Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Фазовые превращения нитридов железа Fe3N–Fe4N при давлении до 30 ГПа, исследованные методом in situ рентгеновской дифрактометрии / К. Д. Литасов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 98, Вып. 11-12. - С. 907-911, DOI 10.7868/S0370274X13240090. - Библиогр.: 23 назв. - Исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (соглашения # 14.B37.21.1261 и 14.В25.31.0032), а также при частичной поддержке интеграционного проекта СО РАН #97 на 2012—2014 гг. Эксперименты проводились в рамках сотрудничества между Институтом геологии и минералогии им. В. С. Соболева СО РАН и Университетом Тохоку по программе GCOE "Advanced Science and Technology Center for the Dynamic Earth". . - ISSN 0370-274X
Аннотация: В работе определены параметры ɛ-Fe3Nx (где x = 0.8), стабильность нитрида в системе Fe–N при давлениях до 30 ГПа и температурах до 1273 К. В результате приближения P−V−T - данных с помощью уравнения состояния Винэ и термических параметров в рамках подхода Ми-Грюнайзена-Дебая найдены следующие величины для ɛ-Fe3N0.8: V0 = 81.48(2)Å[[p]]3[[/p]], KT = 162(3) ГПА, KT = 4.0 = 1.66(2), ɣ0 = 555 К и q = 1. Аномального изменения объема ячейки в связи с возможными магнитными переходами не обнаружено. Установлена нестабильность Fe4N при высоком давлени и Fe3N в условиях дефицита азота в системе. При этом в интервале температур 300–673 К и давлений 20–30 ГПа стабильной фазой вместо ɛ-Fe3N0.8 становится как раз ɛ-Fe3N.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Phase transformations of Fe3N-Fe4N iron nitrides at pressures up to 30 GPa studied by in situ X-ray diffractometry [Текст] / K. D. Litasov [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 98 Is. 12.- P.805-808

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, 660036, Красноярск
Новосибирский государственный университет, 630090, Новосибирск
Институт геологии и минералогии им. Соболева СО РАН, 630090, Новосибирск

Доп.точки доступа:
Литасов, Константин Дмитриевич; Шацкий, А. Ф.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Пономарев, Д. С.; Отани, Е.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование нитридов железа γ'-Fe4N и ε-FexN при давлениях до 500 ГПа / З. И. Попов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2015. - Т. 101, Вып. 5-6. - С. 405-409, DOI 10.7868/S0370274X15060028. - Библиогр.: 27. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект #14-17-00601), грантов Президента РФ для молодых ученых MD- 500.2013.5, НШ-2886.2014.2, в рамках программы Министерства образования и науки Российской Федерации (ф 14.В25.31.0032), проекта 2.16 президиума РАН . - ISSN 0370-274X
Аннотация: При помощи ab initio расчетов определены параметры уравнений состояний стехиометрических и нестехиометрических фаз нитридов железа γ'-Fe4N, ε-Fe3N0.75, ε-Fe3N, ε-Fe3N1.25, ε-Fe3N1.5 в интервале давлений до 500 ГПа. Найдены точки резкого падения и исчезновения магнитного момента на атомах железа. Показано, что некоторые изменения магнитного момента сопровождаются изменением объема элементарной ячейки исследованных нитридов. Рассчитанные параметры уравнений состояния демонстрируют, что с увеличением содержания азота сжимаемость как магнитных, так и немагнитных нитридов железа закономерно уменьшается.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of γ′-Fe4N and ɛ-FexN iron nitrides at pressures up to 500 GPa [Текст] / Z. I. Popov [et al.] // JETP Letters. - 2015. - Vol. 101 Is. 6.- P.371-375

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Литасов, Константин Дмитриевич; Гаврюшкин, Павел Николаевич; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.
}
Найти похожие

   Г5
   П 58

    Попов, Захар Иванович.
    Теоретическое исследование материалов для сорбции водорода и лития [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / З. И. Попов ; науч. рук. А. С. Федоров ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2013. - 106 с. - Библиогр.: 152 назв. -

ГРНТИ

31.15.35

44.31.39

31.01.77

ББК Г583я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович \науч. рук.\; Fedorov, A. S.; Popov Z.I.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

   Г5

    Попов, Захар Иванович.
    Теоретическое исследование материалов для сорбции водорода и лития : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / З. И. Попов ; науч. рук. А. С. Федоров ; офиц. опп.: Л. Г. Булушева, Е. Н. Булгаков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг. Ин-т катализа им. Г.К. Борескова. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2013. - 22 с. - Библиогр. - 70 экз. -

ГРНТИ

31.15.35

44.31.39

31.01.77

Рубрики:
Водород, аккумулирование--Теоретическая химия--Автоматизация расчетов
энергетика водородная--источники--исследование

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович \науч. рук.\; Fedorov, A. S.; Булушева, Любовь Геннадьевна \офиц. опп.\; Булгаков, Евгений Николаевич \офиц. опп.\; Bulgakov, E. N.; Popov, Z. I.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163 . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon // JETP Letters : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 95, Вып. 3-4. - С. 159-163. - Библиогр.: 26 назв. - Работа была поддержана Федеральной целевой программой "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы". Авторы выражают благодарность Институту компьютерного моделирования СО РАН, Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, а также компьютерному центру Сибирского федерального университета за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых и были произведены все расчеты. . - ISSN 0370-274X

ГРНТИ

29.19.17

Рубрики:
SJB
   SJR
   SJF
   SJH
Аннотация: Методом аb initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. С использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon [Текст] / A. S. Fedorov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 95 Is. 3.- P.143-147

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие

10.

Подвижность вакансии при деформации и их влияние на упругие свойства графена / А. С. Федоров, Д. А. Федоров, З. И. Попов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, № 5. - С. 938-942 . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Методом ab initio в рамках формализма функционала плотности проведено исследование влияния изолированных вакансий на упругие свойства листа графена. Обнаружена почти линейная отрицательная зависимость модулей Юнга от концентрации вакансий. Рассчитана зависимость высоты потенциальных барьеров для движения вакансий в различных направлениях от величины различных независимых приложенных деформаций. На основе теории переходного состояния вычислены зависимости скорости движения вакансий от приложенных деформаций при различных температурах.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Федоров, Д. А.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Ананьева, Ю. Е.; Елисеева, Н. С.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.
}
Найти похожие