Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Борисов, Алексей Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Б 82 рукописный текст
Автор(ы) : Борисов, Алексей Александрович
Заглавие : Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.12.2002
Выходные данные : Красноярск, 2002
Колич.характеристики :173 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 114 назв.
ГРНТИ : 29.19.24
ББК : В373.1я031
Экземпляры :Дс(1)
Свободны : Дс(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Борисов, Алексей Александрович, Гавричков, Владимир Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в обобщенном методе сильной связи
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ. - 2003. - Т. 124, Вып. 4. - С. 862-870. - ISSN 0044-4510
ГРНТИ : 29.19.29
Аннотация: Электронная структура дырочно допированных ВТСП-купратов рассчитывается с явным учетом сильных электронных корреляций. Прослежена плавная эволюция электронной структуры от недопированного антиферромагнетика к оптимально и сильно допированным парамагнитным составам. При малом допировании получены внутрищелевые состояния примесного типа, на которых пиннингуется уровень Ферми в области слабого допирования. Эти состояния отделены псевдощелью от валентной зоны. В парамагнитной фазе рассчитанные поверхности Ферми для разной концентрации дырок хорошо согласуются с данными ARPES-экспериментов и показывают постепенную смену типа поверхности Ферми от дырочного к электронному.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гавричков, Владимир Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Борисов, Алексей Александрович, Горячев, Евгений Геннадьевич
Заглавие : Эволюция зонной структуры квазичастиц с допированием в оксидах меди в рамках обобщенного метода сильной связи
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ. - 2000. - Т. 118, Вып. 2. - С. 422-437. - ISSN 0044-4510
ГРНТИ : 29.19.29
Аннотация: В настоящей работе на основе ортогонального ячеечного базиса для реалистичной многозонной pd-модели CuO2-слоя определены два способа стабилизации двухдырочного 3B1g-состояния в качестве основного вместо синглета Жанга-Райса; вычислены дисперсионные зависимости потолка валентной зоны как в недопированном, так и в допированном случаях. В недопированном случае, помимо валентной зоны, качественно соответствующей экспериментальным ARPES-данным для Sr2CuO2Cl2 и результатам, полученным в рамках t-t'-J-модели, расчеты дают бездисперсный виртуальный уровень на самом потолке валентной зоны. Из-за нулевой амплитуды переходов, формирующих виртуальный уровень, соответствующий ему отклик отсутствует в функции спектральной плотности. Как следствие, экспериментальные ARPES-данные не воспроизводят его присутствие в этом антиферромагнитном недопированном диэлектрике. Расчет допированного случая показал, что виртуальный уровень трансформируется в зону примесного типа и приобретает дисперсию благодаря отличным от нуля числам заполнения двухдырочных состояний и, как следствие, должен детектироваться в ARPES-эксперименте в качестве высокоэнергетичного пика в спектральной плотности. Расчетная дисперсионная зависимость для потолка валентной зоны воспроизводит дисперсию, полученную с помощью метода Moнте-Карло, и ARPES-данные для оптимально допированных образцов Bi2Sr2CaCu2O8+δ. Полученные данные также позволяют объяснить наличие энергетической псевдощели в симметричной точке X зоны Бриллюэна ВТСП-соединений. [-2mm]
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гавричков, Владимир Александрович, Борисов, Алексей Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Анализ поляризованных ARPES-спектров недопированных купратов
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2001. - Т. 43, Вып. 10. - С. 1799-1807. - ISSN 0367-3294
ГРНТИ : 29.19.29
Аннотация: С помощью обобщенного метода сильной связи исследована спектральная плотность в ARPES-спектрах антиферромагн. диэлектриков Sr[2]CuO[2]Cl[2] и Ca[2]CuO[2]Cl[2] вдоль основных симметричных направлений зоны Бриллюэна. Установлено, что на потолке валентной зоны данных недопированных соединений в АФМ фазе имеется псевдощель магн. природы E[s](k)'ЭКВИВ'0-0.4 eV между виртуальным уровнем и самой валентной зоной, а близость триплета {3}B[1g] и уровня ZR-синглета может являться причиной наблюдаемого подобия дисперсии вдоль направлений 'ГАММА''↔'M и X'↔'Y. Рассчитанная четность поляризованных ARPES-спектров в точках 'ГАММА', M, X для АФМ фазы с учетом парциальных вкладов является положительной. Указаны также условия наблюдения парциальных вкладов в поляризованных ARPES-экспериментах. За счет спиновых флуктуаций виртуальный уровень приобретает дисперсию и малый спектральный вес. Вероятно, эффекты затухания просто не позволяют его разрешить на фоне основного квазичастичного пика.
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37 рукописный текст
Автор(ы) : Борисов, Алексей Александрович
Заглавие : Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.12.2002
Выходные данные : Красноярск, 2002
Колич.характеристики :17 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.24
Предметные рубрики: Сверхпроводники высокотемпературные (ВТСП)-- Свойства электромагнитные-- Исследование
Сверхпроводники высокотемпературные (ВТСП)-- Структура электронная-- Моделирование
Найти похожие