Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (8)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Косырев, Николай Николаевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 126
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Швец, Василий Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Рыхлицкий С. В.
Заглавие : Эллипсометрический экспресс-метод определения показателя поглощения полупроводниковых наноструктур
Коллективы : "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция , Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН
Место публикации : 2-я Всерос. науч. конф. "Методы исслед. состава и структ. функциональных матер." (МИССФМ-2013): 21-25 окт. 2013, Новосибирск : сб. тезисов докл. - Новосибирск, 2013. - С. 334. - ISBN 978-5-906376-03-9
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тарасов, Иван Анатольевич, Косырев, Николай Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Жарков, Сергей Михайлович, Швец, Василий Александрович, Бондаренко С. Г., Терещенко О. Е.
Заглавие : Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO2/Si(100)
Место публикации : Журн. техн. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 82, Вып. 9. - С. 44-48
Примечания : Библиогр.: 18 назв. - Работа выполнена при поддержке Интеграционного проекта СО РАН-ДВО РАН No 22, Программы Президиума РАН No 27, Федеральной целевой программы ”Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009–2013 г.“, программы ОФН РАН No 4 ”Спинтроника"
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO2/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии " Ангара". Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тарасов, Иван Анатольевич, Косырев, Николай Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Жарков, Сергей Михайлович, Швец, Василий Александрович
Заглавие : Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и оптических постоянных наноструктур в процессе их роста
Коллективы : "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии", Школа
Место публикации : 6-я Школа "Метрология и стандарт. в нанотехнол. и наноиндустрии": 4-7 июня 2013 г., Екатеринбург. - 2013. - С. 60
Материалы школы
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Швец, Василий Александрович, Михайлов Н. Н., Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Рыхлицкий С. В., Яковлев, Иван Александрович
Заглавие : Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ
Место публикации : Журн. техн. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Заблуда, Владимир Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Швец В.А., Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В., Прокофьев .Ю.
Заглавие : Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в геторосистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2010. - Т. 51, № 1. - С. 104-108
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Заблуда, Владимир Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Швец В. А., Рыхлицкий С. В., Спесивцев Е. В., Прокопьев В. Ю.
Заглавие : Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в гетеросистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии
Коллективы : "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция
Место публикации : 1-я Всероссийская научная конференция "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов". МИССФМ-2009: Новосибирск, 11-16 окт. 2009 г. : тезисы докл. - Новосибирск, 2009. - С. 45
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Заглавие : Физика низкоразмерных систем и поверхностей : труды
Выходные данные : Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ АПСН, 2010
Колич.характеристики :336 с
Коллективы : Российская академия наук, Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Южный федеральный университет, Кабардино-Балкарский государственный университет, "Физика низкоразмерных систем и поверхностей", Международный междисциплинарный симпозиум (2; 3 - 8 сент. 2010 г.; Ростов-на-Дону)
Примечания : Библиогр. в конце ст. - Авт. указ.
ISBN, Цена 978-5-87872-560-6:
Содержание : In situ спектральный магнитоэллипсометр/ В. Н. Заблуда, Н. Н. Косырев. Ориентационные изменения структуры нематического жидкого кристалла на поверхности полимера при фазовом разделении в магнитном поле/ А. М. Паршин [и др.]. Исследование границ раздела молекулярных блоков эпоксидного полимера/ Н. С. Наумкин [и др.]. Способы выделения и магнитные свойства наночастиц ферригидрита биогенного происхождения/ С. В. Столяр [и др.]. Влияние триплетных состояний на спектр коллективных спин-поляронных возбуждений в 2D решетке Кондо/ В. В. Вальков, А. А. Шкляев, М. М. Коровушкин. Наноструктуры Ni-Ge: морфология и магнитные свойства/ Ю. Э. Гребенькова [и др.]. Особенности магнитооптических эффектов в пленках Co-P, полученных химическим осаждением/ А. В. Чжан [и др.]. Квантовые флуктуации в двухмерном антиферромагнетике с четырехспиновым взаимодействием кубической симметрии/ В. В. Вальков, Т. А. Валькова, А. А. Шкляев.
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Заглавие : Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы: получение, свойства, применение. V Ставеровские чтения : [сборник научных трудов]
Выходные данные : Красноярск: ИПК СФУ, 2009
Колич.характеристики :506 с
Коллективы : Сибирский федеральный университет, Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН, Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН, Институт биофизики Сибирского отделения РАН, Научно-техническая конференция с международным участием (15-16 октября 2009 года; Красноярск)
Примечания : Библиогр. в конце ст. - Указ. авторов
ISBN, Цена 978-5-7638-1568-9:
Содержание : / П. В. Новиков, Г. Н. Чурилов. / В. Ф. Шабанов. / В. А. Гуняков, С. А. Мысливец, А. М. Паршин. / Г. Н. Чурилов, И. В. Осипова, Э. А. Петраковская. / Р. С. Исхаков. / Р. С. Исхаков, С. В. Комогорцев, Е. А. Денисова. / К. П. Полякова. / С. М. Жарков. / В. Г. Исакова, Э. А. Петраковская. / Л. А. Чеканова. / С. В. Комогорцев, Р. С. Исхаков, В. К. Мальцев. / Д. В. Шевцов, Н. Н. Косырев, С. Н. Варнаков. / В. Г. Архипкин, С. А. Мысливец. / Г. Н. Чурилов. / С. В. Карпов, И. Л. Исаев. / М. Н. Крахалев, О. О. Прищепа, А. В. Шабанов. / Л. А. Чеканова, Р. С. Исхаков. / С. В. Комогорцев, Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова. / А. А. Иваненко, Н. П. Шестаков. / Г. А. Глущенко, Г. Н. Чурилов. / В. Г. Исакова, Г. Н. Чурилов. / О. А. Баюков, С. В. Столяр.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кобяков, Александр Васильевич, Турпанов, Игорь Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович, Руденко, Роман Юрьевич, Юшков, Василий Иванович, Косырев, Николай Николаевич
Заглавие : Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co
Место публикации : Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89, Вып. 2. - С. 268-273. - ISSN 0044-4642, DOI 10.21883/JTF.2019.02.47082.198-18
Примечания : Библиогр.: 18. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-02-00161-а).
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты для системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co с буферным слоем из Al2O3, полученные методом ионно-плазменного распыления. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления ионно-плазменным методом распыления и скорости напыления ему предшествующих слоев. Показано, что метод получения буферных слоев позволяет значительно снизить шероховатость поверхности последующих слоев. Полученные буферные слои могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания гетероструктур с туннельными переходами.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2583959!-988666158
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Заблуда, Владимир Николаевич
Заглавие : Способ определения матрицы мюллера .-
Коллективы : Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2016. - № 13
Аннотация: Изобретение относится к области оптических измерений и может быть использовано для полного определения состояния поляризации света, отраженного от поверхности исследуемого образца. Для определения матрицы Мюллера, исследуемый образец освещают поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на р- и s- компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка с интенсивностями IΨ1, IΨ2, IΔ1, IΔ2, при этом азимутальные углы оптических элементов принимают фиксированные значения в определенных комбинациях, поляризатор фиксируют в положениях Р=0°, -45°, +45°, анализатор в амплитудном канале АΨ=0°, 45°, фазовом канале АΔ=45°, ромб Френеля R=0 и проводят измерения, соответствующие следующим конфигурациям: A: P45SR0WΨ45WΔ45; B: P45SR0WΨ0WΔ45; F: P0SR0WΨ45WΔ45; E: P0SR0WΨ0WΔ45. Изменяют состояние поляризации падающего на образец света с линейной на круговую, устанавливая в оптический тракт перед образцом фазовую пластинку в положении D=0° и проводят измерения, соответствующие конфигурациям: С: P-45D0SR0WΨ0WΔ45; D: P-45D0SR0WΨ45WΔ45, а компоненты матрицы Мюллера Sij определяют, решая систему линейных уравнений. Изобретение обеспечивает возможность полного определения состояния поляризации света, отраженного от поверхности исследуемого образца, для нахождения всех компонент матрицы Мюллера.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие