Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (8)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Косырев, Николай Николаевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 126
Показаны документы с 1 по 20

Эллипсометрический экспресс-метод определения показателя поглощения полупроводниковых наноструктур / Н. Н. Косырев [и др.] // 2-я Всерос. науч. конф. "Методы исслед. состава и структ. функциональных матер." (МИССФМ-2013) : 21-25 окт. 2013, Новосибирск : сб. тезисов докл. - Новосибирск, 2013. - С. 334 . - ISBN 978-5-906376-03-9

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Швец, Василий Александрович; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Рыхлицкий, С. В.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН; "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция(2 ; 2013 ; окт. ; Новосибирск)
}
Найти похожие

Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и профилей оптических постоянных в процессе роста наноструктур Fe/SiO2/Si(100) / И. А. Тарасов [и др.] // Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 82, Вып. 9. - С. 44-48. - Библиогр.: 18 назв. - Работа выполнена при поддержке Интеграционного проекта СО РАН-ДВО РАН No 22, Программы Президиума РАН No 27, Федеральной целевой программы ”Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009–2013 г.“, программы ОФН РАН No 4 ”Спинтроника"
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO2/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии " Ангара". Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными рентгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Quick ellipsometric technique for determining the thicknesses and optical constant profiles of Fe/SiO2/Si(100) nanostructures during growth [Текст] / I. A. Tarasov [et al.] // Tech. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 57 Is. 9.- P.1225-1229

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S.M.; Швец, Василий Александрович; Shvets, V.A.; Бондаренко, С. Г.; Bondarenko, S.G.; Терещенко, О. Е.
}
Найти похожие

Эллипсометрическая экспресс-методика определения толщины и оптических постоянных наноструктур в процессе их роста [Текст] / И. А. Тарасов [и др.] // 6-я Школа "Метрология и стандарт. в нанотехнол. и наноиндустрии" : 4-7 июня 2013 г., Екатеринбург. - 2013. - С. 60

Материалы школы
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S.M.; Швец, Василий Александрович; Shvets, V.A.; "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии", Школа(6 ; 2013 ; июнь ; Екатеринбург)
}
Найти похожие

Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ / Н. Н. Косырев [и др.] // Журн. техн. физ. - 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38 . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers [Текст] / N. N. Kosyrev [et al.] // Tech. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 59 Is. 5.- P.736-739

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev N. N.; Швец, Василий Александрович; Михайлов, Н. Н.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Рыхлицкий, С. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие

Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в геторосистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии / Косырев Н.Н.Заблуда В.Н. [и др.] // Журнал структурной химии. - 2010. - Т. 51, № 1. - С. 104-108

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Швец, В.А.; Рыхлицкий, С.В.; Спесивцев, Е.В.; Прокофьев, .Ю.
}
Найти похожие

Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в гетеросистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии / Н. Н. Косырев, В. Н. Заблуда [и др.] // 1-я Всероссийская научная конференция "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов". МИССФМ-2009 : Новосибирск, 11-16 окт. 2009 г. : тезисы докл. - Новосибирск, 2009. - С. 45

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Швец, В. А.; Рыхлицкий, С. В.; Спесивцев, Е. В.; Прокопьев, В. Ю.; "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция(2009 ; ; Новосибирск)
}
Найти похожие

    Физика низкоразмерных систем и поверхностей : труды / Рос. акад. наук, Ин-т радиотехники и электроники , Юж. фед. ун-т, Кабардино-Балк. гос. ун-т. Международный междисциплинарный симпозиум "Физика низкоразмерных систем и поверхностей" (2 ; 3 - 8 сент. 2010 г. ; Ростов-на-Дону) ; сопред. орг. ком., предс. межд. прогр. ком. Ю. М. Гуфан. - Ростов н/Д : Изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ АПСН, 2010. - 336 с. - Библиогр. в конце ст. - Авт. указ. - 500 экз. - ISBN 978-5-87872-560-6 : Б. ц.
Перевод заглавия: Low dimensional systems (LDS-2)
    Содержание:
Заблуда, Владимир Николаевич. In situ спектральный магнитоэллипсометр / В. Н. Заблуда, Н. Н. Косырев. - С .92
Паршин, Александр Михайлович. Ориентационные изменения структуры нематического жидкого кристалла на поверхности полимера при фазовом разделении в магнитном поле / А. М. Паршин [и др.]. - С .71
Другие авторы: Гуняков В. А., Зырянов В. Я., Шабанов, Василий Филиппович
Наумкин, Н. С. Исследование границ раздела молекулярных блоков эпоксидного полимера / Н. С. Наумкин [и др.]. - С .298
Другие авторы: Шестаков Н.П., Иваненко А. А., Бурова О. В., Шестаков А. Б.
Столяр, Сергей Викторович. Способы выделения и магнитные свойства наночастиц ферригидрита биогенного происхождения / С. В. Столяр [и др.]. - С .130
Другие авторы: Баюков О. А., Исхаков Р. С., Ищенко Л. А., Ладыгина В.П., Кондратьева А. А.
Вальков, Валерий Владимирович. Влияние триплетных состояний на спектр коллективных спин-поляронных возбуждений в 2D решетке Кондо / В. В. Вальков, А. А. Шкляев, М. М. Коровушкин. - С .44
Гребенькова, Юлия Эрнестовна. Наноструктуры Ni-Ge: морфология и магнитные свойства / Ю. Э. Гребенькова [и др.]. - С .66
Другие авторы: Черниченко А. В., Марущенко Д. А., Великанов, Дмитрий Анатольевич, Турпанов, Игорь Александрович, Заблуда, Владимир Николаевич, Патрин, Геннадий Семёнович
Чжан, Анатолий Владимирович. Особенности магнитооптических эффектов в пленках Co-P, полученных химическим осаждением / А. В. Чжан [и др.]. - С .290
Другие авторы: Патрин Г. С., Середкин В. А., Кипарисов Сергей Яковлевич, Буркова, Людмила Викторовна, Задворный А. Г.
Вальков, Валерий Владимирович. Квантовые флуктуации в двухмерном антиферромагнетике с четырехспиновым взаимодействием кубической симметрии / В. В. Вальков, Т. А. Валькова, А. А. Шкляев. - С .47
   Перевод заглавия: Low dimensional systems (LDS-2)

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гуфан, Юрий Михайлович \сопред. орг. ком.\; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Турпанов, Игорь Александрович; Заблуда, Владимир Николаевич; Патрин, Геннадий Семёнович; Шабанов, Василий Филиппович; Ищенко, Л. А.; Ладыгина, Валентина Петровна; Кондратьева, А. А.; Кипарисов, Семен Яковлевич; Буркова, Людмила Викторовна; Задворный, А. Г.; Бурова, О. В.; Шестаков, А. Б.; Российская академия наук; Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Южный федеральный университет; Кабардино-Балкарский государственный университет; "Физика низкоразмерных систем и поверхностей", Международный междисциплинарный симпозиум (2 ; 3 - 8 сент. 2010 г. ; Ростов-на-Дону)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Косырев, Николай Николаевич.
Ферромагнетизм при комнатной температуре в двухслойной структуре Dy[1-x]Ni[x]/Ni: магнитооптические измерения in situ / Н. Н. Косырев, С. Г. Овчинников // Письма в "Журн. эксперим. и теор. физ.". - 2008. - Т. 88, Вып. 1-2. - С. 152-154 . - ISSN 0370-274X

ГРНТИ

29.19.39

Аннотация: Исследованы in situ двухслойные структуры Dy[1-x]Ni[z]/Ni непосредственно в сверхвысоковакуумной камере в процессе напыления с помощью поверхностного меридионального эффекта Керра по оригинальной методике. Показано ферромагн. упорядочение в слое сплава Dy[1-x]Ni[x] при комнатной температуре

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Kosyrev, N. N.
}
Найти похожие

Косырев, Николай Николаевич.
Установка для магнитооптических эллипсометрических исследований in situ магнитных наноструктур / Н. Н. Косырев ; науч. рук. С. Г. Овчинников // Конференция молодых ученых : сб. трудов / Рос. акад. наук [и др.]. - Красноярск, 2008. - С. 48-51

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Ovchinnikov, S. G.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАНКрасноярский научный центр Сибирского отделения РАН; Конференция молодых ученых КНЦ СО РАН(11 ; 2008 ; апр. ; 16 ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

10.

Косырев, Николай Николаевич.
Установка для магнитооптических эллипсометрических исследований in situ магнитных наноструктур / Н. Н. Косырев // Конференция молодых ученых / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Краснояр. науч. центр. Конференция молодых ученых КНЦ СО РАН (11 ; 2008 ; апр. ; 16 ; Красноярск). - Красноярск, 2008. - С. 48

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович \предс. орг. ком.\; Shabanov, V. F.; Москвичев, Владимир Викторович \зам. предс. орг. ком.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

11.

    Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы: получение, свойства, применение. V Ставеровские чтения : [сборник научных трудов] / Науч.-технич. конф. с междунар. участием, Сиб. федер. ун-т, Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Краснояр. науч. центр, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Ин-т химии и хим. технологии, Ин-т вычислит. моделирования, Ин-т биофизики ; отв. ред. В. Е. Редькин. - Красноярск : ИПК СФУ, 2009. - 506 с. - Библиогр. в конце ст. - Указ. авторов . - 325 экз. - ISBN 978-5-7638-1568-9 : Б. ц.
    Содержание:
Новиков, Павел Вадимович. / П. В. Новиков, Г. Н. Чурилов. - С .34
Шабанов, Василий Филиппович. / В. Ф. Шабанов. - С .45
Гуняков, Владимир Алексеевич. / В. А. Гуняков, С. А. Мысливец, А. М. Паршин. - С .51
Чурилов, Григорий Николаевич. / Г. Н. Чурилов, И. В. Осипова, Э. А. Петраковская. - С .57
Исхаков, Рауф Садыкович. / Р. С. Исхаков. - С .105
Исхаков, Рауф Садыкович. / Р. С. Исхаков, С. В. Комогорцев, Е. А. Денисова. - С .111
Полякова, Клавдия Павловна. / К. П. Полякова. - С .136
Жарков, Сергей Михайлович. / С. М. Жарков. - С .141, 144
Исакова, Виктория Гавриловна. / В. Г. Исакова, Э. А. Петраковская. - С .155
Чеканова, Лидия Александровна. / Л. А. Чеканова. - С .181
Комогорцев, Сергей Викторович. / С. В. Комогорцев, Р. С. Исхаков, В. К. Мальцев. - С .182
Шевцов, Дмитрий Валентинович. / Д. В. Шевцов, Н. Н. Косырев, С. Н. Варнаков. - С .187
Архипкин, Василий Григорьевич. / В. Г. Архипкин, С. А. Мысливец. - С .188
Чурилов, Григорий Николаевич. / Г. Н. Чурилов. - С .193
Карпов, Сергей Васильевич. / С. В. Карпов, И. Л. Исаев. - С .200, 201, 204, 206, 208, 210
Крахалев, Михаил Николаевич. / М. Н. Крахалев, О. О. Прищепа, А. В. Шабанов. - С .211
Чеканова, Лидия Александровна. / Л. А. Чеканова, Р. С. Исхаков. - С .216
Комогорцев, Сергей Викторович. / С. В. Комогорцев, Р. С. Исхаков, Л. А. Чеканова. - С .225
Иваненко, Александр Анатольевич. / А. А. Иваненко, Н. П. Шестаков. - С .355
Глущенко, Гарий анатольевич. / Г. А. Глущенко, Г. Н. Чурилов. - С .379
Исакова, Виктория Гавриловна. / В. Г. Исакова, Г. Н. Чурилов. - С .424
Баюков, Олег Артемьевич. / О. А. Баюков, С. В. Столяр. - С .431, 433

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Редькин, Виктор Ефимович \ред.\; Зырянов, Виктор Яковлевич; Архипкин, Василий Григорьевич; Шабанов, Василий Филиппович; Мальцев, вадим Константинович; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Сибирский федеральный университет; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАНИнститут вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт биофизики Сибирского отделения РАН; Научно-техническая конференция с международным участием (15-16 октября 2009 года ; Красноярск)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

12.

Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co / А. В. Кобяков [и др.] // Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89, Вып. 2. - С. 268-273, DOI 10.21883/JTF.2019.02.47082.198-18. - Библиогр.: 18. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-02-00161-а). . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты для системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co с буферным слоем из Al2O3, полученные методом ионно-плазменного распыления. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления ионно-плазменным методом распыления и скорости напыления ему предшествующих слоев. Показано, что метод получения буферных слоев позволяет значительно снизить шероховатость поверхности последующих слоев. Полученные буферные слои могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания гетероструктур с туннельными переходами.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Structural and Magnetic Properties of the Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co System [Текст] / A. V. Kobyakov [et al.] // Tech. Phys. - 2019. - Vol. 64 Is. 2.- P.236-241

Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Ачинский филиал Красноярского государственного аграрного университета, 662150 Ачинск, Красноярский край, Россия

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.
}
Найти похожие

13.

Описание изобретения к патенту 2583959 Российская Федерация

Способ определения матрицы мюллера / Н. Н. Косырев, В. Н. Заблуда ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2015110507/28 ; Заявл. 24.03.2015 ; Опубл. 10.05.2016 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2016. - № 13
Аннотация: Изобретение относится к области оптических измерений и может быть использовано для полного определения состояния поляризации света, отраженного от поверхности исследуемого образца. Для определения матрицы Мюллера, исследуемый образец освещают поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на р- и s- компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка с интенсивностями IΨ1, IΨ2, IΔ1, IΔ2, при этом азимутальные углы оптических элементов принимают фиксированные значения в определенных комбинациях, поляризатор фиксируют в положениях Р=0°, -45°, +45°, анализатор в амплитудном канале АΨ=0°, 45°, фазовом канале АΔ=45°, ромб Френеля R=0 и проводят измерения, соответствующие следующим конфигурациям: A: P45SR0WΨ45WΔ45; B: P45SR0WΨ0WΔ45; F: P0SR0WΨ45WΔ45; E: P0SR0WΨ0WΔ45. Изменяют состояние поляризации падающего на образец света с линейной на круговую, устанавливая в оптический тракт перед образцом фазовую пластинку в положении D=0° и проводят измерения, соответствующие конфигурациям: С: P-45D0SR0WΨ0WΔ45; D: P-45D0SR0WΨ45WΔ45, а компоненты матрицы Мюллера Sij определяют, решая систему линейных уравнений. Изобретение обеспечивает возможность полного определения состояния поляризации света, отраженного от поверхности исследуемого образца, для нахождения всех компонент матрицы Мюллера.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

14.

Описание изобретения к патенту 2560148 Российская Федерация

Способ измерения магнитооптических эффектов in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2014118809/28 ; Заявл. 08.05.2014 ; Опубл. 20.08.2015 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 23
Аннотация: Изобретение относится к области магнитных и магнитооптических измерений. Способ заключается в том, что исследуемый образец освещают линейно поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на p- и s-компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка. При этом к исследуемому образцу во время проведения измерений прикладывают переменное магнитное поле, при измерении меридионального эффекта Керра поляризатор фиксируют в положении P=0, а анализаторы в амплитудном и фазовом каналах A1,2=45°. Перемагничивание образца осуществляют с помощью вращающегося постоянного магнита и величину поворота плоскости поляризации α, пропорциональную проекции намагниченности на плоскость падения света, определяют по формуле. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения и информативности.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

15.

Описание изобретения к патенту 2660765 Российская Федерация

Способ бесконтактного измерения температуры in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. - № 2017104846 ; Заявл. 14.02.2017 ; Опубл. 09.07.2018 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2018. - № 19
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения физической температуры объекта по температурным изменениям его оптических постоянных, и может быть использовано для дистанционного измерения температуры объекта в промышленности, медицине, биологии, в физических исследованиях и др. Заявлен способ бесконтактного измерения температуры in situ, заключающийся в том, что образец освещают поляризованным светом и измеряют изменение интенсивности при отражении. В процессе измерения регистрируют отраженное от поверхности образца электромагнитное излучение с длиной волны в диапазоне 300-900 нм. Анализируют изменение интенсивности после отражения и находят температуру, решая следующее уравнение: M(T)=F(T), где М(Т) - среднее арифметическое данных об интенсивности со всех четырех фотоприемников эллипсометра, зависящее от температуры, F(T) - функция, вид которой зависит от исследуемого материала. Новым является то, что для зондирующего пучка задают состояние линейной поляризации с поворотом 0° и накапливают массив данных для дальнейшего усреднения, а также то, что предложенный способ позволяет измерять температуру образца от температуры 4 K до его термического разрушения. Технический результат - повышение точности измерения температуры in situ независимо от структуры отражающей поверхности и при температурах до 4 K. 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

16.

Косырев, Николай Николаевич.
Система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара» / Н. Н. Косырев, С. Н. Варнаков ; науч. рук. С. Г. Овчинников // Десятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10) : информ. бюллетень : сборник тезисов : в 2-х ч. / предс. науч. ком. М. В. Садовский. - Екатеринбург, 2004. - Ч. 2. - С. 1036-1037

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Садовский, Михаил Виссарионович \предс. науч. ком.\; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \науч. рук.\; Ovchinnikov, S. G.; Kosyrev, N. N.; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных(10 ; 2004 ; апр. ; 1-7 ; Москва); Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Российское физическое общество; Институт электрофизики УрО РАН
}
Найти похожие

17.

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2012618677 Российская Федерация

Система регистрации и анализа магнитоэллипсометрических данных (Valnadin) / С. А. Лященко [и др.]. - № 2012616431 ; Заявл. 27.07.2012. - Введ. с 24.09.2012 // Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2012

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D.V.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

18.

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2013619178 Российская Федерация

Система обработки и анализа данных одноволновой кинетической элипсометрии (SingleW) / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2013615682 ; Заявл. 08.07.2013. - Введ. с 26.09.2013 // Программы для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегральных микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2013

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I.A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N.N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I.A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

19.

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2015616615 Российская Федерация

Система анализа данных многоугловой спектральной элипсометрии (MultiW) / авт. пр. И. А. Тарасов, авт. пр. И. А. Яковлев, авт. пр. Н. Н. Косырев ; правообладатель: ФГБУН Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН. - № 2015613270 ; Заявл. 22.04.2015 ; Опубл. 20.07.2015 // Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 7
Аннотация: Программа предназначена для расчёта спектральных зависимостей оптических постоянных и параметра толщины тонких плёнок путём решения обратной задачи эллипсометрии для случая многоугловых измерений спектральных зависимостей эллипсометрических углов. Программа использует ряд методов и оптических моделей, позволяющих провести расширенный анализ оптических свойств, качества интерфейса и шероховатости поверхности исследуемых объектов. Получаемые сведения могут быть использованы для отработки технологических процессов получения планарных наноструктур и характеризации их электронных свойств в соответствующем диапазоне энергий.

Смотреть свид-во
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

20.

Синтез, структура и магнитные свойства тонкопленочной системы Al2O3/Ge-P/Al2O3/CO / А. В. Кобяков [и др.] // Актуальные проблемы микро- и наноэлектроники : сборник тез. докл. V Всерос. науч. молод. конф. с междунар. участием. - 2018. - С. 185 . - ISBN 978-5-7477-4646-6

РИНЦ,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; "Актуальные проблемы микро- и наноэлектроники", Всероссийская научная молодежная конференция с международным участием(5 ; 2018 ; май ; 28-31 ; Уфа); Башкирский государственный университет
}
Найти похожие