Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Тамбасов, Игорь Анатольевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 99
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тамбасов, Игорь Анатольевич.
Магнитные и структурные свойства композитных In[[d]]2[[/d]]O3 – Fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]] пленок / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - С. 14 . - ISBN 978-5-85827-756-9

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V.G.; Tambasov I.A.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(5 ; 2012 ; 21-25 сент. ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(5 ; 2012 ; сент. ; 21-25 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(5 ; 2012 ; Sept. 21-25 ; Listvyanka, Irkutsk)Восточно-сибирская государственная академия образования; Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

Тамбасов, Игорь Анатольевич.
Магнитные и структурные свойства композитных In2O3 – Fe3O4 / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков // Магнитные материалы. Новые технологии" : тезисы докладов : тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - Ст. O-8. - С. 13 . - ISBN 978-5-85827-756-9

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Tambasov, I. A.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(5 ; 2012 ; 21-25 сент. ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(5 ; 2012 ; сент. ; 21-25 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(5 ; 2012 ; Sept. 21-25 ; Listvyanka, Irkutsk)Восточно-сибирская государственная академия образования; Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие

Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550
Аннотация: Пленки кубической фазы In2O3 получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20--40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In2O3, полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400--1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1.8· 10-2 Ом·см.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov I.A.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V.G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev I.V.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova L.E.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Максимов, И. А.; Иванов, В. В.; Балашов, С. В.; Карпенко, Д. С.
}
Найти похожие

Проводимость тонких In2O3 пленок при воздействии ультрафиолетового излучения и низких температурах / И. А. Тамбасов, Д. С. Саврвнский // Школа-конференция молодых ученых "Неорганические соединения и функциональные материалы" (ICFM-2013) : [программа и сборник тезисов докладов]. - Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2013. - С. 85

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Савранский, Д. С.; Неорганические соединения и функциональные материалы, школа-конференция молодых ученых, посвященная памяти профессора С. В. Земскова(2013)
}
Найти похожие

Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductors. - 2013. - Vol. 47, Is. 4. - P. 569-573DOI 10.1134/S1063782613040210
Аннотация: Cubic-phase In2O3 films are produced by the autowave oxidation reaction. Electron microscopy and photoelectron spectroscopy of the atomic profiles show that the samples are homogeneous over the entire area and throughout the thickness, with the typical grain size being 20–40 nm. The optical and electrical properties are studied for In2O3 films fabricated at different pressures in the vacuum chamber. In the wave-length range from 400 to 1100 nm, the transparency of the films was higher than 85%; the resistivity of the films was 1.8 × 10–2Ω cm.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirenskii Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660049, Russia
Joint Stock Co Academician MF Reshetnev Informat, Zheleznogorsk 662972, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Mihlin, J. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Maksimov, I. A.; Максимов И. А.; Ivanov, V. V.; Иванов В. В.; Balashov, S. V.; Балашов С. В.; Karpenko, D. S.; Карпенко Д. С.
}
Найти похожие

    Magnetic and structural properties of nanocomposite fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]]-ZnO films prepared by solid-state synhesis [Текст] / V. G. Myagkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism. [[b]]EASTMAG – 2013[[/b]] : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P134 . - ISBN 978-5-7444-3124-2
   Перевод заглавия: Магнитные и структурные свойства пленочных Fe3O4-ZnO нанокомпозитов полученных твердофазным синтезом

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко Геннадий Васильевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Тамбасов, Игорь Анатольевич.
Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков, А. А. Иваненко // XI Рос. конф. по физ. полупроводников : Тезисы докладов. - СПб. : Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст. Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161 . - ISBN 978-5-93634-033-3
Кл.слова (ненормированные):
Поверхность -- Пленки -- Слои

Смотреть тезисы
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Tambasov, I. A.; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Российская конференция по физике полупроводников (11 ; 2013 ; сент. ; 16–20 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие

Synthesis of ferromagnetic germanides in 40Ge/60Mn films: Magnetic and structural properties / V. G. Myagkov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 167-172, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.167. - Cited References: 28 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Diluted semiconductors -- Manganese germanides -- Solid-state reactions -- Spinodal decomposition
Аннотация: Solid-state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy and magnetic measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 40:60 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~120 °C, the ferromagnetic Mn5Ge phase is the first phase to form at the 40Ge/60Mn interface. Increasing the annealing temperature to 500 °C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 360 K and magnetization MS ~ 140-200 emu/cc at room temperature. Analysis of X-ray diffraction patterns and the photoelectron spectra suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5GeXCxOy. The initiation temperature (~120 °C) of the Mn5Ge3 phase is the same both for solid-state reactions in Ge/Mn films, as well as for phase separation in GexMn1-x diluted semiconductors. We conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn1-x diluted semiconductors. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Matsunin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

10.

   В37

    Тамбасов, Игорь Анатольевич.
    Тонкие In2O3,Fe-In2O3 и Fe3O4-ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства : автореф. дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. А. Тамбасов ; науч. рук. В. Г. Мягков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 22 с. - Библиогр. -

29.19.16

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич \науч. рук.\; Myagkov, V. G.; Tambasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАНИнститут химии и химической технологии Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие