Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Лукьяненко, Анна Витальевна$<.>)

Общее количество найденных документов : 140
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Lukyanenko A. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Frequency-dependent magnetotransport properties of the schottky diode based on the Fe3Si/p-Si hybrid structure
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.III.22.02o. - P. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Dorofeev N. V., Rautckii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetoresistance of the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.IX.24.02p. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device
Место публикации : J. Surf. Invest.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P.984-994. - ISSN 1027-4510, DOI 10.1134/S1027451015050432
Примечания : Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetoresistance--magnetotransport properties--photoconductivity--bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Dorofeev N. V., Ovchinnikov S. G., Varnakov S. N., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic and transport properties of Fe3Si on the Si (111) substrate
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.59
Примечания : Библиогр.: 2. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Anisotropy of the magnetoimpedance in hybrid hetero structure FeNi/SiO2/p-Si
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.111
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The magnetoimpedance effect in the Fe3Si/p-Si structure
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.161
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : The dc magnetotransport properties of the Mn/SiO2/p-Si diode
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.173
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic resonance characterization of the single-crystal epitaxial Fe3Si film on the Si(111) substrate
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conf. on physics and technol. of nanostructured mater. (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.III.24.04p. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Примечания : Библиогр.: 3. - The work was supported in part by the Grant of the President of the Pussian Federation and the Pussian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/insulator/semiconductor hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.I4.4. - P.214. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--magnetoresistance--magnetoimpedance
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Tarasov I. A., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Lukyanenko A. V., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic Resonance Study of the epitaxial Fe3Si(111) film on the Si(111) substrate
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.O5.5. - P.253. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): iron silicide--fmr--magnetic anisotropy
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Volochaev M. N., Eremin E. V., Korobtsov V .V., Balashev V. V., Vikulov V. A., Solovyov L. A., Volkov N. V.
Заглавие : Characterization and magnetotransport properties of textured Fe3O4 films
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.O10.21. - P.465. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 2. - This work was partially supported by RFBR project no. 14-02-00234, the RAS «Far East» Program No 0262-2015-0057
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetite--texture film--spin-dependent transport
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Volochaev M. N., Bondarev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : FIB and photolithography fabrication of low-dimensional devices based on the Co/Al2O3/Ge/Al2O3/Si hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P10.17. - P.485. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): spin injection--hybrid structures--fib
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рауцкий, Михаил Владимирович, Тарасов, Антон Сергеевич, Бондарев, Илья Александрович, Лукьяненко, Анна Витальевна, Волочаев, Михаил Николаевич, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Магнитотранспортные свойства гибридной структуры Co/Al2O3/Ge/Al2O3/Si с наноразмерным полупроводниковым каналом
Коллективы : "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф./ Иркутский гос. ун-т. - Иркутск, 2016. - С. 115. - ISBN 978-591-345-152-1: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф. BICMM-2016/ "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference (7 ; 2016 ; Aug. ; 22–26 ; Listvyanka, Irkutsk region), Иркутский гос. ун-т; чл. прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. С. Аплеснин, С. Г. Овчинников. - ISBN 978-591-345-152-1
Материалы конференции,
Чиать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рауцкий, Михаил Владимирович, Лукьяненко, Анна Витальевна, Волочаев, Михаил Николаевич, Еремин, Евгений Владимирович, Коробцов, Владимир Викторович, Викулов В. А., Соловьев, Леонид Александрович, Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Структурные и магнитотранспортные свойства текстурированных пленок Fe3O4, синтезированных на подложке Si (001) методом реактивного осаждения
Коллективы : "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф./ Иркутский гос. ун-т. - Иркутск, 2016. - С. 184-185. - ISBN 978-591-345-152-1: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф. BICMM-2016/ "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference (7 ; 2016 ; Aug. ; 22–26 ; Listvyanka, Irkutsk region), Иркутский гос. ун-т; чл. прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. С. Аплеснин, С. Г. Овчинников. - ISBN 978-591-345-152-1
Примечания : Библиогр.: 3 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект № 14-02-00234
Материалы конференции,
Чиать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Волочаев, Михаил Николаевич, Апрелкова Т. Е., Патрин, Геннадий Семёнович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Методика получения низкоразмерных устройств методами фотолитографии и фокусированного ионного пучка
Коллективы : "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф./ Иркутский гос. ун-т. - Иркутск, 2016. - С. 229-230. - ISBN 978-591-345-152-1: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф. BICMM-2016/ "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference (7 ; 2016 ; Aug. ; 22–26 ; Listvyanka, Irkutsk region), Иркутский гос. ун-т; чл. прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. С. Аплеснин, С. Г. Овчинников. - ISBN 978-591-345-152-1
Примечания : Библиогр.: 1 назв.
Материалы конференции,
Чиать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/ p -Si hybrid structure
Место публикации : AIP Adv.: American Institute of Physics, 2017. - Vol. 7, Is. 1. - Ст.015206. - ISSN 21583226 (ISSN), DOI 10.1063/1.4974876
Примечания : Cited References: 29. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research Projects Nos. 16-42-242036 and 16-42-243046, the Russian Ministry of Education and Science, state assignment no. 16.663.2014K.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electric fields--impact ionization--ionization--magnetic fields--magnetism--manganese--schottky barrier diodes--effect of magnetic field--high magnetic fields--low temperatures--magnetic and electric fields--magnetotransport effects--magnetotransport phenomena--schottky barriers--switching devices--magnetic field effects
Аннотация: We report on abrupt changes in dc resistance and impedance of a diode with the Schottky barrier based on the Mn/SiO2/p-Si structure in a magnetic field. It was observed that at low temperatures the dc and ac resistances of the device change by a factor of more than 106 with an increase in a magnetic field to 200 mT. The strong effect of the magnetic field is observed only above the threshold forward bias across the diode. The ratios between ac and dc magnetoresistances can be tuned from almost zero to 108% by varying the bias. To explain the diversity of magnetotransport phenomena observed in the Mn/SiO2/p-Si structure, it is necessary to attract several mechanisms, which possibly work in different regions of the structure. The anomalously strong magnetotransport effects are attributed to the magnetic-field-dependent impact ionization in the bulk of a Si substrate. At the same time, the conditions for this process are specified by structure composition, which, in turn, affects the current through each structure region. The effect of magnetic field attributed to suppression of impact ionization via two mechanisms leads to an increase in the carrier energy required for initiation of impact ionization. The first mechanism is related to displacement of acceptor levels toward higher energies relative to the top of the valence band and the other mechanism is associated with the Lorentz forces affecting carrier trajectories between scatterings events. The estimated contributions of these two mechanisms are similar. The proposed structure is a good candidate for application in CMOS technology-compatible magnetic- and electric-field sensors and switching devices.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Marnetic-field sensitivity of charge transport in silicon-based hybrid structures : Invited
Коллективы : Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity, International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics
Место публикации : International workshop on actual problems of condensed matter physics: Program. Book of abstracts/ Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - С. 10 (Шифр В37/H99-812624296)
Материалы совещания
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/p-Si hybrid structure
Коллективы : Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity, International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics
Место публикации : International workshop on actual problems of condensed matter physics: Program. Book of abstracts/ Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P.21 (Шифр В37/H99-812624296)
Материалы совещания
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Luyanenko A. V., Tarasov A. S., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Smolyarova T. E., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Fabrication of multi-terminal planar devices based on epitaxial Fe1-xSix films grown on Si(111)
Коллективы : Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity, International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics
Место публикации : International workshop on actual problems of condensed matter physics: Program. Book of abstracts/ Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P.28 (Шифр В37/H99-812624296)
Материалы совещания
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic field-driven lateral photovoltaic effect in the Fe/SiO2/p-Si hibrid structure with the Scottky barrier
Коллективы : Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity, International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics
Место публикации : International workshop on actual problems of condensed matter physics: Program. Book of abstracts/ Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P.29 (Шифр В37/H99-812624296)
Материалы совещания
Найти похожие