Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>S=Приборы полупроводниковые -- Физические основы<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Л 33
Автор(ы) : Лебедев, Александр Иванович
Заглавие : Физика полупроводниковых приборов
Выходные данные : М.: Физматлит, 2008
Колич.характеристики :487 с
Примечания : Библиогр. 356 назв. - Предм. указ.
ISBN, Цена 978-5-9221-0995-6: 310.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.03.05 + 47.03.10 + 47.33.33 + 47.33.29
ББК : З852
Предметные рубрики: Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Приборы оптоэлектронные-- Физические основы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Г 18
Автор(ы) : Гаман В. И.
Заглавие : Физика полупроводниковых приборов : учеб. пособие
Выходные данные : Томск: Изд-во НТЛ, 2000
Колич.характеристики :426 с
Цена : 110.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : З852я73
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Приборы оптоэлектронные-- Физические основы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/З-59
Автор(ы) : Зи С. М.
Заглавие : Физика полупроводниковых приборов : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Энергия, 1973
Колич.характеристики :655 с.: ил.
Перевод издания: Sze C. M. Physics of semiconductor devices
Примечания : Библиогр.: с. 612-651
Цена : 2.26 р.
ГРНТИ : 47.03.05
ББК : З852-01
Предметные рубрики: Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
4.


    (Свободных экземпляров нет)
Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/О-35
Автор(ы) : Овчаренко Н. И.
Заглавие : Гальваномагнитные явления в полупроводниках и их техническое использование
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1961
Колич.характеристики :100 с
Примечания : Библиогр.: с. 95-98
Цена : 0.14 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 55.22.19
ББК : В379.234 + З233
Предметные рубрики: Полупроводники-- Свойства гальваномагнитные
Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Экземпляры :КФ(1)
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Ф 34
Автор(ы) : Федотов, Яков Андреевич
Заглавие : Основы физики полупроводниковых приборов . -2-е изд., испр. и доп.
Выходные данные : М.: Сов. радио, 1969
Колич.характеристики :592 с.: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 581 (24 назв.). - Предм. указ. 583 - 588
Цена : 1.28 р.
ГРНТИ : 47.03.05
ББК : З852-01я73
Предметные рубрики: Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Г 70
Автор(ы) : Городецкий, Александр Фомич, Кравченко, Александр Филиппович, Самойлов, Евгений Михайлович
Заглавие : Основы физики полупроводников и полупроводниковых приборов
Выходные данные : Новосибирск: Наука, Сиб. отд-ние, 1966
Колич.характеристики :350 с.: ил.
Коллективы : Академия наук СССР, Сибирское отделение АН СССР
Примечания : Библиогр. в конце гл.
Цена : 1.98 р.
ГРНТИ : 29.19.31
ББК : З852 + В379.2
Предметные рубрики: Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Структура твердых тел ; Основы квантовой теории твердых тел ; Тепловые свойства твердых тел ; Несовершенства в кристаллах ; Статистика электронов в полупроводниках ; Электропроводность полупроводников ; Термоэлектрические и гальваномагнитные явления ; Контактные явления ; Полупроводниковые материалы ; Приборы, основанные на зависимости сопротивления полупроводников от освещения ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (диоды) ; Приборы, основанные на свойствах электронно-дырочного перехода (фотогальванические элементы) ; Приборы, основанные на двух и более электронно-дырочных переходах ; Приборы, основанные на явлении Холла ; Приборы, основанные на термоэлектрических явлениях ; Приборы, основанные на эффекте сильного поля ; Приборы, основанные на тензорезистивном эффекте
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : З85/Ф 83
Автор(ы) : Франк, Гельмар, Шнейдар, Вацлав
Заглавие : Полупроводниковые приборы
Выходные данные : Прага: Гостехиздат, 1960
Колич.характеристики :570 с.: рис., фот.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 567-570
Цена : 1.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 47.33 + 47.01.33
ББК : З852я73 + В379
Предметные рубрики: Полупроводники-- Физика
Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Физические основы кристаллических приборов ; Кристаллическая структура полупроводников ; Зонная модель ; Электроны и дырки в гомогенном кристалле ; Нелинейные явления при прохождении тока в полупроводниках ; Физические основы транзисторов ; Кристаллические фотоэлементы ; Влияние магнитного поля на полупроводник ; Влияние температуры на свойства полупроводников ; Поверхностные явления ; Полупроводниковый материал для кристаллических приборов ; Химическая очистка ; Зонная плавка ; Вытягивание монокристаллов ; Рекристаллизация (вплавление) ; Диффузия доноров и акцепторов ; Обработка германия и кремния ; Свойства германия и кремния ; Измерение основных параметров полупроводниковых материалов ; Ориентировка кристаллов ; Измерение проводимости и подвижности ; Энергетические уровни в запретной зоне ; Термоэлектрическое явление ; Измерение оптических параметров ; Измерение времени жизни основных носителей ; Двухэлектродные полупроводниковые приборы ; Кристаллические триоды и их свойства ; Основные параметры транзистора в качестве усилителя ; Дуальность транзистора и вакуумного триода ; Электрические параметры основных схем усилителей на транзисторах ; Измерение основных параметров транзистора ; Построение статических характеристик ; Измерение параметров rik и hik ; Измерение усиления по току, по напряжению и по мощности ; Определение стабильности в режиме короткого замыкания ; Измерение предельной частоты ; Измерение емкости коллектора и эмиттера ; Измерение шума транзистора ; Определение импульсных свойств транзистора ; Кристаллические тетроды ; Обзор наиболее распространенных типов транзисторов ; Техника усилителей на транзисторах ; Цепи смещения транзисторов ; Однокаскадные низкочастотные усилители ; Многокаскадные усилители ; Высокочастотные усилители ; Основы генераторов на транзисторах ; Переключающие схемы и формирование импульсов
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
8.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : В37/И 85
Автор(ы) : Андриеш, Андрей Михайлович, Арушанов, Эрнст Константинович, Молодян, Иван Петрович
Заглавие : Исследование бинарных полупроводников
Выходные данные : Кишинев: Штиинца, 1983
Колич.характеристики :96 с.: ил.
Коллективы : Академия наук Молдавской ССР, Институт прикладной физики АН Молдавской ССР
Серия: Компьютеры в физике; вып. 2
Примечания : Библиогр.: с. 105-130. - Авт. указ. на обороте тит. л.
Цена : 1.20 р.
ГРНТИ : 45.09.35 + 29.19.31
ББК : В379
Предметные рубрики: Полупроводники бинарные-- Свойства физические-- Исследование
Приборы полупроводниковые-- Физические основы
Содержание : Получение монокристаллических и аморфных бинарных полупроводников ; Комплексное исследование физических свойств бинарных полупроводников ; Явления переноса ; Спектры поглощения и отражения в области длинноволнового края собственного поглощения ; Люминесценция бинарных полупроводников ; Фотоэлектрические свойства бинарных полупроводников ; Комплексное исследование приборных структур, изготовленных на основе бинарных полупроводников ; Электрические свойства приборных структур ; Фотоэлектрические и люминесцентные свойства приборных структур ; Применение бинарных полупроводников
Экземпляры :КФ(1)
Свободны : КФ(1)
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)