Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Смоляков, Дмитрий Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 47
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2561232!-747417514
Автор(ы) : Смоляков, Дмитрий Александрович, Волков, Никита Валентинович, Густайцев, Артур Олегович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса .- по 20140617
Коллективы : Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 24
Аннотация: Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет срр геометрию, где в качестве подложки используют п-Si, в качестве диэлектрика используют Si02 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на Si02 и нижнюю часть полупроводника п-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Волочаев, Михаил Николаевич, Комогорцев, Сергей Викторович, Мягков, Виктор Григорьевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Жигалов, Виктор Степанович, Шестаков, Николай Петрович, Великанов, Дмитрий Анатольевич, Смоляков, Дмитрий Александрович, Лукьяненко, Анна Витальевна, Рачек В. Б., Логинов Ю. Ю., Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мацынин, Алексей Александрович
Заглавие : Структурные и магнитные характеристики однослойных и многослойных наногранулированных пленок Co-Al2O3, полученных методом твердофазного синтеза
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2018. - Т. 60, Вып. 7. - С. 1409–1415. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2018.07.46132.025
Примечания : Библиогр.: 35. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта N 16-03-00069. Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта: "Исследование коэффициента теплопроводности и структурных особенностей в тонких наноструктурированных оксидных пленках, перспективных для термоэлектрического применения".
Аннотация: Представлены результаты структурных и магнитных исследований наногранулированных пленок Co-Al2O3, формирующихся из тонкопленочных слоистых Co3O4/Al структур в процессе вакуумного отжига. Пленки Co3O4/Al получены последовательным реактивным магнетронным распылением мишени металлического кобальта в среде, состоящей из смеси газов Ar+O2 и магнетронным распылением алюминиевой мишени в среде чистого аргона. Показано, что такой подход позволяет получать тонкие однослойные и многослойные наногранулированные пленки Co-Al2O3 с хорошо контролируемым размером магнитных гранул и их распределением по толщине пленки.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тарасов, Антон Сергеевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Лукьяненко, Анна Витальевна, Смоляков, Дмитрий Александрович, Бондарев, Илья Александрович, Яковлев, Иван Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Синтез и спин-зависимый транспорт в гибридных структурах на основе силицида железа
Коллективы : "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Российский федеральный ядерный центр - ВНИИТФ им. Е.И. Забабахина
Место публикации : XIII Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов": тезисы докладов. - 2019. - С. 68. - ISBN 978-5-9500855-6-7
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Смоляков, Дмитрий Александрович, Еремин, Евгений Владимирович, Молокеев, Максим Сергеевич, Зобов К. В., Волочаев, Михаил Николаевич, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Низкотемпературные диэлектрические и магнитные свойства композитных наночастиц латуни, полученных на ускорителе электронов методом электронно-лучевого испарения из двухзонного тигля
Колич.характеристики :6 с
Место публикации : Физ. твердого тела. - 2024. - Т. 66, Вып. 1. - С. 88-93. - ISSN 03673294 (ISSN), DOI 10.61011/FTT.2024.01.56942.209. - ISSN 17267498 (eISSN)
Примечания : Библиогр.: 19
Аннотация: Представлены результаты исследования композитных наночастиц латуни Cu/Zn, полученных из двухзонного тигля с использованием ускорителя электронов для облучения мишени. Проведена характеризация, определен химический и фазовый состав изготовленных образцов с помощью просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеноструктурного анализа. Изучены диэлектрические свойства нанопорошка. Обнаружены особенности активационного типа. Оценена энергия активационного процесса. Магнитные свойства образца демонстрируют парамагнитный характер, что было ожидаемо ввиду состава нанопорошка. Однако на фоне парамагнитного вклада имеется ферромагнитная фаза, которая хорошо проявляется при низких температурах и практически исчезает при комнатной температуре. Это указывает на то, что какая-то часть композитных наночастиц обладает дальним магнитным порядком при низких температурах.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/С 51 рукописный текст
Автор(ы) : Смоляков, Дмитрий Александрович
Заглавие : Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO2/p-Si и Mn/SiO2/n-Si : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11
Выходные данные : Красноярск, 2017
Колич.характеристики :113 с
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 105 назв.
ГРНТИ : 29.19.37
ББК : В373.3я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Смотреть диссертацию,
Смотреть автореферат
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Смоляков, Дмитрий Александрович, Тарасов, Антон Сергеевич, Волков, Никита Валентинович, Варнаков, Сергей Николаевич, Густайцев, Артур Олегович
Заглавие : Магнитоимпеданс гибридных структур на основе кремния с барьером Шоттки
Коллективы : "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф./ Иркутский гос. ун-т. - Иркутск, 2016. - С. 180. - ISBN 978-591-345-152-1: тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф. BICMM-2016/ "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference (7 ; 2016 ; Aug. ; 22–26 ; Listvyanka, Irkutsk region), Иркутский гос. ун-т; чл. прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. С. Аплеснин, С. Г. Овчинников. - ISBN 978-591-345-152-1
Примечания : Библиогр.: 2 назв. - Данная работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ проект № 14-02-00234-a
Материалы конференции,
Чиать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рауцкий, Михаил Владимирович, Шанидзе, Лев Викторович, Лукьяненко, Анна Витальевна, Смоляков, Дмитрий Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Бондарев, Илья Александрович
Заглавие : Магнитозависимый фотовольтаический эффект в гибридной структуре Mn/SiO2/N-Si
Коллективы : Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - С. 112. - ISBN 978-5-00133-051-6
Примечания : Библиогр.: 1
РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Смоляков, Дмитрий Александрович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Бондарев, Илья Александрович, Яковлев, Иван Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Влияние сильного магнитного поля на транспортные свойства МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si на переменном токе
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ. - 2022. - Т. 162, Вып. 3. - С. 432-439. - ISSN 0044-4510, DOI 10.31857/S0044451022090176
Примечания : Библиогр.: 38. - Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности (проект No 20-42-243007)
Аннотация: Были проведены исследования транспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной ориентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии ES примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поля и может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The magnetoimpedance effect in the Fe3Si/p-Si structure
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.161
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : The dc magnetotransport properties of the Mn/SiO2/p-Si diode
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.173
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Gustaitsev A. O., Volkov N. V.
Заглавие : The bias-controlled magnetoimpedance effect in a MIS structure
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: N. Perov, A. Semisalova: Trans Tech Publications Ltd, 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P.451-455. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.451. - ISSN 978-3-03835-482-6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): bias--magnetoimpedance--mis-structure--magnetic fields--schottky barrier diodes--temperature distribution--applied magnetic fields--bias--giant magneto impedance effect--lower temperatures--magneto-impedance--magneto-impedance effects--mis structure--temperature dependence--magnetism
Аннотация: We report the giant magnetoimpedance effect in a ferromagnetic metal/insulator/semiconductor (MIS) diode with the Schottky barrier based on the Fe/SiO2/n-Si structure. It was established that the applied magnetic field strongly influences the impedance of the structure in the temperature range 10—30 K. In this range, there is the pronounced peak in the temperature dependence of the real part of the impedance at frequencies from 10 Hz to 1 MHz. The effect of the magnetic field manifests itself as a shift of the peak of the real part of the impedance. Under the action of a bias voltage of 5 V, the peak of the real part of the impedance similarly shifts toward lower temperatures with and without applied magnetic field. © (2015) Trans Tech Publications, Switzerland.
Scopus,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Balashov V. V., Korobtsov V .V.
Заглавие : The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]
Место публикации : Appl. Phys. Lett.: American Institute of Physics, 2014. - Vol. 104, Is. 22. - Ст.222406. - ISSN 0003-6951, DOI 10.1063/1.4881715. - ISSN 1077-3118
Примечания : Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project Nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; and the Russian Ministry of Education and Science, Project No. 02.G25.31.0043.
Предметные рубрики: MAGNETO-IMPEDANCE
FILMS
Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The Bias-Controlled Frequency-Dependent ac Transport Properties of the FeNi/SiO2/p-Si Schottky Diode
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.84
Материалы конференции
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The bias-controlled frequency-dependent ac transport properties of the FeNi/SiO2/p-Si Schottky diode
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.111
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volochaev M. N., Komogortsev S. V., Myagkov V. G., Bykova L. E., Zhigalov V. S., Shestakov N. P., Velikanov D. A., Smolyakov D. A., Luk'yanenko A. V., Rachek V. B., Loginov, Yu. Yu., Tambasov I. A., Matsynin A. A.
Заглавие : Structural and magnetic characteristics of nanogranular Co-Al2O3 single- and multilayer films formed by the solid-state synthesis
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [16-03-00069]; Russian Foundation for Basic Research, Government of the Krasnoyarsk Territory; Krasnoyarsk Territorial Foundation [18-42-243010 r_mol_a]
Место публикации : Phys. Solid State. - 2018. - Vol. 60, Is. 7. - P.1425-1431. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783418070302. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Cited References: 35. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 16-03-00069 and the Russian Foundation for Basic Research, Government of the Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243010 r_mol_a.
Предметные рубрики: NANOCOMPOSITE THIN-FILMS
FERROMAGNETIC-RESONANCE
GRANULAR FILMS
Аннотация: The results of structural and magnetic investigations of nanogranular Co–Al2O3 films formed from Co3O4/Al thin-film layered structures upon vacuum annealing are reported. The Co3O4/Al films have been obtained by sequential reactive magnetron sputtering of a metallic cobalt target in a medium consisting of the Ar + O2 gas mixture and magnetron sputtering of an aluminum target in the pure argon atmosphere. It is shown that such a technique makes it possible to obtain nanogranular Co–Al2O3 single- and multilayer thin films with a well-controlled size of magnetic grains and their distribution over the film thickness.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Smolyakov D. A., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [18-42-243022]; Russian Foundation for Basic Research [18-32-00035]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [II.8.70]; Fundamental research program of the Presidium of the RAS [32]
Место публикации : Semicond. Sci. Technol. - 2019. - Vol. 34, Is. 3. - Ст.035024. - ISSN 0268-1242, DOI 10.1088/1361-6641/ab0327. - ISSN 1361-6641(eISSN)
Примечания : Cited References: 56. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project. 18-42-243022 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research by project no. 18-32-00035. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 "Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies"
Предметные рубрики: ALLOYS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): spin accumulation--interface states--hybrid structures--hanle effect--iron silicide
Аннотация: Spin accumulation effect in Fe3Si/p-Si structure with low boron doped silicon substrate was found. Calculated spin lifetimes are comparable with results reported earlier but for structures with highly doped semiconductors (SC) with or without a tunnel barrier introduced between the SC and ferromagnet (FM). Electrical characterization of a prepared Fe3Si/p-Si diode allowed the determination of possible reasons for the pronounced spin signal. Analysis of the forward bias I-V curve revealed a Schottky barrier at the Fe3Si/p-Si interface with a height of φBp = 0.57 eV. Then, using impedance spectroscopy, we observed interface states localized in the band gap of silicon with energy of E LS = 40 meV. Such states most probably cause the observed spin signal. We believe that in our experiment, spin-dependent hole extraction was performed via the interface states resulting in the minority spin accumulation in the silicon valence band. The observed effect paves the way to the development of different spintronic devices based on FM/SC structures without dielectric tunneling barriers.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Smolyakov D. A., Eremin E. V., Patrin G. S., Turpanov I. A., Jushkov V. I., Lee L. A.
Заглавие : Spin pumping and conversion of spin current into charge current in Co/Y3Fe5012 bilayer structure
Коллективы : "Spin Waves", International Simposium, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Место публикации : Spin Waves 2011, Int. Symp.: program, abstracts. - СПб., 2011. - P.73
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Smolyakov D. A., Bondarev I. A., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Masyugin A. N., Volochaev M. N., Kosyrev N. N., Volkov N. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Optically tunable magnetoimpedance in Fe/Al2O3/p-Si
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.IV.31.11p. - P.120. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work was partially supported by the Ministry of Education and Science, Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies». The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project № 18-42-243022.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Dorofeev N. V., Bondarev I. A., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetotransport properties of the Mn/SiO2/p-Si hybrid structures
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.69
Примечания : Библиогр.: 4. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Bondarev I. A., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Smolyakov D. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetotransport phenomena and spin accumulation in MIS structures
Коллективы : International Russian-Chinese Symposium "New Materials and Technologies"
Место публикации : J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1347, Is. 1. - Ст.012006. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1347/1/012006. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 32. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, project No 17-02-00302.
Аннотация: The present work is devoted to magnetic transport in Fe/SiO2/p-Si, Mn/SiO2/p-Si and Fe3Si/p-Si hybrid structure. For Mn/SiO2/p-Si diode extremely large values of magnetoresistance were observed (105 % for AC and 107 % for DC) which is explained by impact ionization process that can be suppressed by the magnetic field. Lateral photovoltaic effect in Fe/SiO2/p-Si have also shown a strong dependence on the magnetic field in low-temperature region (the relative change of photovoltage exceeded 103 %). In Fe3Si/p-Si spin accumulation was found via 3-terminal Hanle measurements. We believe that the magnetic field affects electric transport through Lorentz force and through the interface states which are localized at the insulator/semiconductor or metal/semiconductor interfaces. Such states play a decisive role in magnetotrasnport as their energy can be controlled by a magnetic field. In Fe3Si/p-Si they also participate in spin-dependent tunneling, causing spin injection from the Fe3Si film into the silicon.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие