Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (56)Труды сотрудников ИФ СО РАН (357)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Electronic<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.
Шифр: P014640/2001/Special issue
   Журнал

Physica Status Solidi . - Berlin : Akademie-Verlag GmbH, 1963 - - 1970. - Выходит ежемесячно
2001г. Special issue . - XII. - 400pp. - 40 Years of Phisica Status Solidi
Содержание:
Bernard, Maurice G. A. Laser Conditions in Semiconductors / M. G.A. Bernard, G. Duraffourg. - P.15
Berezis, A. A. Electron-positron colour centre in alkali halides / A. A. Berezis, R. A. Evakestov. - P.113
Müuller, E. W. Atom-probe FIM studies of vanadium, rhenium, and a copper-beryllium alloy / E. W. Müuller, S. V. Krishnaswamy. - P.107
Chadi, D. J. Tight-binding calculations of the valence bands of diamond and zincblende crystals / D. J. Chadi, M. L. Cohen. - P.151
Gutsche, E. Spin-Orbit Splitting of the Valence Band of Wurtzite Type Crystals / E. Gutsche, E. Jahne. - P.51
Davydov, A. S. Solitary excitons in one-dimensional molecular chains / A. S. Davydov, N. I. Kislukha. - P.121
Efros, A. L. Critical Behaviour of Conductivity and Dielectric Constant near the Metal-Non-Metal Transition Threshold / A. L. Efros, B. I. Shklovskii. - P.167
Barnett, D. M. Dislocations and line charges in anisotropic piezoelectric insulators / D. M. Barnett, J. Lothe. - P.135
Mott, N. F. Localized States in Disordered Lattices / N. F. Mott, R. S. Allgaier. - P.61
Phillips, J. C. Structure and conductivity of bilinear organic compounds / J. C. Phillips. - P.179
Kronmüller, H. Theory of Nucleation Fields in Inhomogeneous Ferromagnet / H. Kronmüller. - P.257
Landsberg, P. T. Electron Interaction Effects on Recombination Spectra / P. T. Landsberg. - P.35
Bonch-Bruevich, V. L. On the Theory of Electrical Domains in Hot Electron Semiconductors / V. L. Bonch-Bruevich. - P.95
Böer, K. W. Artificial Initiation of Layer-Like Field Inhomogeneities in CdS Single Crystals / K. W. Böer, Wilhelm W. E. . - P.21
Stutznan, Martin. Preface: Looking back and looking forward / M. Stutznan. - P.VII
Wannier, G. H. A Result Not Dependent on Rationality for Bloch Electrons in a Magnetic Field / G. H. Wannier. - P.185
Shanks, H. Infrared Spectrum and Structure of Hydrogenated Amorphous Silicon / H. Shanks [и др.]. - P.201
Другие авторы: Fang C. J., Ley L., Cardona M., Demond F. J., Kalbitzer S.
Gevers, K. wo Beam Kinematical Theory for the Diffraction of Electrons by Crystals with Stacking Faults / K. Gevers, J. van Landuyt, S. Amelinckx. - P.75
Dersch, H. Electron Spin Resonance of Doped Glow-Discharge Amorphous Silicon / H. Dersch, J. Stuke, J. Beichler. - P.231
Hewett, C. A. Pulsed ion beam annealing of Ti-Au alloys / C. A. Hewett [и др.]. - P.251
Другие авторы: Lac S. S., Fastow R., Mayer J. W.
Skrotzki, W. Plasticity of polycrystalline ionic solids / W. Skrotzki, O. Frommeyer, P. Haasen. - P.241
Bloom, S. Band Structure and Reflectivity of GaN / S. Bloom [и др.]. - P.127
Другие авторы: Harbeke G., Meier E., Ortenburger I. B.
Myciblski, J. Theory of free-carrier absorption in polar semiconductors due to electron-LO-phonon interaction / J. Myciblski [и др.]. - P.143
Другие авторы: Aziza A., Mycielski A., Balkanski M.
Englert, Th. On the Electronic g-Faetor in n-Type Silicon Inversion Layers / Th. Englert [и др.]. - P.195
Другие авторы: von Klitzing K., Nicholas R. J. , Landwehr G., Dorda G., Pepper M.
Mann, E. Das elastische Verschiebungsfeld von Einzel- und Doppelkräften in anisotropen Medien / E. Mann, R.v. Jan, A. Seeder. - P.1
Gong, J. Noise measurements on photo avalanche diodes / J. Gong [и др.]. - P.215
Другие авторы: van Vliet K. M., Sutherland A. D., Chenette E. R.
Tauc, J. Optical Properties and Electronic Structure of Amorphous Germanium / J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. - P.39
Zimmermann, R. Nonlinear Optics and the Mott Transition in Semiconductors / R. Zimmermann. - P.269
Meinel, K. On twin and stacking fault formation during the epitaxial film growth of f.c.c. materials on (111) substrates / K. Meinel, M. Klaua, H. Bethge. - P.283
Ma, E. Pt2Al3 formation on evaporated and large-grained Al substrates / E. Ma, M-A. Nicolet. - P.291
Rührig, M. Domain Observations on Fe-Cr-Fe Layered Structnres. Evidence for a Biquadratic Coupling Effect / M. Rührig [и др.]. - P.297
Другие авторы: Schäfer R., Hubert A., Mosler R., Wolf J. A., Demokritov S., Grünberg P.
Fau, C. Non-Linear Temperature—Band Gap Variation in Small-Gap Semiconductors and Semimetals / C. Fau, S. Charar, M. Averous. - P.319
Horváth, Á. Electroabsorption in Conjugated Polymers / Á. Horváth, H. Bässler, G. Weiser. - P.325
Yoo, I. K. Mechanism of Fatigue in Ferroelectric Thin Films / I. K. Yoo, S. B. Desu. - P.335
Bauer, E. Low Energy Electron Microscopy of Nanostructures / E. Bauer. - P.345
Bimberg, D. InAs-GaAs quantum dots: From growth to lasers / D. Bimberg [и др.]. - P.359
Другие авторы: Ledentsov N. N., Grundmann M., Kirstaedter N., Schmidt O.G., Mao M.H., Ustinov V.M., Egorov A. Yu., Zhukov A. E., Kopev P. S., Alferov Zh. I., Ruvimov S. S. , Gösele U., Heydenreich J.
Kaminskii, A. A. Stimulated Raman Scattering in α-Al2O3 Leucosapphire Single Crystals at Room Temperature / A. A. Kaminskii [и др.]. - P.375
Другие авторы: Eichler H. J., Grebe D., Macdonals R., Butashin A. V.
Nakamura, S. Present Status of InGaN-Based Laser Diodes / S. Nakamura. - P.377
Shan, L. Vortex Dynamic Properties of Vortex-Liquid Phase in YBa2Cu3O7–δ Epitaxial Films / L. Shan [и др.]. - P.385
Другие авторы: Wang Z.H., Xu X.N., Jin X., Shen L.J., Lam C.C., Chen Y.S.
Nikl, M. Efficient Medium-Speed PbWO4:Mo,Y Scintillator / M. Nikl [и др.]. - P.393
Другие авторы: Bohacek P., Vedda A., Martini M., Pazzi G.P., Fabeni P., Kobayashi M.
Schön, J. H. Composite Fermions in Organic Semiconductors / J. H. Schön. - P.397
Имеются экземпляры в отделах:
ЖФ (19.11.2013г. Экз. 1 - Б.ц.) (свободен)

Найти похожие
2.
Шифр: P083192 (Журнал)
Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part B : Radio and Electronic Egineering. - London : Institution of Electrical Engineers, 1955 - 1958. - Выходит раз в два месяца
СВЕДЕНИЯ ОБ ИЗМЕНЕНИИ ИЗДАНИЯ: Настоящее издание
В 1949г. переименовано из Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part III. Communication Engineering : Including the Proceedings of the Wireless Section of the Institution. - ISSN 0367-7540
В 1955г. переименовано из Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part 3. Radio and Communication Engineering. - ISSN 0369-8947
В 1959г. переименовано в Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part B.Electronic and Communication Engineerings, Including Radio Engineering. - ISSN 0369-8890 (Шифр P933776)
Зарегистрированы поступления:
      1958 1957
Электронная версия
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Найти похожие
3.
Шифр: P633721 (Журнал)
Philosophical Magazine B : Physics of Condensed Matter, Structural, Electronic, Optical and Magnetic Properties. - Abingdon : Taylor and Francis Group, 1978 - 2002 : мкфш . - Выходит ежемесячно
СВЕДЕНИЯ ОБ ИЗМЕНЕНИИ ИЗДАНИЯ: Настоящее издание
С 1978г. выходит взамен Philosophical Magazine. - ISSN 0031-8086
В 2003г. влилось как часть в Philosophical Magazine. Structure and Properties of Condensed Matter. - ISSN 1478-6435. - ISSN 0141-8687
Зарегистрированы поступления:
      1991 1983
Электронная версия
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Найти похожие
4.
Шифр: P933776 (Журнал)
Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part B : Electronic and Communication Engineering, Including Radio Engineering. - London : Institution of Electrical Engineers, 1959 - 1962. - Выходит раз в два месяца
СВЕДЕНИЯ ОБ ИЗМЕНЕНИИ ИЗДАНИЯ: Настоящее издание
В 1959г. переименовано из Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part B. Radio and Electronic Egineering (Шифр P933776)
В 1963г. влилось как часть в Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. - ISSN 0020-3270 (Шифр P598509). - ISSN 0369-8890
Зарегистрированы поступления:
     
Электронная версия
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Найти похожие
5.
Шифр: I222129 (Журнал)
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control : Institute of Electrical and Electronic Engineers Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. - Piscataway, NJ : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1986 - . - Выходит ежемесячно
СВЕДЕНИЯ ОБ ИЗМЕНЕНИИ ИЗДАНИЯ: Настоящее издание
В 1986г. переименовано из IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics
В 1964г. переименовано из IEEE Transactions on Ultrasonics Engineering
В 1963г. переименовано из IRE Transactions on Ultrasonics Engineering
В 1960г. переименовано из Transactions of the IRE Professional Group on Ultrasonics Engineering (1954-1959). - ISSN 0885-3010
Зарегистрированы поступления:
      1993
Перейти на сайт журнала
Электронная версия
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Найти похожие
6.
Шифр: J319096 (Журнал)
Journal de Physique . III, Materials Science, Instrumentation, Physics of Electronic Devices, Physics of Fluids and Mechanics, Physics of Energy Transfers, Plasma Physics - Surface Interactions, Lasers and Optics, Physics and Mechanics of Biological Systems. - Les Ulix : Les Editions de Physique, 1991 - . - Выходит ежемесячно
СВЕДЕНИЯ ОБ ИЗМЕНЕНИИ ИЗДАНИЯ: Настоящее издание
С 1991г. выходит взамен Revue de Physique Appliquee. - ISSN 0035-1687 (Шифр R104720). - ISSN 1155-4320
Зарегистрированы поступления:
      1996 1995 1994 1993 1992 1991
Электронная версия
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Найти похожие
7.
Шифр: P598509 (Журнал)
Proceedings of the Institution of Electrical Engineers : Electronics / Power / Control & Science. - London : Institution of Electrical Engineers, 1963 - 1979. - Выходит ежемесячно
СВЕДЕНИЯ ОБ ИЗМЕНЕНИИ ИЗДАНИЯ: Настоящее издание
В 1963г. образовано в результате слияния Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part A. Power Engineering. - ISSN 0369-8882
и Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part B. Electronic and Communication Engineering, Including Radio Engineering. - ISSN 0369-8890 (Шифр P933776)
и Proceedings of the Institution of Electrical Engineers. Part C. Monograph. - ISSN 0369-8904
В 1980г. разделилось на IEE Proceedings. Part A.Physical Science, Measurement and Instrumentation, Management and Education, Reviews . - ISSN 0143-702X
и IEE Proceedings. Part B.Electric Power Applications. - ISSN 0143-7038
и IEE Proceedings. Part C.Generation, Transmission and Distribution. - ISSN 0143-7046
и IEE Proceedings. Part D.Control Theory and Applications. - ISSN 0143-7054
и IEE Proceedings. Part E.Computers and Digital Techniques. - ISSN 0143-7062
и IEE Proceedings. Part F.Communications, Radar and Signal Processing. - ISSN 0143-7070
и IEE Proceedings. Part G.Electronic Circuits and Systems. - ISSN 0143-7089
и IEE Proceedings. Part H.Microwaves, Optics and Antennas. - ISSN 0143-7097
и IEE Proceedings. Part I.Solid-State and Electron Devices. - ISSN 0143-7100. - ISSN 0020-3270
Зарегистрированы поступления:
      1974 1973 1972 1971
Электронная версия
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Найти похожие
8.
Шифр: I435432 ()
IEE proceedings. Part G, Electronic circuits and systems/ The Institution of Electrical Engineers. - [Б. м. : б. и.]. - ISSN 0143-7089
Зарегистрированы поступления:
      1983
сайт журнала
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)