Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Г5/П 58 рукописный текст
Автор(ы) : Попов, Захар Иванович
Заглавие : Теоретическое исследование материалов для сорбции водорода и лития : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2013
Колич.характеристики :106 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 152 назв.
ГРНТИ : 31.15.35 + 44.31.39 + 31.01.77
ББК : Г583я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Fedorov A. S., Serzhantova M. V., Denisov V. M., Tomilin F. N.
Заглавие : Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it
Место публикации : JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P.634-638. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364013110088
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Сержантова, Мария Викторовна, Денисов, Виктор Михайлович, Томилин, Феликс Николаевич
Заглавие : Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736. - DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна
Заглавие : Исследование влияния концентрации лития на скорость диффузии в кристаллическом кремнии
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 2. - С. 225-228
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Popov Z. I., Fedorov D. A., Eliseeva N. S., Serjantova M. V., Kuzubov A. A.
Заглавие : DFT investigation of the influence of ordered vacancies on elastic and magnetic properties of graphene and graphene-like SiC and BN structures
Место публикации : Phys. Status Solidi B. - 2012. - Vol. 249, Is. 12. - P.2549-2552. - ISSN 0370-1972, DOI 10.1002/pssb.201200105
Примечания : Cited References: 32. - The work was supported by The Ministry of education and science of Russia, project 14.B37.21.0163. The authors express their gratitude to the Joint Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences, Moscow and the supercomputer center of the Moscow State University (SKIF-MGU) for the possibility of using their computer clusters to perform all calculations.
Предметные рубрики: WALLED CARBON NANOTUBES
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AB-INITIO
DEFECTS
STATE
MONOLAYER
POINTS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): boron nitride--carbon silicide--elastic properties--graphene--magnetic properties--vacancies
Аннотация: Influence of ordered monovacancies on elastic properties of graphene is theoretically investigated by density functional theory (DFT) calculations. Inverse linear dependence of the graphene Young's modulus on the concentration of vacancies has been revealed and migration rate of the vacancies has been calculated as a function of applied strain. It is shown that the migration rate can be controlled by applying various strains or temperatures. The influence of ordered monovacancies on magnetic properties of graphene as well as graphene-like hexagonal carbon silicide (2D-SiC) and the boron nitride (h-BN) structures is investigated. It is established that the presence of vacancies in all systems yields the appearance of local magnetic moment. However, in 2D-SiC structure the magnetic moment occurs only in the case of a Si vacancy. Influence of the distance between vacancies on the ferromagnetic or anti-ferromagnetic ordering for all structures is established. (C) 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous silicon
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012030058
Примечания : Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013).
Предметные рубрики: ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
AB-INITIO
INFREQUENT EVENTS
SIMULATION
RELAXATION
HYDROGEN
POINTS
SI
Аннотация: The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline silicon has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline silicon subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous silicon with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous silicon is much faster than that in crystalline silicon; this relation is confirmed experimentally.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2012. - Т. 95, Вып. 3-4. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Примечания : Библиогр.: 26 назв. - Работа была поддержана Федеральной целевой программой "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы". Авторы выражают благодарность Институту компьютерного моделирования СО РАН, Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, а также компьютерному центру Сибирского федерального университета за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых и были произведены все расчеты.
ГРНТИ : 29.19.17
Предметные рубрики: SJB
SJR
SJF
SJH
Аннотация: Методом аb initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. С использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Попов, Захар Иванович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 3. - С. 159-163. - ISSN 0370-274X
Аннотация: Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I.
Заглавие : Theoretical study of the lithium diffusion in the crystalline and amorphous silicon, as well as on its surface at different lithium concentrations
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P.133-134
Материалы конференции
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Popov Z. I., Fedorov A. S., Litasov K. D., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The iron carbides at high pressures studied by first principles calculations: Revisited
Коллективы : Crystallogenesis and Mineralogy, International Conference (3; 2013 ; 27 Sept.-1 Oct. 1; Novosibirsk)
Место публикации : 3 Int. Conf. “Crystallogenesis and Mineralogy": Abstracts. - 2013. - P.316-317
Материалы конференции
Найти похожие