Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (11)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Варнаков, Сергей Николаевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 321
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Bondarev I. A., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Smolyakov D. A., Smolyarova T. E., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic and transport properties of trilayered Fe3Si/Ge/Fe3Si hybrid structures synthesized on Si(111)
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.IV.03.07o. - P.107. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Smolyakov D. A., Bondarev I. A., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Masyugin A. N., Volochaev M. N., Kosyrev N. N., Volkov N. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Optically tunable magnetoimpedance in Fe/Al2O3/p-Si
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.IV.31.11p. - P.120. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work was partially supported by the Ministry of Education and Science, Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies». The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project № 18-42-243022.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тарасов, Антон Сергеевич, Лукьяненко, Анна Витальевна, Бондарев, Илья Александрович, Яковлев, Иван Александрович, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106
Примечания : Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886)
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Nazarova Z.I., Nazarov A., Fedorov A. S., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Growth and thermoelectric properties of composite thin films based on higher iron and manganese silicides
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.III.30.04p. - P.90. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Yakovlev I. A., Belyaev B. A., Varnakov S. N.
Заглавие : Magnetic properties of Fe3Si synthesized at external magnetic field
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.IV.31.12p. - P.121. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work was supported by the President Program of the RF SP- 375.2019.3 and Krasnoyarsk Regional Fund of Science according to the participation in the event/internship: Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2020).
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Maksimova O. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Farle M.
Заглавие : Spectral magneto-ellipsometry of epitaxial Mn2GaC MAX phase
Коллективы : International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : 1st FunMAX Workshop 2020: Book of Abstracts/ , Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - 2020. - P7
Примечания : Cited References: 4. - The research was supported by the government of the Russian Federation (agreement No. 075-15-2019-1886)
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Visotin M. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Growth of α-FeSi2 nanocrystals on silicon surface: the impact of gold and the Si/Fe flux ratio, the origin and the prediction of α/Si orientation relationships and interface structures
Коллективы : International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : 1st FunMAX Workshop 2020: Book of Abstracts/ , Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - 2020. - P11
Примечания : Cited References: 2. - The study was carried out with the financial support of the Government of the Russian Federation within the framework of a grant for the creation of world-class laboratories (Agreement No. 075-15-2019-1886).
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyarova T. E., Yakovlev I. A., Nemtsev I. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Microsphere lithography for Fe3Si-Au magnetoplasmonic nanostructures
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.V.01.14o. - P.144. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work is carried out with the assistance of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» and Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project № 18-42-243013.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Velikanov D. A., Mihlin Y.L., Sokolov A. Е., Volochaev M. N., Jarkov S.M., Nemtcev I.V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Lyashchenko S. A.
Заглавие : The Fe-Si-Au magnetic Janus particles for biomedical applications
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.VII.31.02p. - P.194. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The TEM and XPS results were obtained by a Hitachi HT7700 transmission electron microscope and a SPECS UNI-SPECS photoelectron spectrometer in the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS».
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Luk'yanenko A. V., Bondarev I. A., Yakovlev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect
Коллективы : Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Government of Krasnoyarsk krai; Krasnoyarsk Territorial Foundation [18-42-243022]; Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46, Is. 7. - P.665-668. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/S1063785020070135. - ISSN 1090-6533(eISSN)
Примечания : Cited References: 17. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk krai, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities (project no. 18-42-243022), and a Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories (agreement no. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: TRANSPORT
Аннотация: The electrical injection of the spin-polarized current into silicon in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure is demonstrated. The spin accumulation effect is examined by measuring the local and nonlocal voltage in a special four-terminal device. The observed effect of the electric bias on the spin signal is discussed and compared with the results obtained for ferromagnet/semiconductor structures.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Bondarev I. A.
Заглавие : Study of lateral photovoltaic effect in Mn/SlO2/n-SI hybrid structure
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.A.P16. - P.105. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 1. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 17-02-00302
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Yakovlev I. A., Belyaev B. A., Varnakov S. N.
Заглавие : The magnetic anisotropy of polycrystalline Fe3Si synthesized at magnetic field by MBE
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.C.P19. - P.302-303. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 4. - The reported study was funded by Krasnoyarsk Regional Fund of Science according to the participation in the event/internship: The VII Euro-Asian Symposium “Trends in Magnetism” (EASTMAG-2019)
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Varnakov S. N., Komogortsev S. V., Ovchinnikov S. G., Bartolome J., Sese J.
Заглавие : Formation of nonmagnetic phases in Fe/Si interface
Коллективы : "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering" : book of abstracts/ предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P.21
Материалы семинара
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Baron F. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.A.O8. - P.66-67. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2681635!-411558231
Автор(ы) : Тарасов, Иван Анатольевич, Яковлев, Иван Александрович, Высотин, Максим Александрович, Смолярова, Татьяна Евгеньевна, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Visotin M. A., Tarasov I. A., Fedorov A. S., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Prediction of orientation relationships and interface structures between α-, β-, γ-FeSi2 and Si phases
Коллективы : Russian Science FoundationRussian Science Foundation (RSF) [16-13-00060-Pi]
Место публикации : Acta Crystallogr. B. - 2020. - Vol. 76. - P.469-482. - ISSN 2052-5206(eISSN), DOI 10.1107/S2052520620005727
Примечания : Cited References: 85. - The following funding is acknowledged: Russian Science Foundation (grant No. 16-13-00060-Pi).
Предметные рубрики: THERMAL-EXPANSION
BETA-FESI2 FILMS
GROWTH
SILICON
DIFFRACTION
Аннотация: A pure crystallogeometrical approach is proposed for predicting orientation relationships, habit planes and atomic structures of the interfaces between phases, which is applicable to systems of low-symmetry phases and epitaxial thin film growth. The suggested models are verified with the example of epitaxial growth of α-, γ- and β-FeSi2 silicide thin films on silicon substrates. The density of near-coincidence sites is shown to have a decisive role in the determination of epitaxial thin film orientation and explains the superior quality of β-FeSi2 thin grown on Si(111) over Si(001) substrates despite larger lattice misfits. Ideal conjunctions for interfaces between the silicide phases are predicted and this allows for utilization of a thin buffer α-FeSi2 layer for oriented growth of β-FeSi2 nanostructures on Si(001). The thermal expansion coefficients are obtained within quasi-harmonic approximation from the DFT calculations to study the influence of temperature on the lattice strains in the derived interfaces. Faster decrease of misfits at the α-FeSi2(001)||Si(001) interface compared to γ-FeSi2(001)||Si(001) elucidates the origins of temperature-driven change of the phase growing on silicon substrates. The proposed approach guides from bulk phase unit cells to the construction of the interface atomic structures and appears to be a powerful tool for the prediction of interfaces between arbitrary phases for subsequent theoretical investigation and epitaxial film synthesis.
Смотреть статью,
WOS
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Smolyarova T. E., Nemtsev I. V., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Solovyov L. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Tailoring the preferable orientation relationship and shape of α-FeSi2nanocrystals on Si(001): The impact of gold and the Si/Fe flux ratio, and the origin of α/Si boundaries
Место публикации : CrystEngComm. - 2020. - Vol. 22, Is. 23. - P.3943-3955. - ISSN 14668033 (ISSN), DOI 10.1039/d0ce00399a
Примечания : Cited References: 52. - The experimental part of the reported study was funded by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060-Π. Theoretical analysis of the ORs of the α-FeSi2 nanocrystals grown was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science via research project No. 18-42-243013. We also acknowledge the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS” for support with carrying out the microscopic investigations. I. A. Tarasov personally thanks M. A. Visotin for continuous fruitful discussion about the energetics of the formation of the α-FeSi2 nanocrystals
Аннотация: The growth of α-FeSi2 nanocrystal ensembles on gold-activated and gold-free Si(001) surfaces at different Si/Fe flux ratios via molecular beam epitaxy is reported. The study reveals that the utilisation of gold as a catalyst regulates the preferable orientation relationship (OR) of the nanocrystals to silicon and their morphology at a given Si/Fe flux ratio. α-FeSi2 free-standing crystals with continuously tuned sizes from 30 nm up to several micrometres can be grown with an α(001)//Si(001) basic OR under gold-assisted conditions and an α(111)//Si(001) OR under gold-free growth conditions on a Si(001) surface. The preferred morphology of nanocrystals with a particular OR can be altered through changes to the Si/Fe flux ratio. Herein, the microstructure and basic OR between the silicide nanocrystals and the silicon substrate, and the formation of nanocrystal facets were analysed in detail with the help of microscopic techniques and simulation methods based on the analysis of near coincidence site (NCS) distributions at silicide/silicon interfaces. On the basis of the simulations used, we managed to reveal the nature of the interfaces observed for the main types of α-FeSi2 nanocrystals grown. Three types of interfaces typical for nanoplates with an α(001)//Si(001) basic OR, which are (i) stepped, (ii) stressed, and (iii) flat, are explained based on the tendency for the NCS density to increase at the interface. The results presented reveal the potential for the bottom-up fabrication of α-FeSi2 nanocrystals with tuned physical properties as potentially important contact materials and as building blocks for future nanoelectronic devices.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Bondarev I. A., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Smolyakov D. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetotransport phenomena and spin accumulation in MIS structures
Коллективы : International Russian-Chinese Symposium "New Materials and Technologies"
Место публикации : J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1347, Is. 1. - Ст.012006. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1347/1/012006. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 32. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, project No 17-02-00302.
Аннотация: The present work is devoted to magnetic transport in Fe/SiO2/p-Si, Mn/SiO2/p-Si and Fe3Si/p-Si hybrid structure. For Mn/SiO2/p-Si diode extremely large values of magnetoresistance were observed (105 % for AC and 107 % for DC) which is explained by impact ionization process that can be suppressed by the magnetic field. Lateral photovoltaic effect in Fe/SiO2/p-Si have also shown a strong dependence on the magnetic field in low-temperature region (the relative change of photovoltage exceeded 103 %). In Fe3Si/p-Si spin accumulation was found via 3-terminal Hanle measurements. We believe that the magnetic field affects electric transport through Lorentz force and through the interface states which are localized at the insulator/semiconductor or metal/semiconductor interfaces. Such states play a decisive role in magnetotrasnport as their energy can be controlled by a magnetic field. In Fe3Si/p-Si they also participate in spin-dependent tunneling, causing spin injection from the Fe3Si film into the silicon.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа :
Шифр издания :
Заглавие : Ученые Красноярского научного центра СО РАН получили Мегагрант Правительства РФ [Электронный ресурс]
Место публикации : Официальный сайт ФИЦ КНЦ СО РАН. - 2019. - Новости, 25 нояб.
Вид и объем ресурса: Электрон. текстовые дан.
Примечания : Загл. с домашней страницы Интернета
Аннотация: В рамках Мегагранта в Красноярске будет создана новая лаборатория для синтеза и изучения перспективных наноструктур с контролируемыми свойствами – МАХ-фаз. На реализацию проекта Правительство РФ в течении трех лет должно выделить 90 миллионов рублей.
Смотреть статью
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Nazarova Z. I., Nazarov A., Tarasov I. A., Visotin M. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Prediction of formation of competing phases during the growth of (Mn1-xCrx)2GaC thin films on MgO(111) with the use of effective heat of formation model and near coincidence site lattice approaches
Коллективы : International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : 1st FunMAX Workshop 2020: Book of Abstracts/ , Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - 2020. - P19
Примечания : Cited References: 2. - The study was carried out with the financial support of the Government of the Russian Federation within the framework of a grant for the creation of world-class laboratories (Agreement No. 075-15-2019-1886).
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие