Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Тарасов, Антон Сергеевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 186
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Т 19 рукописный текст
Автор(ы) : Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.11
Выходные данные : Красноярск, 2013
Колич.характеристики :124 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 80 назв.
ГРНТИ : 29.19.37
ББК : В373.3я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Eremin E. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Impedance and magnetoimpedace in a hybrid structure Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 84. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Fedorishchev R. M., Gustaitsev A. O., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Tarasov A. S.
Заглавие : Optically controlled magnetorisistance effect in hybrid structures Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si and Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 288. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Fedorishchev R. M., Bondarev I. A., Volkov N. V., Patrin G. S., Polyakov V. V., Polyakova K. P., Tarasov A. S.
Заглавие : Magnetic-field-dependent electron transport in NiFe/TiOy/NiFe trilayers
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 290. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Eremin E. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Photoinduced giant magnetoresistance in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure with a schottky barrier
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 322. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Eremin E. V., Baron F. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Extremely large magnetoresistance induced by optical irradiation in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure with Schottky barrier
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [11-02-00367-a]; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures [20.8]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics [II.4.3]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [43, 85, 102]; Russian Ministry of Education and Science [N 02.G25.31.0043]
Место публикации : J. Appl. Phys.: American Institute of Physics, 2013. - Vol. 114, Is. 9. - Ст.093903. - P. - ISSN 0021-8979, DOI 10.1063/1.4819975
Примечания : Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 43, 85 and 102; Project of the Russian Ministry of Education and Science N 02.G25.31.0043.
Предметные рубрики: SPIN POLARIZATION
SPINTRONICS
SILICON
Аннотация: We report giant magnetoresistance (MR) effect that appears under the influence of optical radiation in common planar device built on Fe/SiO2/p-Si hybrid structure. Our device is made of two Schottky diodes connected to each other by the silicon substrate. Photo-induced MR is positive and the MR ratio reaches the values in excess of 10(4)%. The main peculiarity of the MR behavior is its strong dependence on the magnitude and the sign of the bias current across the device and, most surprisingly, upon polarity of the magnetic field. To explain such unexpected behavior of the MR, one needs to take into account contribution of several physical mechanisms. The main contribution comes from the existence of localized interface states at the SiO2/p-Si interface, which provide the spots for the photo-current conduction by virtue of the sequential tunneling through them or thermal generation and optical excitation of mobile charges. External magnetic field changes the probability of these processes due to its effect on the energy states of the conduction centers. Two possible mechanisms that may be responsible for the observed dependence of magneto-resistance on the field polarity are discussed: the effect of the Lorentz force on moving carriers and spin splitting of electrons moving in the electrostatic potential gradient (Rashba effect). The most significant observation, in our opinion, is that the observed MR effect is seen exclusively in the subsystem of minority carriers transferred into non-equilibrium state by optical excitation. We suggest that building such magneto-sensitive devices based on this mechanism may set a stage for new types of spintronic devices to emerge. (C) 2013 AIP Publishing LLC.
Смотреть статью,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич, Еремин, Александр Владимирович, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Густайцев, Артур Олегович, Бондарев, Илья Александрович
Заглавие : Спин-зависимый электронный транспорт в гибридных структурах с участием локализованных поверхностных состояний
Коллективы : "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум , Институт физики микроструктур РАН
Место публикации : Нанофизика и наноэлектроника: Труды XVII междунар. симп. - 2013. - Т. 1. - С. 101-102
Примечания : Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение № 8365), РФФИ (№ 11-02-00367-a), программы ОФН РАН № II.4.3, Президиума РАН № 20.8
Материалы симпозиума,
Материалы симпозиума
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич, Еремин, Александр Владимирович, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Густайцев, Артур Олегович, Бондарев, Илья Александрович
Заглавие : Спин-зависимый электронный транспорт в гибридных наноструктурах ферромагнитный металл/диэлектрик/полупроводник
Коллективы : "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар (10; 2013 ; 25 февр.-3 марта; Кыштым, Россия)
Место публикации : Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов": Тезисы докладов. - 2013. - С. 75-76
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич, Еремин, Евгений Владимирович, Еремин, Александр Владимирович, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Гибридные структуры ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник: магнитосопротивление, магнитоимпеданс, фотоэлектрический эффект
Коллективы : "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум (16; 2012 ; март ; 12–16; Нижний Новгород)
Место публикации : Нанофизика и наноэлектроника: Труды XVI междунар. симп. - 2012. - Т. 1. - С. 102-103
Материалы симпозиума,
Материалы конференции
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Eremin E. V., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Bias-current and optically driven transport properties of the hybrid Fe/SiO 2/p-Si structures
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.526-529. - ISBN 1012-0394, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.526. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structure--mis transition--photoelectric effect--schottky barrier--channel switching--comparative analysis--electron hole pairs--fe films--fe layer--ferromagnetic films--hybrid structure--optical effects--optical radiations--photogeneration--planar geometries--schottky barriers--semiconductor substrate--temperature variation--critical currents--interfaces (materials)--magnetic materials--photoelectricity--schottky barrier diodes--silicon--switching circuits--transport properties
Аннотация: Pronounced optical- and bias-current-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO 2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the MIS transition with a Schottky barrier near the interface between SiO 2 and p- Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and optical radiation. The mechanism of the optical effect is photogeneration of electron-hole pairs in the semiconductor substrate near its boundary with SiO 2 layer. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Eremin E. V., Eremin A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetically Driven Electron Transport in Fe/SiO2/p-Si Hybrid Nanostructures
Коллективы : Joint European Magnetic Symposia (6; 2012 ; Sent. ; 9-14; Parma, Italy)
Место публикации : Joint Europ. Magn. Symp. (JEMS-2012): Book of abstracts. - 2012. - P.180
Материалы конференции
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Eremin E. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Zharkov S. M.
Заглавие : Magnetic-field- and bias-sensitive conductivity of a hybrid Fe/SiO 2/p-Si structure in planar geometry
Место публикации : J. Appl. Phys. - 2011. - Vol. 109, Is. 12. - Ст.123924. - P. - ISSN 0021-8979, DOI 10.1063/1.3600056
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): channel switching--comparative analysis--fe films--fe layer--ferromagnetic films--high temperature--hybrid structure--inversion layer--metal-insulator-semiconductors--negative magneto-resistance--planar geometries--positive magnetoresistance--schottky barriers--semiconductor substrate--temperature variation--weak localization--critical currents--electric resistance--ferromagnetic materials--geometry--magnetic fields--magnetoelectronics--magnetoresistance--metal insulator boundaries--metal insulator transition--mis devices--schottky barrier diodes--silicon--silicon compounds--switching circuits--transport properties--semiconducting silicon
Аннотация: Pronounced magnetic-field- and bias-sensitive features of the transport properties of a Fe/SiO2/p-Si hybrid structure in planar geometry at temperature variation are investigated. Comparative analysis of two Fe/SiO 2/p-Si samples, one with a continuous Fe film and the other with two electrodes formed from a Fe layer and separated by a micron gap, shows that these features are due to the metal-insulator-semiconductor (MIS) transition with a Schottky barrier near the interface between SiO2 and p-Si. Resistance of such a MIS transition depends exponentially on temperature and bias. In the structure with a continuous ferromagnetic film, the competition between conductivities of the MIS transition and the Fe layer results in the effect of current channel switching between the Fe layer and a semiconductor substrate. Within certain limits, this process can be controlled by a bias current and a magnetic field. Positive magnetoresistance of the structures at high temperatures is determined, most likely, by disorder-induced weak localization. In the structure with the gap, negative magnetoresistance is observed at certain temperature and bias. Its occurrence should be attributed to an inversion layer formed in the semiconductor near the SiO2/p-Si interface when MIS transition is in the inversion regime. В© 2011 American Institute of Physics.
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Eremin E. V., Eremin A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Frequency-dependent magnetotransport phenomena in a hybrid Fe/SiO2/p-Si structure
Место публикации : J. Appl. Phys.: American Institute of Physics, 2012. - Vol. 112, Is. 12. - Ст.123906. - ISSN 0021-8979, DOI 10.1063/1.4769788
Примечания : Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Integration Projects Nos. 85 and 102, and the Federal target program Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (State Contract No. NK-556P_15).
Предметные рубрики: SILICON
IRON
SPINTRONICS
PAIRS
Аннотация: We report the large magnetoimpedance effect in a hybrid Fe/SiO2/p-Si structure with the Schottky barrier. The pronounced effect of magnetic field on the real and imaginary parts of the impedance has been found at temperatures 25-100K in two relatively narrow frequency ranges around 1 kHz and 100MHz. The observed frequency-dependent magnetotransport effect is related to the presence of localized "magnetic" states near the SiO2/p-Si interface. In these states, two different recharging processes with different relaxation times are implemented. One process is capture-emission of carriers that involves the interface levels and the valence band; the other is the electron tunneling between the ferromagnetic electrode and the interface states through SiO2 potential barrier. In the first case, the applied magnetic field shifts energy levels of the surface states relative to the valence band, which changes recharging characteristic times. In the second case, the magnetic field governs the spin-dependent tunneling of carriers through the potential barrier. The "magnetic" interface states originate, most likely, from the formation of the centers that contain Fe ions, which can easily diffuse through the SiO2 layer. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4769788]
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Eremin E. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S.
Заглавие : Magnetic tunnel structures: Transport properties controlled by bias, magnetic field, and microwave and optical radiation
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science BV, 2012. - Vol. 324, Is. 21. - P.3579-3583. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2012.02.095
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the RFBR, project no. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, project no. 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, project no. 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 5, 22 and 134, and the Federal Program (State contract no. NK-556P_15).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): spintronics--magnetic tunnel junction--high-frequency rectification--photoelectric effect
Аннотация: Different phenomena that give rise to a spin-polarized current in some systems with magnetic tunnel junctions are considered. In a manganite-based magnetic tunnel structure in CIP geometry, the effect of current-channel switching was observed, which causes bias-driven magnetoresistance, rf rectification, and the photoelectric effect. The second system under study, ferromagnetic/insulator/semiconductor, exhibits the features of the transport properties in CIP geometry that are also related to the current-channel switching effect. The described properties can be controlled by a bias, a magnetic field, and optical radiation. At last, the third system under consideration is a cooperative assembly of magnetic tunnel junctions. This system exhibits tunnel magnetoresistance and the magnetic-field-driven microwave detection effect. (C) 2012 Elsevier BY. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Balashov V. V., Korobtsov V .V.
Заглавие : The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]
Место публикации : Appl. Phys. Lett.: American Institute of Physics, 2014. - Vol. 104, Is. 22. - Ст.222406. - ISSN 0003-6951, DOI 10.1063/1.4881715. - ISSN 1077-3118
Примечания : Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project Nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; and the Russian Ministry of Education and Science, Project No. 02.G25.31.0043.
Предметные рубрики: MAGNETO-IMPEDANCE
FILMS
Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Tarasov A. S., Ivanenko A. A., Bykova L. E., Nemtsev I. V., Eremin E. V., Yozhikova E. V.
Заглавие : Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation
Коллективы : Federal Target Program [14.513.11.0023]; Russian Foundation for Basic Research [14-02-31156]
Место публикации : Semicond. Sci. Technol.: IOP Publishing, 2014. - Vol. 29, Is. 8. - Ст.82001. - ISSN 0268-1242, DOI 10.1088/0268-1242/29/8/082001. - ISSN 1361-6641
Примечания : Cited References: 56. - This work was supported by the Federal Target Program through Contract No 14.513.11.0023; the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 14-02-31156.
Предметные рубрики: TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES
Ga-DOPED ZnO
LOW-TEMPERATURE
HIGH-PERFORMANCE
SUBSTRATE-TEMPERATURE
INSULATOR-TRANSITION
ROOM-TEMPERATURE
TRANSISTORS
COMBUSTION
PHOTOREDUCTION
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): indium oxide thin films--autowave oxidation--metal-semiconductor transition--uv irradiation--photoreduction
Аннотация: We have prepared thin indium oxide films by the autowave oxidation reaction. Measurements of temperature dependence of resistivity, Hall carrier concentration and Hall mobility have been conducted in the temperature range 5-272 K. Before ultraviolet (UV) irradiation, the indium oxide film had a semiconductor-like temperature dependence of resistivity. and the ratio of rho (5 K)/rho(272 K) was very limited (similar to 1.2). It was found that after UV irradiation of the In2O3 film, the metal-semiconductor transition (MST) was observed at similar to 100 K. To show that this MST is reversible and repeatable, two full cycles of 'absence of MST-presence of MST' have been done using UV irradiation (photoreduction) as the induced mechanism and exposure to an oxygen environment as the reversible mechanism, respectively. MST in transparent conducting oxide (TCO) is possibly associated with the undoped structure of metal oxide, which has some disorder of oxygen vacancies. It was suggested that reversible UV induced metal-semiconductor transition would occur in other TCOs.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Волков, Никита Валентинович, Еремин, Евгений Владимирович, Тарасов, Антон Сергеевич, Цикалов, Виталий Сергеевич
Заглавие : Особенности спин-зависимого электронного транспорта в наноструктурах с чередующимися магнитными и немагнитными слоями в геометрии "ток в плоскости" : Глава 6
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН, Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения РАН, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, Институт химии твердого тела и механохимии Сибирского отделения РАН
Место публикации : Метаматериалы и структурно организованные среды для оптоэлектроники, СВЧ-техники и нанофотоники/ А. Ю. Авдеева ; отв. ред.: В. Ф. Шабанов, В. Я. Зырянов ; рец.: Г. Г. Матвиенко, В. В. Слабко, Н. Я. Шапарев. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2013. - С. 121-146. - (Шифр В37/М 54-027175)
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Gustajcev A. O., Volkova O. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Giant magnetoresistance in Fe/SiO2/p-Si hybrid structure under non-equilibrium conditions
Коллективы : Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences [II.4.3]; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [43, 85, 102]; RF Ministry for Education and Science [02.G25.31.0043]; Russian Foundation of Basic Research [14-02-00234, 14-02-31156]
Место публикации : Trans. Nonferrous Met. Soci. China: Elsevier Science, 2014. - Vol. 24, Is. 10. - P.3158–3163. - DOI 10.1016/S1003-6326(14)63455-5
Примечания : Cited References: 12. - This study was supported by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (project No. 20.8); the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences (project No. II.4.3); the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (integration projects Nos. 43, 85 and 102); the RF Ministry for Education and Science (project No. 02.G25.31.0043); and the Russian Foundation of Basic Research (projects Nos. 14-02-00234, 14-02-31156).
Предметные рубрики: Metallurgy & Metallurgical Engineering
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetoresistance--hybrid structure--schottky diode
Аннотация: The giant magnetoresistive (MR) effect was investigated in a simple Fe/SiO2/p-Si-hybrid-structure-based device from two back-to-back Schottky diodes. The effect was revealed only under the non-equilibrium conditions caused by optical radiation. It is demonstrated that the magnetoresistance ratio attains 100 or more. The main peculiarity of the MR behavior is its strong dependence on the magnitude and the sign of the bias current across the device and, most surprisingly, upon polarity of the magnetic field. It is important that the magnetoresistive effect is implemented exclusively in the subsystem of minority charge carriers transferred to the non-equilibrium states. The development of magneto-sensitive devices of this type can give grounds for a novel direction of semiconductor spintronics.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Gustaitsev A. O., Volkova O. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Giant magnetoresistance in Fe/SiO2/p-Si hybrid structure under non-equilibrium conditions
Коллективы : China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies (12; 2013 ; Nov. 18-22; Kunming, China)
Место публикации : Adv. metals, ceramics and composites: 12th China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies. - 2013. - Pt. 2. - P.216-219: Proceedings. - ISBN 978-7-5415-7650-5
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Бондарев, Илья Александрович, Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич, Дорофеев, Николай Владимирович
Заглавие : Влияние оптического излучения на магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO2/p-Si и Fe/SiO2/n-Si
Коллективы : Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (20; 2014 ; 27 марта - 3 апреля; Ижевск)
Место публикации : Двадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-20): матер. конф. - 2014. - С. 247
Аннотация: Гибридные наноструктуры представляют большой интерес обусловленный тем, что такие структуры позволяют использовать спиновый транспорт, что является весьма привлекательным в связи с исследованиями последних лет. Для практического использования гибридных структур необходимо понимание ряда физических явлений, таких как спиновая инжекция в полупроводник, спиновая диффузия, спиновая аккумуляция и др. Одним из наиболее интересных эффектов в гибридных структурах является эффект гигантского магнетосопротивления, состоящий в существенном изменении электрического сопротивления такой структуры при изменении взаимного направления намагниченности соседних магнитных слоёв.
Материалы конференции,
Материалы конференции
Найти похожие