Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>A=Стильбанс, Лазарь Соломонович$<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 80
Автор(ы) : Стильбанс, Лазарь Соломонович
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1967
Колич.характеристики :451 с
Примечания : Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Основные свойства полупроводников ; Некоторые сведения о строении атома ; Энергия и движение электрона в твердом теле ; Электропроводность полупроводников ; Теплопроводность полупроводников ; Контактные явления ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Фотопроводимость ; Строение кристаллов ; Некоторые вопросы квантовой теории ; Геометрия кристаллической решетки ; Дефекты в кристаллах ; Тепловые колебания в кристаллах ; Теплоемкость ; Основные представления электронной теории кристаллов ; Адиабатическое приближение ; Одноэлектронное приближение ; Приближение почти свободных электронов ; Приближение сильно связанных электронов ; Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Некоторые понятия статистики и термодинамики ; Распределение Ферми ; Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках ; Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение ; Некоторые вопросы теории явлений переноса ; Элементарный расчет электропроводности и подвижности ; Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации) ; Феноменологический анализ явлений переноса ; Вычисление времени релаксации ; Явления в сильных электрических полях ; Термоэлектрические явления и теплопроводность ; Термоэлектродвижущая сила ; Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Увлечение электронов фононами ; Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Электронная теплопроводность ; Теплопроводность кристаллической решетки ; Фотонная теплопроводность ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле ; Эффект Эттингсгаузена ; Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях ; Термомагнитные явления ; Контактные явления ; Контакт полупроводника и металла ; Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) ; Диодная теория Бете ; Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) ; Теория p-n-перехода ; Оптические свойства полупроводников ; Поглощение света ; Фотопроводимость ; Фотовольтаические эффекты ; Циклотронный резонанс ; Стимулированное излучение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Найти похожие