Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Gustaitsev, A. O.$<.>)
Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-15 
1.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The magnetoimpedance effect in the Fe3Si/p-Si structure
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.161
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Gustaitsev A. O., Volkov N. V.
Заглавие : The bias-controlled magnetoimpedance effect in a MIS structure
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: N. Perov, A. Semisalova: Trans Tech Publications Ltd, 2015. - Vol. 233-234: Achievements in Magnetism. - P.451-455. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.233-234.451. - ISSN 978-3-03835-482-6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): bias--magnetoimpedance--mis-structure--magnetic fields--schottky barrier diodes--temperature distribution--applied magnetic fields--bias--giant magneto impedance effect--lower temperatures--magneto-impedance--magneto-impedance effects--mis structure--temperature dependence--magnetism
Аннотация: We report the giant magnetoimpedance effect in a ferromagnetic metal/insulator/semiconductor (MIS) diode with the Schottky barrier based on the Fe/SiO2/n-Si structure. It was established that the applied magnetic field strongly influences the impedance of the structure in the temperature range 10—30 K. In this range, there is the pronounced peak in the temperature dependence of the real part of the impedance at frequencies from 10 Hz to 1 MHz. The effect of the magnetic field manifests itself as a shift of the peak of the real part of the impedance. Under the action of a bias voltage of 5 V, the peak of the real part of the impedance similarly shifts toward lower temperatures with and without applied magnetic field. © (2015) Trans Tech Publications, Switzerland.
Scopus,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Balashov V. V., Korobtsov V .V.
Заглавие : The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [14-02-00234-a, 14-02-31156]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [20.8]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043.]
Место публикации : Appl. Phys. Lett.: American Institute of Physics, 2014. - Vol. 104, Is. 22. - Ст.222406. - ISSN 0003-6951, DOI 10.1063/1.4881715. - ISSN 1077-3118
Примечания : Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project Nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; and the Russian Ministry of Education and Science, Project No. 02.G25.31.0043.
Предметные рубрики: MAGNETO-IMPEDANCE
FILMS
Аннотация: We demonstrate that ferromagnetic metal/insulator/semiconductor hybrid structures represent a class of materials with the giant magnetoimpedance effect. In a metal-insulator-semiconductor diode with the Schottky barrier fabricated on the basis of the Fe/SiO2/n-Si structure, a drastic change in the impedance in an applied magnetic field was found. The maximum value of this effect was observed at temperatures of 10–30 K in the frequency range of 10 Hz–1 MHz where the ac magnetoresistance and magnetoreactance ratios exceeded 300% and 600%, respectively. In the low-frequency region (<1 kHz), these ratios could be controlled in wide range by applying bias to the device. The main contribution to the impedance when measured at temperatures corresponding to the strongest magnetic-field sensitivity comes from the interface states localized near the SiO2/n-Si interface and the processes of their recharging in an applied ac voltage. The applied magnetic field changes the energy structure of the interface states, thus affecting the processes of the charging dynamics.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The Bias-Controlled Frequency-Dependent ac Transport Properties of the FeNi/SiO2/p-Si Schottky Diode
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.84
Материалы конференции
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : The bias-controlled frequency-dependent ac transport properties of the FeNi/SiO2/p-Si Schottky diode
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.111
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Volkov N. V.
Заглавие : Bias-controlled magnetoimpedance effect in a mis structure
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014): Book of abstracts. - 2014. - Ст.1PO-K-8. - P.541. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Fedorishchev R. M., Gustaitsev A. O., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Tarasov A. S.
Заглавие : Optically controlled magnetorisistance effect in hybrid structures Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si and Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 288. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Volkov N. V., Tarasov A. S., Gustaitsev A. O., Varnakov S. N., Bondarev I. A.
Заглавие : Magnetotransport effects in the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P1.17. - P.77. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 2. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234-a
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--impedance--magnetoresistance
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetoimpedance of Silicon-Based Hybrid Structures with a Schottky Barrier
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P1.31. - P.92. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--schottky barrier--schottky diode--magnetoimpedance--spintronic devices
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Fedorishchev R. M., Bondarev I. A., Volkov N. V., Patrin G. S., Polyakov V. V., Polyakova K. P., Tarasov A. S.
Заглавие : Magnetic-field-dependent electron transport in NiFe/TiOy/NiFe trilayers
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 290. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие
 1-10    11-15 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)