Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Gustaitsev, A. O.$<.>)
Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-15 
1.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Anisotropy of the magnetoimpedance in hybrid hetero structure FeNi/SiO2/p-Si
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.111
Примечания : This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043
Материалы конференции
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Volkov N. V.
Заглавие : Bias-controlled magnetoimpedance effect in a mis structure
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014): Book of abstracts. - 2014. - Ст.1PO-K-8. - P.541. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/ p -Si hybrid structure
Место публикации : AIP Adv.: American Institute of Physics, 2017. - Vol. 7, Is. 1. - Ст.015206. - ISSN 21583226 (ISSN), DOI 10.1063/1.4974876
Примечания : Cited References: 29. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research Projects Nos. 16-42-242036 and 16-42-243046, the Russian Ministry of Education and Science, state assignment no. 16.663.2014K.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electric fields--impact ionization--ionization--magnetic fields--magnetism--manganese--schottky barrier diodes--effect of magnetic field--high magnetic fields--low temperatures--magnetic and electric fields--magnetotransport effects--magnetotransport phenomena--schottky barriers--switching devices--magnetic field effects
Аннотация: We report on abrupt changes in dc resistance and impedance of a diode with the Schottky barrier based on the Mn/SiO2/p-Si structure in a magnetic field. It was observed that at low temperatures the dc and ac resistances of the device change by a factor of more than 106 with an increase in a magnetic field to 200 mT. The strong effect of the magnetic field is observed only above the threshold forward bias across the diode. The ratios between ac and dc magnetoresistances can be tuned from almost zero to 108% by varying the bias. To explain the diversity of magnetotransport phenomena observed in the Mn/SiO2/p-Si structure, it is necessary to attract several mechanisms, which possibly work in different regions of the structure. The anomalously strong magnetotransport effects are attributed to the magnetic-field-dependent impact ionization in the bulk of a Si substrate. At the same time, the conditions for this process are specified by structure composition, which, in turn, affects the current through each structure region. The effect of magnetic field attributed to suppression of impact ionization via two mechanisms leads to an increase in the carrier energy required for initiation of impact ionization. The first mechanism is related to displacement of acceptor levels toward higher energies relative to the top of the valence band and the other mechanism is associated with the Lorentz forces affecting carrier trajectories between scatterings events. The estimated contributions of these two mechanisms are similar. The proposed structure is a good candidate for application in CMOS technology-compatible magnetic- and electric-field sensors and switching devices.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Gustaitsev A. O., Lukyanenko A. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Frequency-dependent magnetotransport properties of the schottky diode based on the Fe3Si/p-Si hybrid structure
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.III.22.02o. - P. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Gustaitsev A. O., Volkova O. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Giant magnetoresistance in Fe/SiO2/p-Si hybrid structure under non-equilibrium conditions
Коллективы : China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies (12; 2013 ; Nov. 18-22; Kunming, China)
Место публикации : Adv. metals, ceramics and composites: 12th China-Russia Symposium on Advaced Materials and Technologies. - 2013. - Pt. 2. - P.216-219: Proceedings. - ISBN 978-7-5415-7650-5
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Volkov N. V.
Заглавие : Impedance of the Fe/SiO2/N-SI hybrid structure in a high magnetic field
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism , Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2014): Book of abstracts. - 2014. - Ст.1PO-K-5. - P.538. - ISBN 978-5-91978-025-0
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Fedorishchev R. M., Bondarev I. A., Volkov N. V., Patrin G. S., Polyakov V. V., Polyakova K. P., Tarasov A. S.
Заглавие : Magnetic-field-dependent electron transport in NiFe/TiOy/NiFe trilayers
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 290. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Gustaitsev A. O., Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetoimpedance of Silicon-Based Hybrid Structures with a Schottky Barrier
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P1.31. - P.92. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--schottky barrier--schottky diode--magnetoimpedance--spintronic devices
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Volkov N. V., Tarasov A. S., Gustaitsev A. O., Varnakov S. N., Bondarev I. A.
Заглавие : Magnetotransport effects in the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P1.17. - P.77. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 2. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234-a
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--impedance--magnetoresistance
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Fedorishchev R. M., Gustaitsev A. O., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Tarasov A. S.
Заглавие : Optically controlled magnetorisistance effect in hybrid structures Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/p-Si and Fe/SiO[[d]]2[[/d]]/n-Si
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 288. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие
 1-10    11-15 
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)