Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Краснов, Павел Олегович$<.>)
Общее количество найденных документов : 37
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-37 
1.


   
    Peculiarities of the decoration of carbon nanotubes with transition metal atoms / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. B. - 2011. - Vol. 5, Is. 1. - P. 163-167, DOI 10.1134/S1990793111010076. - Cited References: 12. - The authors thank Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences, for the possibility of using a cluster computer, and Siberian Federal University for providing a supercomputer, on which quantum-chemical calculations were performed. This work was financially supported by the Analytic Departmental Special-Purpose Program "The Development of the Scientific Potential of the Higher School (2009-2010)" (project no. 2.1.1/2584). . - ISSN 1990-7931
РУБ Physics, Atomic, Molecular & Chemical
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   SURFACE

   ENERGY

Кл.слова (ненормированные):
carbon nanotubes -- decoration -- transition metal atoms -- Carbon nanotubes -- Decoration -- Transition metal atoms
Аннотация: Carbon nanotubes decorated with transition metal, in particular, scandium, titanium, and vanadium, atoms offer promise for use in various applied science fields. We report the results of quantum-chemical calculations of the structure of the metallic layer of atoms of these metals coating the surface of (9, 0) and (10, 0) carbon nanotubes. It was shown that uniform one-layer coating by scandium and titanium could form on nanotubes with diameters no less than the diameter of (10, 0) nanotubes. Vanadium atoms could not uniformly cover nanotubes irrespective of their diameters.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Kuzubov, A. A.
Kozhevnikova, T. A.
Artyushenko, P. V.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, Russia
[Kuzubov, A. A.
Krasnov, P. O.
Popov, M. N.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Kuzubov, A. A.
Krasnov, P. O.] Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk, Russia
ИФ СО РАН
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Kirenskii Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian State Technological University, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Kozhevnikova, T. A.; Popov, M. N.; Artyushenko, P. V.
}
Найти похожие
2.


   
    Theoretical study of the influence of vacancies on the electronic structure of a hexagonal boron nitride monolayer / M. V. Serzhantova [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2011. - Vol. 112, Is. 4. - P. 664-667, DOI 10.1134/S1063776111030150. - Cited References: 19 . - ISSN 1063-7761
РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   TRANSITION

   ALGORITHM

   METALS

   ENERGY

Кл.слова (ненормированные):
Defect type -- Divacancies -- Forbidden band -- Hexagonal boron nitride -- Inhomogeneous distribution -- Nitrogen vacancies -- Spin densities -- Theoretical study -- Vacant levels -- Boron nitride -- Defects -- Deformation -- Density functional theory -- Electronic properties -- Electronic structure -- Magnetic moments -- Monolayers -- Nitrides -- Boron
Аннотация: The influence of boron and nitrogen vacancies and divacancies on the electronic structure of a hexagonal boron nitride h-BN monolayer is studied. In the presence of vacancies in the structure, the introduced states appear in the forbidden band. The position of an introduced state with respect to the upper occupied level and the lower vacant level depends on deformation. Calculations show that, depending on the defect type and the magnitude of the applied deformation, the introduced state can be both localized and not localized on atoms surrounding the defect. When the state is localized in the system, the inhomogeneous distribution of the spin density is observed, resulting in the appearance of the magnetic moment in the system.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Serzhantova, M. V.
Kuzubov, A. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660023, Russia
[Serzhantova, M. V.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Kuzubov, A. A.
Krasnov, P. O.] Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660049, Russia
[Kuzubov, A. A.
Fedorov, A. S.
Krasnov, P. O.
Tomilin, F. N.] Russian Acad Sci, Siberian Div, Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660023, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation
Siberian State Technological University, Krasnoyarsk 660049, Russian Federation
Kirenskii Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Serzhantova, M. V.; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич
}
Найти похожие
3.


   
    Теоретическое изучение термодинамической стабильности и электронной структуры тонких пленок 3C-, 2H-, 2D-карбида кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2014. - Т. 56, Вып. 8. - С. 1603-1607. - Библиогр.: 38 назв.
Аннотация: Карбид кремния --- один из самых распространенных материалов полупроводниковой техники. Тонкие пленки карбида кремния привлекательны с точки зрения создания приборов на основе гетеропереходов. Это связано с такой характерной особенностью данного соединения, как политипизм, приводящий к различию по физическим свойствам, а также осложняющий получение образцов материала высокого качества. В настоящей работе проводилось исследование термодинамической стабильности и электронной структуры ряда тонких пленок порядка нескольких нанометров на основе политипов 3C, 2H и 2D.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Толстая, А. В.
}
Найти похожие
4.


   
    Calculation of the energy of binding of titanium and scandium complexes to the surface of carbon nanotubes / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. B. - 2009. - Vol. 3, Is. 4. - P. 679-683, DOI 10.1134/S1990793109040289. - Cited References: 27. - This work was supported by the analytical departmental program "Development of Higher Education Potential (2009-2100)" (grant 2.1.1/2584) and by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 09-02-00324-a. . - ISSN 1990-7931
РУБ Physics, Atomic, Molecular & Chemical
Рубрики:
MOLECULAR-HYDROGEN COMPLEXES
   STORAGE

   TEMPERATURE

   TRANSITION

   DYNAMICS

   METALS

Аннотация: Complexes of zigzag-type carbon nanotubes (CNTs) with transition metal atoms, scandium and titanium, were studied. It was demonstrated that the energy of binding of both atoms with a carbon surface decreases whereas the rate of diffusion along the surface increases with increasing nanotube diameter. The rate constant of migration of scandium atoms over a CNT surface are several orders of magnitude higher than that for titanium atoms, because the CNT surface-Sc atom binding energy is substantially lower.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Institute of Natural and Humanitarian Sciences, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation
Kirenskii Institute of Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian State Technological University, Krasnoyarsk 660049, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Kozhevnikov, T. A.; Popov, M. A.; Analytical departmental program "Development of Higher Education Potential" [2.1.1/2584]; Russian Foundation for Basic Research [09-02-00324-a]
}
Найти похожие
5.


   
    Теоретическое изучение сорбции и диффузии водорода на поверхности и в объеме интерметаллида Mg2Ni / А. А. Кузубов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2014. - T. 56, Вып. 10. - С. 1970-1977. - Библиогр.: 30 . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Представлено теоретическое исследование интерметаллида Mg2Ni в качестве потенциального материала для хранения водорода. Рассмотрены процессы сорбции и диффузии атома водорода в объеме и на поверхности данного материала, а также постадийный процесс диссоциативной хемосорбции молекулы H2 на поверхности. Изучена зависимость энергии сорбции атомарного водорода от структурных характеристик интерметаллида Mg2Ni.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical investigation of the adsorption and diffusion of hydrogen on the surface and in the bulk of the intermetallic compound Mg2Ni [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Phys. Solid State : Pleiades Publishing, 2014. - Vol. 56 Is. 10.- P.2035-2042

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Ковалева, Евгения Андреевна; Холтобина, А. С.
}
Найти похожие
6.


   
    Theoretical investigation of the adsorption and diffusion of hydrogen on the surface and in the bulk of the intermetallic compound Mg2Ni / A. A. Kuzubov [et al.] // Phys. Solid State. - 2014. - Vol. 56, Is. 10. - P. 2035-2042, DOI 10.1134/S1063783414100187. - Cited References: 30 . - ISSN 1063-7834. - ISSN 1090-6460
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
STORAGE MATERIAL Mg2NiH4
   INITIO MOLECULAR-DYNAMICS

   AUGMENTED-WAVE METHOD

   MINIMUM ENERGY PATHS

   ELASTIC BAND METHOD

   TEMPERATURE STRUCTURE

   SADDLE-POINTS

   ALLOYS

   TRANSITION

   MAGNESIUM

Аннотация: The intermetallic compound Mg2Ni as a potential material for hydrogen storage has been investigated theoretically. The sorption and diffusion of a hydrogen atom in the bulk and on the surface of this material, as well as the step-by-step process of dissociative chemisorption of a H-2 molecule on the surface, have been considered. The dependence of the sorption energy of atomic hydrogen on the structural characteristics of the intermetallic compound Mg2Ni has been analyzed.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое изучение сорбции и диффузии водорода на поверхности и в объеме интерметаллида Mg2Ni [Текст] / А. А. Кузубов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2014. - T. 56 Вып. 10. - С. 1970-1977

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660049, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Kuklin, A. V.; Куклин, Артем Валентинович; Kovaleva, E. A.; Kholtobina, A. S.
}
Найти похожие
7.


   
    Characterization of LSMO/C60 spinterface by first-principle calculations / E. A. Kovaleva [et al.] // Org. Electron.: Phys. Mater. Appl. - 2016. - Vol. 37. - P. 55-60, DOI 10.1016/j.orgel.2016.06.021. - Cited References: 40. - This work was supported by the Russian Scientific Fund (Project No. 14-13-00139). The authors would like to thank Institute of Computational Modeling of SB RAS, Krasnoyarsk; Joint Supercomputer Center of RAS, Moscow; Center of Equipment for Joint Use of Siberian Federal University, Krasnoyarsk; ICC of Novosibirsk State University and Siberian Supercomputer Center (SSCC) of SB RAS, Novosibirsk for providing the access to their supercomputers. . - ISSN 1566-1199
РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   TOTAL-ENERGY CALCULATIONS

   AUGMENTED-WAVE METHOD

   ORGANIC SPIN-VALVES

   BASIS-SET

   SEMICONDUCTORS

   INJECTION

   SPINTRONICS

   TEMPERATURE

   ALGORITHM

Кл.слова (ненормированные):
C60 -- LSMO -- Spinterface -- DFT -- Magnetic ordering
Аннотация: Spinterface between fullerene C60 and La0 7Sr0 3MnO3 (LSMO) was studied by means of density functional theory. Co-existence of many different configurations was shown, and probabilities of their appearance were estimated. Dependence of composite properties on configuration and temperature was also investigated. Key role of transition metal atoms in both binding between composite compartments and magnetic ordering in C60 molecule was discussed. The latter was suggested to be responsible for spin-polarized charge transport while overall magnetic moment of fullerene molecule is relatively small. © 2016 Elsevier B.V.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Siberian Federal University, 79 Svobodny pr., Krasnoyarsk, Russian Federation
L.V. Kirensky Institue of Physics, 50 Akademgorodok, Krasnoyarsk, Russian Federation
Kyungpook National University, 80 Daekharo Bukgu, Daegu, South Korea
Siberian State Technological University, 82 Mira pr., Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Kovaleva, E. A.; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Avramov, P. V.; Аврамов, Павел Вениаминович; Kuklin, A. V.; Куклин, Артем Валентинович; Mikhaleva, N. S.; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович
}
Найти похожие
8.


   
    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие
9.


    Kuzubov, A. A.
    Theoretical study of interaction of transfer metals (Co, Fe) with Si (001) surface / A. A. Kuzubov, P. O. Krasnov, T. A. Kozhevnikova // Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering" : book of abstracts / предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P. 15

Материалы семинара

Доп.точки доступа:
Aleksandrov, K. S. \предс. сем.\; Александров, Кирилл Сергеевич; Patrin, G. S. \зам. предс. сем.\; Патрин, Геннадий Семёнович; Ovchinnikov, S. G. \зам. предс. сем.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N. \чл. лок. ком.\; Косырев, Николай Николаевич; Fedorov, A. S. \чл. лок. ком.\; Федоров, Александр Семенович; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Kozhevnikova, T. A.; Кожевникова, Т. А.; Кузубов, Александр Александрович; "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop(2009 ; Aug. ; 24-28 ; Krasnoyarsk); Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие
10.


   
    Фотоннокристаллический микрорезонатор с управляемой добротностью / П. О. Краснов, П. С. Панкин, Д. С. Бузин [и др.] // XXXIII Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени профессора А.П. Сухорукова (Волны-2022) : сборник трудов. - 2022. - Секция: Нанофотоника, метаматериалы и фотонные кристаллы. - С. 22-23. - Библиогр.: 2. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РНФ (проект № 22-22-00687)

Материалы конференции,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева
Сибирский федеральный университет
АО "НПП" Радиозавод", Красноярск

Доп.точки доступа:
Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Панкин, Павел Сергеевич; Pankin, P. S.; Бузин, Даниил Сергеевич; Buzin, D. S.; Романенко, Гавриил Александрович; Сутормин, Виталий Сергеевич; Sutormin, V. S.; Наболь, Степан Васильевич; Nabol, S. V.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Зеленов, Ф. В.; Масюгин, Альберт Николаевич; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Ветров, Степан Яковлевич; Vetrov, S. Ya.; Тимофеев, Иван Владимирович; Timofeev, I. V.; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Волны-2022, Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени А. П. Сухорукова(33 ; 2022 ; 5-10 июня ; Можайск, Моск. обл.); "Волновые явления: физика и применения", Всероссийская школа-семинар имени А. П. Сухорукова(33 ; 2022 ; 5-10 июня ; Можайск, Моск. обл.)
}
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-37 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)