Поисковый запрос: (<.>S=Полупроводники -- Физика<.>) |
Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 18 |
1. 
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/П 53
Заглавие : Полупроводники
: сб.
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1962
Колич.характеристики :667 с.:
ил.
Перевод издания: Semiconductors. -London
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ. имен: с. 641-652. - Предм. указ.: с. 653-663
Цена : 4.23, р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г52 + Г116.7 + Г214
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Полупроводники-- Физическая химия
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Г 18
Автор(ы) : Гаман В. И.
Заглавие : Физика полупроводниковых приборов
: учеб. пособие
Выходные данные : Томск: Изд-во НТЛ, 2000
Колич.характеристики :426 с
Цена : 110.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : З852я73
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Приборы оптоэлектронные-- Физические основы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
3.
|
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 18
Автор(ы) : Данлэп У.
Заглавие : Введение в физику полупроводников
: пер. с англ.
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1959
Колич.характеристики :430 с.:
ил.
Примечания : Библиогр. в конце глав
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры :
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/И 75
Автор(ы) : Иоффе, Абрам Федорович, Калашников, Сергей Григорьевич
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Изд-во АН СССР, 1957
Колич.характеристики :491 с.:
ил.
Коллективы :
Академия наук СССР
Примечания : Библиогр.: с. 486-487. - 1-е изд. вышло под загл. : Полупроводники в современной физике
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры : всего : КФ(1), Музей(1)
Свободны : Музей(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В3/К 19
Автор(ы) : Канер, Эмануил Айзикович
Заглавие : Избранные труды
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1989
Колич.характеристики :551 с.:
ил.
+ 1 л. портр.
Коллективы :
Академия наук Украинской ССР, Институт радиофизики и электроники АН Украинской ССР
Примечания : Список науч. работ Э. А. Канера: с. 542-549 (179 назв.). Библиогр. в конце работ. - Рез.: англ.
ISBN, Цена 5-12-000840-2: 9.20 р.
ГРНТИ : 53.49
ББК : В379.2я44 + К2я44
Предметные рубрики: Металлы-- Физика
Полупроводники-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 61
Автор(ы) : Соминский, Монус Самуилович
Заглавие : Полупроводники
Выходные данные : М.: Физматгиз, 1961
Колич.характеристики :415 с
Примечания : Библиогр.: с. 412-414
:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379 + З233
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры : всего 1: Музей(1)
Свободны : Музей(1)
Найти похожие
|
7.
|
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/S43
Автор(ы) : Seeger, Karlheinz
Заглавие : Semiconductor physics
: an introduction
. -2nd corr. and updated ed.
Выходные данные : Berlin; New York: Springer-Verlag, 1982
Колич.характеристики :XII с.:
il.; 24 cm; 462 с
Серия: Springer series in solid-state sciences, ISSN 0171-1873; Vol. 40
Примечания : References: p. 435-456. - Subject ind.: p. 457-462
ISBN, Цена 3-540-11421-1:
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Semiconductors
Полупроводники-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Ш 18
Автор(ы) : Шалабутов, Юрий Константинович
Заглавие : Введение в физику полупроводников
Выходные данные : Л.: Наука, Ленингр. отд-ние, 1969
Колич.характеристики :292 с.:
рис., граф.
Коллективы :
Академия наук СССР
Примечания : Библиогр.: с. 284-289 (225 назв.)
Цена : 1.51 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая решетка и связанные с ней свойства твердого тела ; Электронные процессы в кристаллах и связанные с ними свойства твердых тел ; Элементы зонной теории твердых тел ; Распределение электронов в твердом теле по энергетическим состояниям в условиях теплового равновесия ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические явления в полупроводниках ; Магнитные явления в твердых телах. Резонансные магнитные явления в полупроводниках ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках ; Контактные явления в полупроводниках ; Взаимодействие излучения с полупроводниками ; Фотопроводимость
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/В 88
Автор(ы) : Вул, Бенцион Моисеевич
Заглавие : Физика диэлектриков и полупроводников
: избранные труды
: Избранные труды
Выходные данные : М.: Наука, 1988
Колич.характеристики :271 с.:
ил., 1 л.портр.
Коллективы :
Академия наук СССР, Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
ISBN, Цена 5-02-000071-X: 6.30 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.33
ББК : В379 + В379.231.6
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Диэлектрики-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Ф 83
Автор(ы) : Франк, Гельмар, Шнейдар, Вацлав
Заглавие : Полупроводниковые приборы
Выходные данные : Прага: Гостехиздат, 1960
Колич.характеристики :570 с.:
рис., фот.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570
Цена : 1.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 + 47.01.33
ББК : З852я73 + В379
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Физические основы кристаллических приборов ; Кристаллическая структура полупроводников ; Зонная модель ; Электроны и дырки в гомогенном кристалле ; Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках ; Физические основы транзисторов ; Кристаллические фотоэлементы ; Влияние магнитного поля на полупроводник ; Влияние температуры на свойства полупроводников ; Поверхностные явления ; Полупроводниковый материал для кристаллических приборов ; Химическая очистка ; Зонная плавка ; Вытягивание монокристаллов ; Рекристаллизация (вплавление) ; Диффузия доноров и акцепторов ; Обработка германия и кремния ; Свойства германия и кремния ; Измерение основных параметров полупроводниковых материалов ; Ориентировка кристаллов ; Измерение проводимости и подвижности ; Энергетические уровни в запретной зоне ; Термоэлектрическое явление ; Измерение оптических параметров ; Измерение времени жизни основных носителей ; Двухэлектродные полупроводниковые приборы ; Кристаллические триоды и их свойства ; Основные параметры транзистора в качестве усилителя ; Дуальность транзистора и вакуумного триода ; Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах ; Измерение основных параметров транзистора ; Построение статических характеристик ; Измерение параметров rik и hik ; Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности ; Определение стабильности в режиме короткого замыкания ; Измерение предельной частоты ; Измерение емкости коллектора и эмиттера ; Измерение шума транзистора ; Определение импульсных свойств транзистора ; Кристаллические тетроды ; Обзор наиболее распространенных типов транзисторов ; Техника усилителей на транзисторах ; Цепи смещения транзисторов ; Однокаскадные низкочастотные усилители ; Многокаскадные усилители ; Высокочастотные усилители ; Основы генераторов на транзисторах ; Переключающие схемы и формирование импульсов
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 13
Автор(ы) : Маделунг, Отфрид
Заглавие : Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп
Выходные данные : М.: Мир, 1967
Колич.характеристики :477 с.:
рис.
Перевод издания: Madelung, Otfried Physics of III-V compounds
Примечания : Вспом. указатели: с. 462-473. -Библиогр.: с. 414-461
Цена : 2.14 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Теоретические основы ; Оптические свойства соединений АIIIВV ; Явления переноса ; Примеси и дефекты ; Кристаллы твердых растворов и тройных соединений ; Различные физические свойства ; Обобщение и обсуждение основных свойств соединений АIIIВV
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Х 45
Автор(ы) : Хилсум К., Роуз-Инс А.
Заглавие : Проводники типа A[[d]]III[[/d]]B[[d]]V[[/d]]
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1963
Колич.характеристики :324 с.:
рис.
Перевод издания: Hilsum C. Semiconducting III-V compounds/ C. Hilsum, A. C. Rose-Innes
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Доп. лит.: с. 305-320
Цена : 1.24 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2 + Г123 + Г124 + Г125 + Г523 + З233
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Кристаллическая структура и химическая связь ; Свойства структуры цинковой обманки ; Следствия отсутствия инверсионной симметрии плоскости ; Пьезоэлектрический эффект ; "Ионность" связи ; Расположение атомов ; Скалывание ; Инфракрасное поглощение на колебаниях решетки ; Спин-орбитальное расщепление ; Ширина запрещенной зоны ; Электроотрицательность. Выводы о характере связи ; Зонная структура ; Значение зонной структуры ; Теория зонной структуры ; Симметрия ; Спин-орбитальные эффекты ; Одномерная модель ; Метод возмущений Германа ; Циклотронный резонанс и диамагнитный эффект Ландау ; Зонная структура антимонида индия ; Зона проводимости ; Валентная зона ; Зонная структура арсенида индия ; Зонная структура антимонида галлия ; Зонная структура арсенида галлия ; Зонная структура фосфида галлия ; Зонная структура антимонида алюминия ; Зонная структура нитрида бора ; Общий обзор энергетических схем соединений III-V ; Примеси и дефекты ; Доноры и акцепторы ; Водородоподобная модель примесей ; Антимонид индия ; Донорные примеси ; Акцепторные уровни ; Примесная зона ; Арсенид индия ; Фосфид индия ; Антимонид галлия ; Арсенид галлия ; Фосфид галлия ; Антимонид алюминия ; Смешанные кристаллы ; Диффузия ; Дислокационные трещины ; Получение соединений III-V ; Образование соединений ; Очистка элементов ; Методы получения ; Аппаратура ; Остаточные примеси ; Очистка бестигельной зонной плавкой ; Электрические свойства ; Процессы рассеяния ; Рассеяния на акустических колебаниях решетки ; Рассеяния на оптических колебаниях решетки ; Рассеяния на примесях ; Рассеяния на носителях ; Подвижность в соединениях III-V ; Характерные черты переноса носителей ; Следствия большого отношения подвижностей ; Электрических свойств от магнитного поля ; Оптические и фотоэлектрические свойства ; Край полосы поглощения ; Роль свободных носителей ; Поглощение на колебаниях решетки ; Показатель преломления ; Фотоэлектрические явления ; Механизмы рекомбинации ; Измерение времени жизни ; Эмиссия излучения ; Применения ; Применения переходов ; Диоды с переменной емкостью ; Микроволновые детекторы ; Коммутирующие диоды ; Туннельные диоды ; Транзисторы ; Применения гальваномагнитных эффектов ; Магнетометр, основанный на эффекте Холла ; Измеритель магнитной восприимчивости ; Измерение электрического тока и мощности ; Умножитель на основе на эффекте Холла ; Усилитель на основе на эффекте Холла ; Магниторезистивные генератор и усилитель ; Магниторезистивный датчик перемещения ; Оптические применения ; Инфракрасные фотоэлементы ; Солнечные батареи ; Оптические фильтры
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : З85/Ф 63
Автор(ы) : Фистуль, Виктор Ильич
Заглавие : Сильно легированные полупроводники
Выходные данные : М.: Наука, 1967
Колич.характеристики :415 с.:
рис., табл.
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 397-415
Цена : 1.49 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.09.29
ББК : З852 + В379.212.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Энергетический спектр электронов ; Статистическая физика носителей заряда ; Кинетические явления ; Оптические свойства ; Поведение легирующих примесей ; Получение ; Некоторые применения
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 80
Автор(ы) : Стильбанс, Лазарь Соломонович
Заглавие : Физика полупроводников
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1967
Колич.характеристики :451 с
Примечания : Библиогр.: с. 441-442. - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Основные свойства полупроводников ; Некоторые сведения о строении атома ; Энергия и движение электрона в твердом теле ; Электропроводность полупроводников ; Теплопроводность полупроводников ; Контактные явления ; Термоэлектрические явления ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Фотопроводимость ; Строение кристаллов ; Некоторые вопросы квантовой теории ; Геометрия кристаллической решетки ; Дефекты в кристаллах ; Тепловые колебания в кристаллах ; Теплоемкость ; Основные представления электронной теории кристаллов ; Адиабатическое приближение ; Одноэлектронное приближение ; Приближение почти свободных электронов ; Приближение сильно связанных электронов ; Основные особенности структуры энергетических зон полупроводников ; Статистика электронов в полупроводниках ; Некоторые понятия статистики и термодинамики ; Распределение Ферми ; Статистика невырожденного электронного газа в полупроводниках ; Энергия электронов в зоне проводимости, вырождение ; Некоторые вопросы теории явлений переноса ; Элементарный расчет электропроводности и подвижности ; Кинетическое уравнение (учет энергетической зависимости времени релаксации) ; Феноменологический анализ явлений переноса ; Вычисление времени релаксации ; Явления в сильных электрических полях ; Термоэлектрические явления и теплопроводность ; Термоэлектродвижущая сила ; Вывод коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Увлечение электронов фононами ; Зависимость коэффициента термо-э. Д. С. от температуры и концентрации носителей ; Электронная теплопроводность ; Теплопроводность кристаллической решетки ; Фотонная теплопроводность ; Гальваномагнитные и термомагнитные явления ; Эффект Холла и изменение сопротивления в магнитном поле ; Эффект Эттингсгаузена ; Гальваномагнитные явления в сильных магнитных полях ; Термомагнитные явления ; Контактные явления ; Контакт полупроводника и металла ; Диффузионная теория выпрямления Мотта (химический барьерный слой на границе металла с полупроводником) ; Диодная теория Бете ; Теория физического запорного слоя (теория истощения Шоттки) ; Теория p-n-перехода ; Оптические свойства полупроводников ; Поглощение света ; Фотопроводимость ; Фотовольтаические эффекты ; Циклотронный резонанс ; Стимулированное излучение
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
ссылка на полный текст,
http://www.twirpx.com/file/125766/
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г5/С 98
Автор(ы) : Сюше Ж. П.
Заглавие : Физическая химия полупроводников
Выходные данные : М.: Металлургия, 1964
Колич.характеристики :195 с
Перевод издания: SUCHET J. P. CHIMIE PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
Примечания : Библиогр.: с. 190-195 (196 назв.)
Цена : 0.80 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : Г523
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Содержание : Повторение некоторых понятий об атоме и кристалле ; Периодическая классификация элементов ; Типы внутриатомных связей ; Орбитальные функции и гибридизация ; Кристаллическая структура и ионная координация ; Ковалентная координация и явление резонанса ; Основные механизмы полу проводимости ; Дефекты и примеси. Обозначение Риза ; Образование и свойства окрашенных центров ; Свойства легированных ковалентных кристаллов ; Электронно-дырочный переход и его практическое значение ; Общий случай неорганических соединений ; Взаимодействие между дефектами. Частные решетки ; Диффузия дефектов и примесей ; Заряженные атомные пары элементов ; Кислород в кремнии ; Взаимодействие дефектов в соединениях ; Решетки частные и решетки компенсированные ; Правила предсказания полупроводимости ; Правило Музера и Пирсона и его истоки ; Критика и распространение этого правила ; Ковалентное обозначение и правила сродства ; Общая классификация полупроводников ; Соединения переходных элементов ; Окислы переходных металлов ; Керамические полупроводниковые окислы ; Магнетит. Индукция валентности ; Полупроводниковые магнитные ферриты ; Гранулярные структуры с поверхностными слоями ; Энергия активации и ее расчет ; Энергия активации и зонная теория ; Ионные радиусы и «радиусы» ковалентные ; Электрсютрицательность и ионный характер ; Доля Е2 и расчет Е0 ; Подвижность носителей тока и ее расчет ; Расстояние носителей и ионный аспект ; Поляризация и степень модуляции ; Расчет эффективного заряда атомов ; Вычисление электронной подвижности ; Некоторые выводы ; Органические полупроводники ; Молекулярные органические кристаллы ; Двойные связи и Я-электроны ; Компенсированные органические 'решетки ; Пластические материалы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 87
Автор(ы) : Дыкман, Исаак Маркович, Томчук, Петр Михайлович
Заглавие : Явления переноса и флуктуации в полупроводниках
: учебник
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1981
Колич.характеристики :320 с.:
ил.
Коллективы :
Академия наук Украинской ССР, Институт физики АН Украинской ССР
Примечания : Библиогр.: с. 304-318 (352 назв.)
:
ГРНТИ : 29.19.09 + 29.19.31
ББК : В379.25
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Д 94
Автор(ы) : Дэвис Д. А.
Заглавие : Волны, атомы и твердые тела
: пер. с англ.
Выходные данные : Киев: Наукова думка, 1981
Колич.характеристики :283 с
Перевод издания: Davies D. A. Waves, atoms and solids
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 272-283
Цена : 3.00 р.
ГРНТИ : 29.19.23 + 29.19.09 + 29.19.31
ББК : В371
Предметные рубрики: Твердое тело-- Свойства теплофизические
Твердое тело-- Свойства электрические
Полупроводники-- Физика
Экземпляры : всего : КФ(2)
Свободны : КФ(2)
Найти похожие
|
18.
|
(Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 90
Автор(ы) : Грундман, Мариус
Заглавие : Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения
: пер. с англ.
. -2-е изд.
Выходные данные : М.: Физматлит, 2012
Колич.характеристики :771 с.
+ 24 см
Перевод издания: Grundmann Marius The physics of semiconductors/ An introduction including nanophysics and applications. -2nd ed. -Berlin, 2010
Примечания : Библиогр. - Предм.указ.
ISBN, Цена 978-5-9221-1394-6: 200.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.19.22
ББК : В379.2
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
|
|
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Стандартный
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН