Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (27)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Волков, Никита Валентинович$<.>)

Общее количество найденных документов : 425
Показаны документы с 1 по 20

Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре / Н. В. Волков [и др.] // Письма в Журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, № 21. - С. 33-41 . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La0.7Sr0.3MnO3/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La0.7Sr0.3MnO3 и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения --- зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. PACS: 72.25.-b, 73.40.-c, 75.47.-m

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam
Сибирский федеральный университет
Сибирский государственный аэрокосмический университет
Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763
Korea Center for Materials Science
National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Цикалов, Виталий Сергеевич; Tsikalov V.S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Ким, Петр Дементьевич; Kim, P. D.; Yu Seong-Cho; Kim Dong-Nyun; Chau Nguyen
}
Найти похожие

Эффекты переключения токовых каналов в магнитной туннельной структуре / Н. В. Волков, Е. В. Еремин [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : XIII Международный Симпозиум 16-20 марта 2009 г. Нижний Новгород: [программа и тезисы докл.]. - 2009. - T. 2. - С. 478-479

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Цикалов, Виталий Сергеевич; Tsikalov V.S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Ким, Петр Дементьевич; Kim, P. D.; Seong-Cho, Yu; Dong-Hyun, Kim; Nguyen, Chau; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(13 ; 2009 ; март ; Нижний Новгород); Институт физики микроструктур РАН
}
Найти похожие

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
силицид железа -- структуры ферромагнетик/полупроводник -- эффект Ханле -- спиновая аккумуляция -- электрическая спиновая инжекция
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46 Is. 7.- P.665-668

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Электрические свойства твердых растворов на основе MnS и CuCrS2. / Абрамова Г.М.Волков Н.В. [и др.] // XII Международная Конференция "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты". МКЭЭЭ-2008 = XIIth Intrenational Conference on Electromechanics, Electrotechnology and Electromaterial Science : труды : 18-23 сентября 2008 г., Крым, г. Алушта . - С. 88

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Мазалов, Л. В.; Крючкова, Н. А.; Соколов, Валерий Владимирович; Sokolov V. V.; "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты", Международная конференция(12 ; 2008 ; сент ; Алушта, Крым)
}
Найти похожие

Электрические и магнитные свойства композитов из наноалмаза и пироуглерода [Текст] / Н. И. Киселев [и др.] // Рос. химич. журн. - 2012. - Т. 56, № 1-2. - С. 50-57 . - ISSN 0373-0247

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Киселев, Николай Иванович; Kiselev N.I.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Корчагина, С. Б.; Петраковская, Элеонора Анатольевна; Petrakovskaya, E. A.; Васильев, Александр Дмитриевич; Vasiliev, A. D.; Соловьев, Леонид Александрович; Балаев, Дмитрий Александрович; Balaev, D. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Bayukov, O. A.; Денисов, И. А.; Denisov, I. A.; Цегельник, С. С.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Знак, Д. А.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Shaikhutdinov, K. A.; Шубин, А. А.; Шестаков, Николай Петрович; Shestakov, N.P.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Гордеев, С. К.; Белобров, Петр Иванович; Belobrov, P. I.
}
Найти похожие

Электрические и магнитные свойства композитов из наноалмаза и пироуглерода / Н. И. Киселёв, Д. А. Великанов, С. Б. Корчагина [и др.] // XVII Междунар. науч.-техн. конф. "Высокие технологии в промышленности России" : Материалы. конф. : ЦНИТИ "Техномаш", 2011. - С. 503-512

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Киселев, Николай Иванович; Kiselev N.I.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Корчагина, С. Б.; Петраковская, Элеонора Анатольевна; Petrakovskaya, E. A.; Васильев, Александр Дмитриевич; Vasiliev, A. D.; Соловьев, Леонид Александрович; Solov'ev, L. A.; Балаев, Александр Дмитриевич; Balaev, A.D.; Баюков, Олег Артемьевич; Bayukov, O. A.; Денисов, И. А.; Denisov, I. A.; Цегельник, С. С.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Знак, Д. А.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Shaikhutdinov, K. A.; Шубин, А. А.; Шестаков, Николай Петрович; Shestakov, N. P.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Гордеев, С. К.; Белобров, Петр Иванович; Belobrov, P. I.; "Высокие технологии в промышленности России", Международная научно-техническая конференция(2011 ; сент. ; 8-10 ; Москва)
}
Найти похожие

Чурилов, Сергей Николаевич.
Недовыреформировали? : [беседа с директором ИФ СО РАН о реформе учреждений РАН] / С. Н. Чурилов // НТО Наука. Техника. Образование. - 2015. - № 5. - С. 2-3

Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \коммент.\; Volkov, N. V.; \о нем\
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2561232 Российская Федерация

Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса / Д. А. Смоляков [и др.] ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2014124563/28 ; Заявл. 17.06.2014 ; Опубл. 27.08.2015. - по 20140617 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 24
Аннотация: Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет срр геометрию, где в качестве подложки используют п-Si, в качестве диэлектрика используют Si02 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на Si02 и нижнюю часть полупроводника п-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Густайцев, Артур Олегович; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

   В37
   Ц 59

    Цикалов, Виталий Сергеевич.
    Магнитные туннельные переходы на основе манганитов: магнитосопротивление, фотоэлектрический эффект, СВЧ детектирование : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / В. С. Цикалов ; науч. рук. Н. В. Волков ; офиц. опп.: Ф. А. Пудонин, Д. А. Великанов ; Рос. акад. наук [и др.]. - Красноярск, 2011. - 17 с. - Библиогр. - 70 экз. -

ГРНТИ

29.19.37

Рубрики:
Спинтроника--Материалы--Свойства электромагнитные--Исследование

Смотреть автореферат,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Пудонин, Ф. А. \офиц. опп.\; Великанов, Дмитрий Анатольевич \офиц. опп.\; Velikanov, D. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Свободных экз. нет}
Найти похожие

10.

   В37
   Ц 59

    Цикалов, Виталий Сергеевич.
    Магнитные туннельные переходы на основе манганитов: магнитосопротивление, фотоэлектрический эффект, СВЧ детектирование [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / В. С. Цикалов ; науч. рук. Н. В. Волков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2011. - 111 с. - Библиогр.: 92 назв. -

ГРНТИ

29.19.37

ББК В373.3я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov N.V.; Tsikalov V.S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

11.

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 38, Вып. 1. - С. 27-36. - Библиогр.: 13 назв. - Авторы выражают благодарность А.Г. Черкову за изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии. - Работа частично поддержана Российской академией наук (программа "спинтроника"), грантом РФФИ (10-02-91067-НЦНИ) и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН. . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin [Текст] / O. E. Tereshchenko [et al.] // Tech. Phys. Lett. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 38 Is. 1.- P.12-16

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, T. C.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S.N.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M.V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Латышев, А. В.
}
Найти похожие

12.

Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур / Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292. - Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
оксинитрид титана -- температурные сенсоры -- тонкие пленки -- атомно-слоевое осаждение -- элементы интегральных схем
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors [Текст] / F. A. Baron, L. V. Shanidze, M. V. Rautskiy [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48 Is. 10.- P.74-77

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Калининград, Россия

Доп.точки доступа:
Барон, Филипп Алексеевич; Baron, F. A.; Шанидзе, Лев Викторович; Shanidze, L. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Михлин, Ю. Л.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Коновалов, С. О.; Зеленов, Ф. В.; Швец, П. В.; Гойхман, А. Ю.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие

13.

Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79, DOI 10.31857/S1028096021010106. - Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022) . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
кремний-на-изоляторе -- транзистор -- барьер Шоттки -- электронная литография -- нанопроволока -- реактивно-ионное травление -- электронный транспорт
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties [Текст] / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15 Is. 1.- P.65-69

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Шанидзе, Лев Викторович; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Зеленов, Ф. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

14.

Теплоемкость и термодинамические свойства GaFeO3 в области 330–900 К / В. М. Денисов [и др.] // Неорг. материалы. - 2013. - Т. 49, № 12. - С. 1333-1335DOI 10.7868/S0002337X1312004X
Аннотация: Измерена теплоемкость мультиферроика GaFeO3 в широком интервале температур. По этим данным рассчитаны термодинамические функции (изменения энтальпии и энтропии).

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Heat capacity and thermodynamic properties of GaFeO3 in the range 330-900 K. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Денисов, Виктор Михайлович; Иртюго, Лилия Александровна; Денисова, Л. Т.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G.S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

15.

Теплоемкость и теплопроводность монокристаллов FexMn1-xS / Г. М. Абрамова [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, № 1. - С. 75-78 . - ISSN 0367-3294

ГРНТИ

29.19

Аннотация: Представлены результаты исследования тепловых свойств и теплопроводности монокристаллов однородных твердых растворов FexMn1-xS с кубической NaCl структурой, полученных при катионном замещении двухвалентных ионов марганца в моносульфиде марганца. Установлены аномалии теплоемкости и теплопроводности в области магнитного перехода. Катионное замещение сопровождается ростом температуры фазового перехода.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Карташев, Андрей Васильевич; Kartashev, A. V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Соколов, В. В.; Пичугин, А. Ю.
}
Найти похожие

16.

Теплоемкость Gd0.5Nd0.5Fe3(BO3)4 в интервале температур 344–1021 K [Текст] / Л. Т. Денисова [и др.] // Журн. физ. химии. - 2014. - Т. 88, № 10. - С. 1464-1466, DOI 10.7868/S0044453714100100. - Библиогр.: 13 назв. - Работа выполнена при частичной финансовой поддержке работ выполняемых в Сибирском федеральном университете в рамках Государственного задания Министерства образования и науки Российской Федерации. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
редкоземельные ферробораты -- высокотемпературная теплоемкость
Аннотация: Методом дифференциальной сканирующей калориметрии измерена молярная теплоемкость Gd0.5Nd0.5Fe3(BO3)4 в интервале температур 344-1041 K. По экспериментальным данным определены термодинамические свойства оксидного соединения.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Heat capacity of Gd0.5Nd0.5Fe3(BO3)4 in the temperature interval of 344–1021 K [Текст] / L. T. Denisova [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : Pleiades Publishing, 2014. - Vol. 88 Is. 10.- P.1626-1628

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Денисова, Л. Т.; Denisova L.T.; Денисов, Виктор Михайлович; Denisov V.M.; Гудим, Ирина Анатольевна; Gudim, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Чумилина, Любовь Геннадьевна; Chumilina L.G.; Темеров, Владислав Леонидович; Temerov, V. L.
}
Найти похожие

17.

Температурная теплоемкость Y2.93Ho0.07Fe5O12 / Б. А. Беляев, А. В. Изотов // Физ. тверд. тела. - 2012. - Т. 54, Вып. 11. - С. 2073-2075 . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Получены данные по теплоемкости Y2.93Ho0.07Fe5O12 в интервале 343−1000 K. Отмечено наличие корреляции между составом квазибинарной системы Fe2O3–Y2O3 и удельной теплоемкостью оксидных соединений. достигающие значений varepsilon~ 10˄7-10˄8, и вычислены времена релаксации структуры.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия High-temperature heat capacity of Y2.93Ho0.07Fe5O12 [Текст] / V. M. Denisov [et al.] // Phys. Solid State : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 54 Is. 11.- P.2205-2207

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Денисов, Виктор Михайлович; Денисова, Елена Александровна; Denisova, E. A.; Иртюго, Лилия Александровна; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Чумилина, Любовь Геннадьевна
}
Найти похожие

18.

   В37

    Тарасов, Антон Сергеевич.
    Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. С. Тарасов ; науч. рук. Н. В. Волков ; офиц. опп.: В. В. Вальков, Ю. Г. Кусраев ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг.: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова. - Красноярск, 2013. - 22 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.37

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Вальков, Валерий Владимирович \офиц. опп.\; Val'kov, V. V.; Кусраев, Ю. Г. \офиц. опп.\; Tarasov, A. S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие

19.

   В37
   Т 19

    Тарасов, Антон Сергеевич.
    Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. С. Тарасов ; науч. рук. Н. В. Волков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2013. - 124 с. - Библиогр.: 80 назв. -

ГРНТИ

29.19.37

ББК В373.3я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Tarasov, A.S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

20.

Тарасов, Антон Сергеевич.
Исследование влияния поверхностных и интерфейсных состояний на магнито- и спин-зависимый электронный транспорт в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник / А. С. Тарасов ; науч. рук. Н. В. Волков. - Электрон. текстовые дан. // II Отчетная конференция "Фундаментальные исследования молодых ученых Енисейской Сибири" : сборник материалов. - 2019. - С. 73-74. - Библиогр.: 8 . - ISBN 978-5-6042995-4-8

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского ФИЦ КНЦ Сибирского отделения Российской академии наук

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; "Фундаментальные исследования молодых ученых Енисейской Сибири", отчетная конференция(2 ; 2019 ; 12-13 дек. ; Красноярск); Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Сибирский федеральный университетИнститут физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие