Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Gustaitsev, A. O.$<.>)
Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-15 
1.


   
    Anisotropy of the magnetoimpedance in hybrid hetero structure FeNi/SiO2/p-Si / A. V. Lukyanenko [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 111. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
}
Найти похожие
2.


    Smolyakov, D. A.
    Bias-controlled magnetoimpedance effect in a mis structure / D. A. Smolyakov, A. O. Gustaitsev, N. V. Volkov // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-8. - P. 541 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Смоляков, Дмитрий Александрович; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
}
Найти похожие
3.


   
    Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/ p -Si hybrid structure / N. V. Volkov [et al.] // AIP Adv. - 2017. - Vol. 7, Is. 1. - Ст. 015206, DOI 10.1063/1.4974876. - Cited References: 29. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research Projects Nos. 16-42-242036 and 16-42-243046, the Russian Ministry of Education and Science, state assignment no. 16.663.2014K. . - ISSN 2158-3226
Кл.слова (ненормированные):
Electric fields -- Impact ionization -- Ionization -- Magnetic fields -- Magnetism -- Manganese -- Schottky barrier diodes -- Effect of magnetic field -- High magnetic fields -- Low temperatures -- Magnetic and electric fields -- Magnetotransport effects -- Magnetotransport phenomena -- Schottky barriers -- Switching devices -- Magnetic field effects
Аннотация: We report on abrupt changes in dc resistance and impedance of a diode with the Schottky barrier based on the Mn/SiO2/p-Si structure in a magnetic field. It was observed that at low temperatures the dc and ac resistances of the device change by a factor of more than 106 with an increase in a magnetic field to 200 mT. The strong effect of the magnetic field is observed only above the threshold forward bias across the diode. The ratios between ac and dc magnetoresistances can be tuned from almost zero to 108% by varying the bias. To explain the diversity of magnetotransport phenomena observed in the Mn/SiO2/p-Si structure, it is necessary to attract several mechanisms, which possibly work in different regions of the structure. The anomalously strong magnetotransport effects are attributed to the magnetic-field-dependent impact ionization in the bulk of a Si substrate. At the same time, the conditions for this process are specified by structure composition, which, in turn, affects the current through each structure region. The effect of magnetic field attributed to suppression of impact ionization via two mechanisms leads to an increase in the carrier energy required for initiation of impact ionization. The first mechanism is related to displacement of acceptor levels toward higher energies relative to the top of the valence band and the other mechanism is associated with the Lorentz forces affecting carrier trajectories between scatterings events. The estimated contributions of these two mechanisms are similar. The proposed structure is a good candidate for application in CMOS technology-compatible magnetic- and electric-field sensors and switching devices.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Space Technology, Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие
4.


   
    Frequency-dependent magnetotransport properties of the schottky diode based on the Fe3Si/p-Si hybrid structure / A. S. Tarasov [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. III.22.02o. - P. . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
}
Найти похожие
5.


   
    Giant magnetoresistance in Fe/SiO2/p-Si hybrid structure under non-equilibrium conditions [Текст] / N. V. Volkov [и др.] // Adv. metals, ceramics and composites : 12th China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies. - 2013. - Pt. 2. - P. 216-219 . - ISBN 978-7-5415-7650-5


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев Артур Олегович; Volkova, O. N.; Волкова, О. Н.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies (12 ; 2013 ; Nov. 18-22 ; Kunming, China)
}
Найти похожие
6.


    Gustaitsev, A. O.
    Impedance of the Fe/SiO2/N-SI hybrid structure in a high magnetic field / A. O. Gustaitsev, D. A. Smolyakov, N. V. Volkov // Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014) : Book of abstracts. - 2014. - Ст. 1PO-K-5. - P. 538 . - ISBN 978-5-91978-025-0

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Густайцев Артур Олегович; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Moscow International Symposium on Magnetism(6 ; 2014 ; June-July ; Moscow)
}
Найти похожие
7.


   
    Magnetic-field-dependent electron transport in NiFe/TiOy/NiFe trilayers [Текст] / A. O. Gustaitsev [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P290 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Polyakov, V. V.; Поляков, Виктор Васильевич; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
8.


   
    Magnetoimpedance of Silicon-Based Hybrid Structures with a Schottky Barrier / A. O. Gustaitsev [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P1.31. - P. 92. - References: 3 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
hybrid structures -- Schottky barrier -- Schottky diode -- magnetoimpedance -- spintronic devices


Доп.точки доступа:
Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие
9.


   
    Magnetotransport effects in the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure / D. A. Smolyakov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P1.17. - P. 77. - References: 2. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234-a . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
hybrid structures -- impedance -- magnetoresistance


Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие
10.


   
    Optically controlled magnetorisistance effect in hybrid structures Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si and Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si [Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P288 . - ISBN 978-5-7444-3124-2


Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Fedorishchev, R. M.; Федорищев, Роман Михайлович; Gustaitsev, A. O.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие
 1-10    11-15 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)