотельных структур; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР; Красноярский институт цветных металлов
Экземпляры всего: 2
КФ (1), РСФ (1)
Свободны: КФ (1), РСФ (1)}
Найти похожие
19.
   З85
   Ф 81


   
    Фотоника-2011 : тезисы докладов / Рос. акад. наук, Науч. совет по проблеме "Квантовые наноструктуры", Рос. фонд фундамент. исслед., Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников. Рос. конф. и школа по актуальным пробл. полупроводниковой нанофотоэлектроники ; сопред. прогр. ком.: А. Л. Асеев, С. Н. Мазуренко ; зам. пред. прогр. ком. А. В. Двуреченский. - Новосибирск : Ин-т физ. полупровод. СО РАН, 2011. - 158 с. - Алф. указ.: с. 149-152 - Список участников. - 60.00 р.
Посв. памяти чл.-корр. РАН К.К. Свиташева
ГРНТИ
ББК З854я431
Рубрики:
Фотоэлектроника полупроводниковая--Сборники
   Наноструктуры--Фотоэлектроника--Сборники


Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Асеев, Александр Леонидович \сопред. прогр. ком.\; Мазуренко, Сергей Николаевич \сопред. прогр. ком.\; Двуреченский, А. В. \зам. пред. прогр. ком.\; Российская академия наук; Научный совет РАН по проблеме "Квантовые наноструктуры"; Российский фонд фундаментальных исследованийСибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых) (22-26 августа 2011 г. ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
20.
   В37
   Э 45


   
    Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / [Л.П. Казакова и др.] ; отв. ред. К. Д. Цэндин ; Рос. акад. наук. Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - СПб. : Наука, 1996. - 486 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 500 экз. - ISBN 5-02-024812-6 : 31000.00 р.
    Содержание:
Атомная и электронная структура
Примесные и дефектные электронные состояния в легированных ХСП
Мёссбауэровские исследования атомной и электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
Дрейф носителей заряда в халькогенидных стеклах
Фотопрооводимость в халькогенидах
Эффект переключения в ХСП
Динамика эффекта переключения в ХСП
Локальное легирование эффект памяти в ХСП
Особенности оптических свойств ХСП
Фотоиндуцированная метастабильность в ХСП
Фотолегирование ХСП
ГРНТИ
ББК В379.231 + В379.212.4 + З843.3


Смотреть книгу
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Казакова, Л. П.; Лебедев, Э. А.; Сморгонская, Э. А.; Цэндин, К. Д.; Цэндин, К. Д. \отв. ред.\; Российская академия наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие
 1-20    21-40   41-60   61-75 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)