Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (11)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Варнаков, Сергей Николаевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 321
Показаны документы с 1 по 20

Magnetic and transport properties of trilayered Fe3Si/Ge/Fe3Si hybrid structures synthesized on Si(111) / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.03.07o. - P. 107 . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

Optically tunable magnetoimpedance in Fe/Al2O3/p-Si / M. V. Rautskii, D. A. Smolyakov, I. A. Bondarev [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.31.11p. - P. 120. - The work was partially supported by the Ministry of Education and Science, Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies». The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project № 18-42-243022. . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Masyugin, A. N.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
силицид железа -- структуры ферромагнетик/полупроводник -- эффект Ханле -- спиновая аккумуляция -- электрическая спиновая инжекция
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46 Is. 7.- P.665-668

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Growth and thermoelectric properties of composite thin films based on higher iron and manganese silicides / I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, M. N. Volochaev [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. III.30.04p. - P. 90 . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Nazarova, Z.I.; Nazarov, A.; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

Yakovlev, I. A.
Magnetic properties of Fe3Si synthesized at external magnetic field / I. A. Yakovlev, B. A. Belyaev, S. N. Varnakov // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.31.12p. - P. 121. - The work was supported by the President Program of the RF SP- 375.2019.3 and Krasnoyarsk Regional Fund of Science according to the participation in the event/internship: Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2020). . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Яковлев, Иван Александрович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

Spectral magneto-ellipsometry of epitaxial Mn2GaC MAX phase / S. A. Lyashchenko, O. A. Maksimova, S. N. Varnakov [и др.] // 1st FunMAX Workshop 2020 : Book of Abstracts. - 2020. - P. 7. - Cited References: 4. - The research was supported by the government of the Russian Federation (agreement No. 075-15-2019-1886)

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics

Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Maksimova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Farle, M.; Фарле, Михаель; International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials(1 ; 2020 ; Aug ; 10-12 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

Growth of α-FeSi2 nanocrystals on silicon surface: the impact of gold and the Si/Fe flux ratio, the origin and the prediction of α/Si orientation relationships and interface structures / Ivan Tarasov, Maxim Visotin, Sergey Varnakov and Sergey Ovchinnikov // 1st FunMAX Workshop 2020 : Book of Abstracts. - 2020. - P. 11. - Cited References: 2. - The study was carried out with the financial support of the Government of the Russian Federation within the framework of a grant for the creation of world-class laboratories (Agreement No. 075-15-2019-1886).

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials(1 ; 2020 ; Aug ; 10-12 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

Microsphere lithography for Fe3Si-Au magnetoplasmonic nanostructures / A. S. Tarasov, T. E. Smolyarova, I. A. Yakovlev [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. V.01.14o. - P. 144. - The work is carried out with the assistance of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» and Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project № 18-42-243013. . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

The Fe-Si-Au magnetic Janus particles for biomedical applications / S. A. Lyashchenko, I. A. Yakovlev, I. A. Tarasov [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. VII.31.02p. - P. 194. - The TEM and XPS results were obtained by a Hitachi HT7700 transmission electron microscope and a SPECS UNI-SPECS photoelectron spectrometer in the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS». . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Mihlin, Y.L.; Sokolov, A. Е.; Соколов, Алексей Эдуардович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Jarkov, S.M.; Nemtcev, I.V.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

10.

Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46, Is. 7. - P. 665-668, DOI 10.1134/S1063785020070135. - Cited References: 17. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk krai, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities (project no. 18-42-243022), and a Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories (agreement no. 075-15-2019-1886) . - ISSN 1063-7850. - ISSN 1090-6533

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
TRANSPORT
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- ferromagnet/semiconductor structures -- Hanle effect -- spin accumulation -- electric spin injection
Аннотация: The electrical injection of the spin-polarized current into silicon in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure is demonstrated. The spin accumulation effect is examined by measuring the local and nonlocal voltage in a special four-terminal device. The observed effect of the electric bias on the spin signal is discussed and compared with the results obtained for ferromagnet/semiconductor structures.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения [Текст] / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46 № 13. - С. 43-46

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Luk'yanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Government of Krasnoyarsk krai; Krasnoyarsk Territorial Foundation [18-42-243022]; Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories [075-15-2019-1886]
}
Найти похожие

11.

Study of lateral photovoltaic effect in Mn/SlO2/n-SI hybrid structure / M. V. Rautskii [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.P16. - P. 105. - Cited References: 1. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 17-02-00302 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

12.

Yakovlev, I. A.
The magnetic anisotropy of polycrystalline Fe3Si synthesized at magnetic field by MBE / I. A. Yakovlev, B. A. Belyaev, S. N. Varnakov // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. C.P19. - P. 302-303. - Cited References: 4. - The reported study was funded by Krasnoyarsk Regional Fund of Science according to the participation in the event/internship: The VII Euro-Asian Symposium “Trends in Magnetism” (EASTMAG-2019) . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Яковлев, Иван Александрович; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

13.

Formation of nonmagnetic phases in Fe/Si interface / S. N. Varnakov [et al.] // Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering" : book of abstracts / предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P. 21

Материалы семинара

Доп.точки доступа:
Aleksandrov, K. S. \предс. сем.\; Александров, Кирилл Сергеевич; Patrin, G. S. \зам. предс. сем.\; Патрин, Геннадий Семёнович; Ovchinnikov, S. G. \зам. предс. сем.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N. \чл. лок. ком.\; Косырев, Николай Николаевич; Fedorov, A. S. \чл. лок. ком.\; Федоров, Александр Семенович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Ovchinnikov, S. G.; Bartolome, J.; Sese, J.; "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop(2009 ; Aug. ; 24-28 ; Krasnoyarsk); Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

14.

Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures / A. V. Lukyanenko [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.O8. - P. 66-67. - Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

15.

Описание изобретения к патенту 2681635 Российская Федерация

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2018104934 ; Заявл. 08.02.2018 ; Опубл. 11.03.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

16.

Prediction of orientation relationships and interface structures between α-, β-, γ-FeSi2 and Si phases / M. A. Visotin, I. A. Tarasov, A. S. Fedorov [et al.] // Acta Crystallogr. B. - 2020. - Vol. 76. - P. 469-482, DOI 10.1107/S2052520620005727. - Cited References: 85. - The following funding is acknowledged: Russian Science Foundation (grant No. 16-13-00060-Pi). . - ISSN 2052-5206

РУБ Chemistry, Multidisciplinary + Crystallography
Рубрики:
THERMAL-EXPANSION
   BETA-FESI2 FILMS
   GROWTH
   SILICON
   DIFFRACTION
Кл.слова (ненормированные):
interface structure -- structure prediction -- orientation relationship -- near-coincidence site -- edge-to-edge matching -- iron silicide -- DFT calculations -- thermal expansion
Аннотация: A pure crystallogeometrical approach is proposed for predicting orientation relationships, habit planes and atomic structures of the interfaces between phases, which is applicable to systems of low-symmetry phases and epitaxial thin film growth. The suggested models are verified with the example of epitaxial growth of α-, γ- and β-FeSi2 silicide thin films on silicon substrates. The density of near-coincidence sites is shown to have a decisive role in the determination of epitaxial thin film orientation and explains the superior quality of β-FeSi2 thin grown on Si(111) over Si(001) substrates despite larger lattice misfits. Ideal conjunctions for interfaces between the silicide phases are predicted and this allows for utilization of a thin buffer α-FeSi2 layer for oriented growth of β-FeSi2 nanostructures on Si(001). The thermal expansion coefficients are obtained within quasi-harmonic approximation from the DFT calculations to study the influence of temperature on the lattice strains in the derived interfaces. Faster decrease of misfits at the α-FeSi2(001)||Si(001) interface compared to γ-FeSi2(001)||Si(001) elucidates the origins of temperature-driven change of the phase growing on silicon substrates. The proposed approach guides from bulk phase unit cells to the construction of the interface atomic structures and appears to be a powerful tool for the prediction of interfaces between arbitrary phases for subsequent theoretical investigation and epitaxial film synthesis.

Смотреть статью,
WOS
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Science FoundationRussian Science Foundation (RSF) [16-13-00060-Pi]
}
Найти похожие

17.

Tailoring the preferable orientation relationship and shape of α-FeSi2nanocrystals on Si(001): The impact of gold and the Si/Fe flux ratio, and the origin of α/Si boundaries / I. A. Tarasov, T. E. Smolyarova, I. V. Nemtsev [et al.] // CrystEngComm. - 2020. - Vol. 22, Is. 23. - P. 3943-3955, DOI 10.1039/d0ce00399a. - Cited References: 52. - The experimental part of the reported study was funded by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060-Π. Theoretical analysis of the ORs of the α-FeSi2 nanocrystals grown was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science via research project No. 18-42-243013. We also acknowledge the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS” for support with carrying out the microscopic investigations. I. A. Tarasov personally thanks M. A. Visotin for continuous fruitful discussion about the energetics of the formation of the α-FeSi2 nanocrystals . - ISSN 1466-8033
Кл.слова (ненормированные):
Gold -- Morphology -- Nanocrystals -- Silicides
Аннотация: The growth of α-FeSi2 nanocrystal ensembles on gold-activated and gold-free Si(001) surfaces at different Si/Fe flux ratios via molecular beam epitaxy is reported. The study reveals that the utilisation of gold as a catalyst regulates the preferable orientation relationship (OR) of the nanocrystals to silicon and their morphology at a given Si/Fe flux ratio. α-FeSi2 free-standing crystals with continuously tuned sizes from 30 nm up to several micrometres can be grown with an α(001)//Si(001) basic OR under gold-assisted conditions and an α(111)//Si(001) OR under gold-free growth conditions on a Si(001) surface. The preferred morphology of nanocrystals with a particular OR can be altered through changes to the Si/Fe flux ratio. Herein, the microstructure and basic OR between the silicide nanocrystals and the silicon substrate, and the formation of nanocrystal facets were analysed in detail with the help of microscopic techniques and simulation methods based on the analysis of near coincidence site (NCS) distributions at silicide/silicon interfaces. On the basis of the simulations used, we managed to reveal the nature of the interfaces observed for the main types of α-FeSi2 nanocrystals grown. Three types of interfaces typical for nanoplates with an α(001)//Si(001) basic OR, which are (i) stepped, (ii) stressed, and (iii) flat, are explained based on the tendency for the NCS density to increase at the interface. The results presented reveal the potential for the bottom-up fabrication of α-FeSi2 nanocrystals with tuned physical properties as potentially important contact materials and as building blocks for future nanoelectronic devices.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center, KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Solovyov, L. A.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

18.

    Magnetotransport phenomena and spin accumulation in MIS structures / N. V. Volkov [et al.] // J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1347, Is. 1. - Ст. 012006, DOI 10.1088/1742-6596/1347/1/012006. - Cited References: 32. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, project No 17-02-00302. . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
   Перевод заглавия: Магнитотранспортные эффекты и спиновая аккумуляция в МДП структурах

РУБ Functional materials

Аннотация: The present work is devoted to magnetic transport in Fe/SiO2/p-Si, Mn/SiO2/p-Si and Fe3Si/p-Si hybrid structure. For Mn/SiO2/p-Si diode extremely large values of magnetoresistance were observed (105 % for AC and 107 % for DC) which is explained by impact ionization process that can be suppressed by the magnetic field. Lateral photovoltaic effect in Fe/SiO2/p-Si have also shown a strong dependence on the magnetic field in low-temperature region (the relative change of photovoltage exceeded 103 %). In Fe3Si/p-Si spin accumulation was found via 3-terminal Hanle measurements. We believe that the magnetic field affects electric transport through Lorentz force and through the interface states which are localized at the insulator/semiconductor or metal/semiconductor interfaces. Such states play a decisive role in magnetotrasnport as their energy can be controlled by a magnetic field. In Fe3Si/p-Si they also participate in spin-dependent tunneling, causing spin injection from the Fe3Si film into the silicon.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of physics of the Krasnoyarsk Scientific Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia
Institute of engineering physics and radio electronics, Siberian Federal University, 660041, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Russian-Chinese Symposium "New Materials and Technologies"(XV ; 16-19 October 2019 ; Sochi, Russian Federation)
}
Найти похожие

19.

Ученые Красноярского научного центра СО РАН получили Мегагрант Правительства РФ. - Электрон. текстовые дан. // Официальный сайт ФИЦ КНЦ СО РАН. - 2019. - Новости, 25 нояб.
Аннотация: В рамках Мегагранта в Красноярске будет создана новая лаборатория для синтеза и изучения перспективных наноструктур с контролируемыми свойствами – МАХ-фаз. На реализацию проекта Правительство РФ в течении трех лет должно выделить 90 миллионов рублей.

Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич \о нем\; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН \о нем\
}
Найти похожие

20.

Prediction of formation of competing phases during the growth of (Mn1-xCrx)2GaC thin films on MgO(111) with the use of effective heat of formation model and near coincidence site lattice approaches [Text] / Zoya Nazarova, Alexander Nazarov, Ivan Tarasov, Maxim Visotin, Sergey Varnakov and Sergey Ovchinnikov // 1st FunMAX Workshop 2020 : Book of Abstracts. - 2020. - P. 19. - Cited References: 2. - The study was carried out with the financial support of the Government of the Russian Federation within the framework of a grant for the creation of world-class laboratories (Agreement No. 075-15-2019-1886).

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Nazarova, Z. I.; Nazarov, A.; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials(1 ; 2020 ; Aug ; 10-12 ; Krasnoyarsk); Kirensky Institute of Physics; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие