Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Тарасов, Антон Сергеевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 186
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Magnetic-field- and bias-sensitive conductivity of a hybrid Fe/SiO 2/p-Si structure in planar geometry / N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2011. - Vol. 109, Is. 12. - Ст. 123924. - P. , DOI 10.1063/1.3600056 . - ISSN 0021-8979
Кл.слова (ненормированные):
Channel switching -- Comparative analysis -- Fe films -- Fe layer -- Ferromagnetic films -- High temperature -- Hybrid structure -- Inversion layer -- Metal-insulator-semiconductors -- Negative magneto-resistance -- Planar geometries -- Positive magnetoresistance -- Schottky barriers -- Semiconductor substrate -- Temperature variation -- Weak localization -- Critical currents -- Electric resistance -- Ferromagnetic materials -- Geometry -- Magnetic fields -- Magnetoelectronics -- Magnetoresistance -- Metal insulator boundaries -- Metal insulator transition -- MIS devices -- Schottky barrier diodes -- Silicon -- Silicon compounds -- Switching circuits -- Transport properties -- Semiconducting silicon
Аннотация: Pronounced magnetic-field- and bias-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the metal-insulator-semiconductor (MIS) transition with a Schottky barrier near the interface between SiO2 and p-Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and a magnetic field. Positive magnetoresistance of the structures at high temperatures is determined, most likely, by disorder-induced weak localization. In the structure with the gap, negative magnetoresistance is observed at certain temperature and bias. Its occurrence should be attributed to an inversion layer formed in the semiconductor near the SiO2/p-Si interface when MIS transition is in the inversion regime. В© 2011 American Institute of Physics.

Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович
}
Найти похожие

Magnetic-field- and bias-sensitive conductivity of a hybrid Fe/SiO 2/p-Si structure in planar geometry / N. V. Volkov [et al.] // Journal of Applied Physics. - 2011. - Т. 109, № 12. - P123924, DOI 10.1063/1.3600056 . - ISSN 0021-8979. - ISSN 1089-7550

РИНЦ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics,Russian Academy of Sciences,Siberian Branch
Siberian State Aerospace University

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович
}
Найти похожие

Bias-current and optically driven transport properties of the hybrid Fe/SiO 2/p-Si structures / N. V. Volkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 526-529, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.526 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
Hybrid structure -- Mis transition -- Photoelectric effect -- Schottky barrier -- Channel switching -- Comparative analysis -- Electron hole pairs -- Fe films -- Fe layer -- Ferromagnetic films -- Hybrid structure -- Optical effects -- Optical radiations -- Photogeneration -- Planar geometries -- Schottky barriers -- Semiconductor substrate -- Temperature variation -- Critical currents -- Interfaces (materials) -- Magnetic materials -- Photoelectricity -- Schottky barrier diodes -- Silicon -- Switching circuits -- Transport properties
Аннотация: Pronounced optical- and bias-current-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO 2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the MIS transition with a Schottky barrier near the interface between SiO 2 and p- Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and optical radiation. The mechanism of the optical effect is photogeneration of electron-hole pairs in the semiconductor substrate near its boundary with SiO 2 layer. В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

Гибридные структуры ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник: магнитосопротивление, магнитоимпеданс, фотоэлектрический эффект / Н. В. Волков [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XVI междунар. симп. - 2012. - Т. 1. - С. 102-103

Материалы симпозиума,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A.S.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Еремин, Александр Владимирович; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум (16 ; 2012 ; март ; 12–16 ; Нижний Новгород)
}
Найти похожие

Magnetically Driven Electron Transport in Fe/SiO2/p-Si Hybrid Nanostructures / N. V. Volkov [et al.] // Joint Europ. Magn. Symp. (JEMS-2012) : Book of abstracts. - 2012. - P. 180

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, A. V.; Еремин, Александр Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Joint European Magnetic Symposia (6 ; 2012 ; Sent. ; 9-14 ; Parma, Italy)
}
Найти похожие

Frequency-dependent magnetotransport phenomena in a hybrid Fe/SiO2/p-Si structure / N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2012. - Vol. 112, Is. 12. - Ст. 123906, DOI 10.1063/1.4769788. - Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Integration Projects Nos. 85 and 102, and the Federal target program Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (State Contract No. NK-556P_15). . - ISSN 0021-8979

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
SILICON
   IRON
   SPINTRONICS
   PAIRS
Аннотация: We report the large magnetoimpedance effect in a hybrid Fe/SiO2/p-Si structure with the Schottky barrier. The pronounced effect of magnetic field on the real and imaginary parts of the impedance has been found at temperatures 25-100K in two relatively narrow frequency ranges around 1 kHz and 100MHz. The observed frequency-dependent magnetotransport effect is related to the presence of localized "magnetic" states near the SiO2/p-Si interface. In these states, two different recharging processes with different relaxation times are implemented. One process is capture-emission of carriers that involves the interface levels and the valence band; the other is the electron tunneling between the ferromagnetic electrode and the interface states through SiO2 potential barrier. In the first case, the applied magnetic field shifts energy levels of the surface states relative to the valence band, which changes recharging characteristic times. In the second case, the magnetic field governs the spin-dependent tunneling of carriers through the potential barrier. The "magnetic" interface states originate, most likely, from the formation of the centers that contain Fe ions, which can easily diffuse through the SiO2 layer. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4769788]

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Volkov, N. V.
Tarasov, A. S.
Eremin, E. V.
Eremin, A. V.
Varnakov, S. N.
Ovchinnikov, S. G.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Volkov, N. V.
Eremin, E. V.
Varnakov, S. N.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, A. V.; Ерёмин, Александр Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Magnetic tunnel structures: Transport properties controlled by bias, magnetic field, and microwave and optical radiation / N. V. Volkov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2012. - Vol. 324, Is. 21. - P. 3579-3583, DOI 10.1016/j.jmmm.2012.02.095. - Cited References: 15. - This study was supported by the RFBR, project no. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, project no. 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, project no. 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 5, 22 and 134, and the Federal Program (State contract no. NK-556P_15). . - ISSN 0304-8853

РУБ Physics, Condensed Matter + Materials Science, Multidisciplinary

Кл.слова (ненормированные):
Spintronics -- Magnetic tunnel junction -- High-frequency rectification -- Photoelectric effect
Аннотация: Different phenomena that give rise to a spin-polarized current in some systems with magnetic tunnel junctions are considered. In a manganite-based magnetic tunnel structure in CIP geometry, the effect of current-channel switching was observed, which causes bias-driven magnetoresistance, rf rectification, and the photoelectric effect. The second system under study, ferromagnetic/insulator/semiconductor, exhibits the features of the transport properties in CIP geometry that are also related to the current-channel switching effect. The described properties can be controlled by a bias, a magnetic field, and optical radiation. At last, the third system under consideration is a cooperative assembly of magnetic tunnel junctions. This system exhibits tunnel magnetoresistance and the magnetic-field-driven microwave detection effect. (C) 2012 Elsevier BY. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

   В37

    Тарасов, Антон Сергеевич.
    Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. С. Тарасов ; науч. рук. Н. В. Волков ; офиц. опп.: В. В. Вальков, Ю. Г. Кусраев ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, вед. орг.: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова. - Красноярск, 2013. - 22 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.37

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Вальков, Валерий Владимирович \офиц. опп.\; Val'kov, V. V.; Кусраев, Ю. Г. \офиц. опп.\; Tarasov, A. S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Impedance and magnetoimpedace in a hybrid structure Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si [Текст] / N. V. Volkov, Tarasov A.S., Eremin A.V. // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - С. 84 . - ISBN 978-5-7444-3124-2

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

10.

   В37
   Т 19

    Тарасов, Антон Сергеевич.
    Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11 / А. С. Тарасов ; науч. рук. Н. В. Волков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2013. - 124 с. - Библиогр.: 80 назв. -

ГРНТИ

29.19.37

ББК В373.3я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович \науч. рук.\; Volkov, N. V.; Tarasov, A.S.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие