Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Мацынин, Алексей Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 85
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

    Solid-state formation of ferromagnetic germanides in 40gE/60mNetamagnetism, giant magnetostriction and magnetocaloric [Текст] / V. G. Myagkov // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P211 . - ISBN 978-5-7444-3124-2
   Перевод заглавия: Твердофазное формирование германидов в 40Ge/60Mn пленках: магнитные и структурные свойства

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Mikhlin, Yu. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x / В. Г. Мягков [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 96, Вып. 1-2. - С. 42-45. - Библиогр.: 36 назв. . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge : 20Mn атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная Mn5Ge3-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при ～ 120 °C. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 300 °C приводит к началу синтеза Mn11Ge8-фазы, которая становится доминирующей при 400 °C. На основании анализа приведенных результатов и результатов, полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в Mn-Ge системе в районе ～ 120 и ～ 300 °C. Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза Mn5Ge3- и Mn11Ge8-фаз при твердофазных реакциях в Ge/Mn-пленках 80Ge : 20Mn атомного состава и при фазовом расслоении в GexMn1-x (x 0.95) разбавленных полупроводниках.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Phase transformations in the Mn-Ge system and in Ge x Mn1-x diluted semiconductors [Текст] / V. G. Myagkov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 96 Is. 1.- P.40-43

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V.G.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov V.S.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin A.A.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Bondarenko G.V.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko G. N.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin G.S.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov D. A.
}
Найти похожие

Магнитные свойства пленок MnGe разного состава, полученных твердофазным синтезом / A. A. Мацынин [и др.] // Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных : материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 621-622

Материалы конференции,
Обложка
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V.G.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V.S.; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18 ; 2012 ; 25 март.-5 апр. ; Красноярск)
}
Найти похожие

    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие

Formation of ferromagnetic germanides by solid-state reactions in 20Ge/80Mn films / V. G. Myagkov [et al.] // Thin Solid Films. - 2014. - Vol. 552. - P. 86-91, DOI 10.1016/j.tsf.2013.12.029. - Cited References: 53 . - ISSN 0040-6090

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Materials Science, Coatings & Films + Physics, Applied + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
PHASE-FORMATION
   MAGNETIC-PROPERTIES
   Mn5Ge3 FILMS
   X-RAY
   Ge(111)
   TRANSFORMATIONS
   DIFFUSION
   SPECTRA
   SYSTEM
   LAYERS
Кл.слова (ненормированные):
Manganite-germanium -- Solid state reaction -- First phase -- Mn5Ge3 alloy -- Carbon impurity -- Oxygen impurity -- Annealing -- Magnetic anisotropy
Аннотация: Solid state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy, and magnetic and electrical measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 20:80 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~ 120°C, the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is the first phase to form at the 20Ge/80Mn interface. As the annealing temperature increases to 300°C, the weak magnetic Mn5Ge 2 + Mn3Ge phases simultaneously begin to grow and they become dominant at 400°C. Increasing the annealing temperature to 500°C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 350-360 K and magnetization 14-25 kA/m at room temperature. The X-ray diffraction study of the samples shows the reflections from the Mn 5Ge3 phase, and the photoelectron spectra contain the oxygen and carbon peaks. The homogeneous distribution of oxygen and carbon over the sample thickness suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn 5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5Ge3CxOy. The initiation temperature (~ 120 C) is the same in the Mn5Ge3 phase with the solid-state reactions in the Ge/Mn films as well as in the phase separation in the GexMn1 - x diluted semiconductors. Thus, we conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn 1 - x diluted semiconductors.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660049, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Mikhlin, Y. L.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yurkin, G. Yu.; Юркин, Глеб Юрьевич
}
Найти похожие

Phase transformations in the Mn-Ge system and in Ge x Mn1-x diluted semiconductors / V. G. Myagkov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 96, Is. 1. - P. 40-43, DOI 10.1134/S0021364012130097. - Cited References: 36 . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
MAGNETIC-PROPERTIES
THIN-FILMS
Аннотация: Results of an X-ray diffraction study as well as magnetic and electrical measurements of the solid-state reactions in Ge/Mn polycrystalline films of an 80/20 atomic composition have been presented. It has been shown that the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is formed first on the Ge/Mn interface after annealing at similar to 120A degrees C. The further increase in the annealing temperature to 300A degrees C leads to the beginning of the synthesis of the Mn11Ge8 phase, which becomes dominating at 400A degrees C. The existence of new structural transitions in the Mn-Ge system in the region of similar to 120 and similar to 300A degrees C has been predicted on the basis of the presented results and results obtained earlier when studying solid-state reactions in different film structures. The supposition about the general chemical mechanisms of the synthesis of the Mn5Ge3 and Mn11Ge8 phases during the solid-state reactions in the Ge/Mn films of the 80/20 atomic composition and the phase separation in Ge (x) Mn1 - x (x 0.95) diluted semiconductors has been substantiated.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x [Текст] / В. Г. Мягков [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 96 Вып. 1-2. - С. 42-45

Держатели документа:
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.
Matsynin, A. A.
Bykova, L. E.
Bondarenko, G. V.
Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.
Matsynin, A. A.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Bondarenko, G. N.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич
}
Найти похожие

Synthesis of ferromagnetic germanides in 40Ge/60Mn films: Magnetic and structural properties / V. G. Myagkov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 167-172, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.167. - Cited References: 28 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Diluted semiconductors -- Manganese germanides -- Solid-state reactions -- Spinodal decomposition
Аннотация: Solid-state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy and magnetic measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 40:60 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~120 °C, the ferromagnetic Mn5Ge phase is the first phase to form at the 40Ge/60Mn interface. Increasing the annealing temperature to 500 °C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 360 K and magnetization MS ~ 140-200 emu/cc at room temperature. Analysis of X-ray diffraction patterns and the photoelectron spectra suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5GeXCxOy. The initiation temperature (~120 °C) of the Mn5Ge3 phase is the same both for solid-state reactions in Ge/Mn films, as well as for phase separation in GexMn1-x diluted semiconductors. We conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn1-x diluted semiconductors. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Matsunin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

   В37
   М 36

    Мацынин, Алексей Александрович.
    Фазовые, структурные и магнитные превращения в пленочных системах Fe/Mn и Mn/Ge при вакуумном отжиге [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / A. A. Мацынин ; науч. рук. В. Г. Мягков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 110 с. - Библиогр.: 135 назв. -

ГРНТИ

29.19.16

ББК В371.26я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич \науч. рук.\; Myagkov, V. G.; Matsynin, A. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

Solid state synthesis and characterization of Fe-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films / V. G. Myagkov [et al.] // J. Alloys Compd. - 2015. - Vol. 636. - P. 223-228, DOI 10.1016/j.jallcom.2015.02.012. - Cited References:48 . - ISSN 0925. - ISSN 1873-4669. -

РУБ Chemistry, Physical + Materials Science, Multidisciplinary + Metallurgy &
Рубрики:
HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
ENERGETIC MATERIALS
MAGNETIC-PROPERTIES
Кл.слова (ненормированные):
Thermite reactions -- Reactive films -- Ferromagnetic nanocomposite films -- ZrO2
Аннотация: Fe-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films are successfully synthesized using a thermite reaction between the Zr and Fe2O3 layers. The initial Zr/Fe2O3 bilayers were obtained by the deposition of Zr layers on alpha-Fe2O3 films at room temperature. The mixing at the Zr/Fe2O3 interface and synthesis of alpha-Fe and the amorphous ZrO2 phases start at a temperature above the initiation temperature T-in similar to 250 degrees C. Together with the formation of alpha-Fe, partial transformation from Fe2O3 to Fe3O4 occurs after annealing at 300 degrees C. The secondary reaction between Fe3O4 and Zr starts soon after the Fe2O3 is converted to the Fe3O4 phase. The crystallization of amorphous ZrO2 and the formation of the ZrO2 cubic/tetragonal phase occurs above 400 degrees C. After annealing at 500 degrees C the reaction products contain (110) textured alpha-Fe nanocrystals with a diameter of about 34 nm embedded in an insulating c-ZrO2 (or t-ZrO2) matrix. The synthesized Fe-ZrO2 nanocomposite films possess soft magnetic behavior, high magnetization and good chemical stability. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660049, Russia.

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна
}
Найти похожие

10.

Solid-state synthesis, structural and magnetic properties of CoPd films / V. G. Myagkov [et al.] // Phys. Solid State. - 2015. - Vol. 57, Is. 5. - P. 1014-1022, DOI 10.1134/S1063783415050236. - Cited References:57. - This study was supported in part by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 15-02-00948). . - ISSN 1063. - ISSN 1090-6460. -

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
   EPITAXIAL THIN-FILMS
   CENTERED-CUBIC CO
   MARTENSITIC TRANSFORMATIONS
   PHASE SYNTHESIS
   SINGLE-CRYSTAL
   FE FILMS
   CO/PD MULTILAYERS
   RECORDING MEDIA
   ANISOTROPY
Аннотация: The results of the investigation of the structural and magnetic properties of CoPd films with equiatomic composition have been presented. The films have been synthesized by vacuum annealing of polycrystalline Pd/Co and epitaxial Pd/α-Co(110) and Pd/β-Co(001) bilayer samples. It has been shown that, for all samples, the annealing to 400°C does not lead to the mixing of layers and the formation of compounds. A further increase in the annealing temperature results in the formation of a disordered CoPd phase at the Pd/Co interface, which is fully completed after annealing at 650°C. The epitaxial relationships between the disordered CoPd phase and the MgO(001) substrate are determined as follows: CoPd(110)〈1¯11|| MgO(001)〈100〉 and CoPd(001)[100] || MgO(001)[100], which are formed in the Pd/αCo(110) and Pd/βCo(001) films, respectively. According to the calculations, the first magnetocrystalline anisotropy constants of the disordered CoPd phase for Pd/αCo(110) and Pd/βCo(001) samples have close values: = –(1.6 ± 0.4) × 105 erg/cm3. A possible mechanism of the solidstate synthesis of the CoPd alloy is proposed.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Твердофазный синтез, структурные и магнитные свойства пленок CoPd [Текст] / В. Г. Мягков [и др.] // Физ. тверд. тела : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2015. - Т. 57 Вып. 5. - С. 999-1006

Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Rybakova, A. N.; Russian Foundation for Basic Research [15-02-00948]
}
Найти похожие