Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Тамбасов, Игорь Анатольевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 99
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Галина Николаевна, Mikhlin Y. L., Максимов И. А., Иванов В. В., Балашов С. В., Карпенко Д. С.
Заглавие : Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Физ. и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550
Аннотация: Пленки кубической фазы In2O3 получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20--40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In2O3, полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400--1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1.8· 10-2 Ом·см.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Ivanenko A. A., Nemtsev I. V., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Mihlin J. L., Maksimov I. A., Ivanov V. V., Balashov S. V., Karpenko D. S.
Заглавие : Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation
Место публикации : Semiconductors. - 2013. - Vol. 47, Is. 4. - P.569-573. - DOI 10.1134/S1063782613040210
Аннотация: Cubic-phase In2O3 films are produced by the autowave oxidation reaction. Electron microscopy and photoelectron spectroscopy of the atomic profiles show that the samples are homogeneous over the entire area and throughout the thickness, with the typical grain size being 20–40 nm. The optical and electrical properties are studied for In2O3 films fabricated at different pressures in the vacuum chamber. In the wave-length range from 400 to 1100 nm, the transparency of the films was higher than 85%; the resistivity of the films was 1.8 × 10–2Ω cm.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Tambasov I. A., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Nemtsev I. V., Bykova L. E., Bondarenko G. N.
Заглавие : Magnetic and structural properties of nanocomposite fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]]-ZnO films prepared by solid-state synhesis
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism. [[b]]EASTMAG – 2013[[/b]]: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 134. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич
Заглавие : Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Коллективы : Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Российская конференция по физике полупроводников (11; 2013 ; сент. ; 16–20; Санкт-Петербург)
Место публикации : XI Рос. конф. по физ. полупроводников: Тезисы докладов. - СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст.Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161. - ISBN 978-5-93634-033-3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): поверхность--пленки--слои
Смотреть тезисы
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Ежикова Е. В., Максимов И. А., Иванов В. В.
Заглавие : Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Физ. и техника полупроводников: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 48, Вып. 2. - С. 220-224. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: 42 назв. - Работа выполнена при поддержке ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2007-2013 годы" (госконтракт № 14.513.11.0023).
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52% при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения: 15Ом/с первые 30 с и 7Ом/с в остальное время. Результаты ИК спектроскопии пленок оксида индия показали, что фотооблучение приводит к уменьшению на 2.4% коэффициента пропускания на длине волны 6.3 мкм. После прекращения облучения наблюдалось постепенное увеличение коэффициента пропускания со скоростью 0.006%/с. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения электрических и оптических свойств In2O3-пленок.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич
Заглавие : Магнитные и структурные свойства композитных In[[d]]2[[/d]]O3 – Fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]] пленок
Коллективы : Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Восточно-сибирская государственная академия образования, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - С. 14. - ISBN 978-5-85827-756-9
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Ivanenko A. A., Bykova L. E., Yozhikova E. V., Maksimov I. A., Ivanov V. V.
Заглавие : Effect of exposure to optical radiation and temperature on the electrical and optical properties of In2O3 films produced by autowave oxidation
Коллективы : Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0023]
Место публикации : Semiconductors: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 48, Is. 2. - P.207-211. - ISSN 1063-7826, DOI 10.1134/S1063782614020286. - ISSN 1090-6479
Примечания : Cited References: 42. - This study was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Federal Targeted Program "Research and Development in Priority Fields of Development of the Science and Technology Complex of Russia for 2007-2013", state contract no. 14.513.11.0023.
Предметные рубрики: GAS SENSOR RESPONSE
INDIUM OXIDE-FILMS
THIN-FILMS
HIGH-PERFORMANCE
TIN OXIDE
TRANSPARENT CONDUCTORS
SUBSTRATE-TEMPERATURE
ROOM-TEMPERATURE
TRANSISTORS
PHOTOREDUCTION
Аннотация: Indium-oxide films are synthesized by the autowave-oxidation reaction. It is shown that, upon exposure to optical radiation, the resistance of the films sharply decreases and the maximal relative change in the resistance is 52% at room temperature. Two resistance relaxation rates after termination of the irradiation, 15 Omega s(-1) during the first 30 s and 7 Omega s(-1) over the remaining time, are determined. The data of infrared spectroscopy of the films show that exposure to optical radiation induces a 2.4% decrease in the transmittance at a wavelength of 6.3 mu m. It is found that, after termination of the irradiation, the transmittance gradually increases with a rate of 0.006% s(-1). It is suggested that photoreduction is the dominant mechanism responsible for changes in the electrical and optical properties of the In2O3 films.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Myagkov V. G., Tambasov I. A., Bayukov O. A., Zhigalov V. S., Bykova L. E., Mikhlin Yu. L., Volochaev M. N., Bondarenko G. N.
Заглавие : Solid state synthesis and characterization of ferromagnetic nanocomposite Fe-In2O3 thin films
Место публикации : J. Alloys Compd.: Elsevier Science, 2014. - Vol. 612. - P.189-194. - ISSN 0925-8388, DOI 10.1016/j.jallcom.2014.05.176. - ISSN 1873-4669
Примечания : Cited References: 56
Предметные рубрики: HIGH-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
PHASE-FORMATION
In2O
OXIDE
NANOPARTICLES
CO
SEMICONDUCTORS
NANOCRYSTALS
COMBUSTION
SYSTEMS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): thermite reactions--reactive films--ferromagnetic nanocomposite films--transparent conducting oxides
Аннотация: We have successfully synthesized ferromagnetic Fe-In2O 3 nanocomposite thin films for the first time using the thermite reaction Fe2O3 + In = In2O3 + Fe. The initial In/Fe2O3 bilayers were obtained by the deposition of In layers on α-Fe2O3 films. The reaction occurs in a self-propagating mode in a homogeneous thermal film plane field at heating rates above 20 K/s and at temperatures above initiation temperature T[[d]]in[[/d]] ~ 180 °C. At heating rates lower than 20 K/s the mixing of the In and Fe2O3 layers occurs across the whole In/Fe2O3 interface and the synthesis of the ferromagnetic α-Fe phase starts above the initiation temperature T[[d]]in[[/d]] = 180 °C. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, Mossbauer spectroscopy, transmission electron microscopy and magnetic measurements were used for phase identification and microstructure observation of the synthesized Fe-In2O3 samples. The reaction products contain (1 1 0) textured α-Fe nanocrystals with a diameter around 100 nm and surrounded by an In2O3 matrix. These results enable new efficient low-temperature methods for synthesizing ferromagnetic nanocomposite films containing ferromagnetic nanoclusters embedded in transparent conducting oxides. © 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Г 62 рукописный текст
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич
Заглавие : Тонкие In2O3,Fe-In2O3 и Fe3O4-ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2014
Колич.характеристики :116 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.16
ББК : В371.26я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие