Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Kosyrev, N. N.$<.>)

Общее количество найденных документов : 111
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Швец, Василий Александрович, Михайлов Н. Н., Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Рыхлицкий С. В., Яковлев, Иван Александрович
Заглавие : Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ
Место публикации : Журн. техн. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Заблуда, Владимир Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Швец В.А., Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В., Прокофьев .Ю.
Заглавие : Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в геторосистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии
Место публикации : Журнал структурной химии. - 2010. - Т. 51, № 1. - С. 104-108
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Заблуда, Владимир Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Швец В. А., Рыхлицкий С. В., Спесивцев Е. В., Прокопьев В. Ю.
Заглавие : Характеризация структурных свойств нанокластеров силицида железа в гетеросистемах Si/FeSi методом магнитоэллипсометрии
Коллективы : "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция
Место публикации : 1-я Всероссийская научная конференция "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов". МИССФМ-2009: Новосибирск, 11-16 окт. 2009 г. : тезисы докл. - Новосибирск, 2009. - С. 45
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Ферромагнетизм при комнатной температуре в двухслойной структуре Dy[1-x]Ni[x]/Ni: магнитооптические измерения in situ
Место публикации : Письма в "Журн. эксперим. и теор. физ.". - 2008. - Т. 88, Вып. 1-2. - С. 152-154. - ISSN 0370-274X
ГРНТИ : 29.19.39
Аннотация: Исследованы in situ двухслойные структуры Dy[1-x]Ni[z]/Ni непосредственно в сверхвысоковакуумной камере в процессе напыления с помощью поверхностного меридионального эффекта Керра по оригинальной методике. Показано ферромагн. упорядочение в слое сплава Dy[1-x]Ni[x] при комнатной температуре
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кобяков, Александр Васильевич, Турпанов, Игорь Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович, Руденко, Роман Юрьевич, Юшков, Василий Иванович, Косырев, Николай Николаевич
Заглавие : Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co
Место публикации : Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89, Вып. 2. - С. 268-273. - ISSN 0044-4642, DOI 10.21883/JTF.2019.02.47082.198-18
Примечания : Библиогр.: 18. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-02-00161-а).
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты для системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co с буферным слоем из Al2O3, полученные методом ионно-плазменного распыления. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления ионно-плазменным методом распыления и скорости напыления ему предшествующих слоев. Показано, что метод получения буферных слоев позволяет значительно снизить шероховатость поверхности последующих слоев. Полученные буферные слои могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания гетероструктур с туннельными переходами.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2583959!-988666158
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Заблуда, Владимир Николаевич
Заглавие : Способ определения матрицы мюллера .-
Коллективы : Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2016. - № 13
Аннотация: Изобретение относится к области оптических измерений и может быть использовано для полного определения состояния поляризации света, отраженного от поверхности исследуемого образца. Для определения матрицы Мюллера, исследуемый образец освещают поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на р- и s- компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка с интенсивностями IΨ1, IΨ2, IΔ1, IΔ2, при этом азимутальные углы оптических элементов принимают фиксированные значения в определенных комбинациях, поляризатор фиксируют в положениях Р=0°, -45°, +45°, анализатор в амплитудном канале АΨ=0°, 45°, фазовом канале АΔ=45°, ромб Френеля R=0 и проводят измерения, соответствующие следующим конфигурациям: A: P45SR0WΨ45WΔ45; B: P45SR0WΨ0WΔ45; F: P0SR0WΨ45WΔ45; E: P0SR0WΨ0WΔ45. Изменяют состояние поляризации падающего на образец света с линейной на круговую, устанавливая в оптический тракт перед образцом фазовую пластинку в положении D=0° и проводят измерения, соответствующие конфигурациям: С: P-45D0SR0WΨ0WΔ45; D: P-45D0SR0WΨ45WΔ45, а компоненты матрицы Мюллера Sij определяют, решая систему линейных уравнений. Изобретение обеспечивает возможность полного определения состояния поляризации света, отраженного от поверхности исследуемого образца, для нахождения всех компонент матрицы Мюллера.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2560148!-469310745
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Заблуда, Владимир Николаевич, Тарасов, Иван Анатольевич, Лященко, Сергей Александрович, Шевцов, Дмитрий Валентинович, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Способ измерения магнитооптических эффектов in situ .-
Коллективы : Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 23
Аннотация: Изобретение относится к области магнитных и магнитооптических измерений. Способ заключается в том, что исследуемый образец освещают линейно поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на p- и s-компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка. При этом к исследуемому образцу во время проведения измерений прикладывают переменное магнитное поле, при измерении меридионального эффекта Керра поляризатор фиксируют в положении P=0, а анализаторы в амплитудном и фазовом каналах A1,2=45°. Перемагничивание образца осуществляют с помощью вращающегося постоянного магнита и величину поворота плоскости поляризации α, пропорциональную проекции намагниченности на плоскость падения света, определяют по формуле. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения и информативности.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2660765!-934235450
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Лященко, Сергей Александрович, Шевцов, Дмитрий Валентинович, Варнаков, Сергей Николаевич, Яковлев, Иван Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич, Заблуда, Владимир Николаевич
Заглавие : Способ бесконтактного измерения температуры in situ .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2018. - № 19
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения физической температуры объекта по температурным изменениям его оптических постоянных, и может быть использовано для дистанционного измерения температуры объекта в промышленности, медицине, биологии, в физических исследованиях и др. Заявлен способ бесконтактного измерения температуры in situ, заключающийся в том, что образец освещают поляризованным светом и измеряют изменение интенсивности при отражении. В процессе измерения регистрируют отраженное от поверхности образца электромагнитное излучение с длиной волны в диапазоне 300-900 нм. Анализируют изменение интенсивности после отражения и находят температуру, решая следующее уравнение: M(T)=F(T), где М(Т) - среднее арифметическое данных об интенсивности со всех четырех фотоприемников эллипсометра, зависящее от температуры, F(T) - функция, вид которой зависит от исследуемого материала. Новым является то, что для зондирующего пучка задают состояние линейной поляризации с поворотом 0° и накапливают массив данных для дальнейшего усреднения, а также то, что предложенный способ позволяет измерять температуру образца от температуры 4 K до его термического разрушения. Технический результат - повышение точности измерения температуры in situ независимо от структуры отражающей поверхности и при температурах до 4 K. 2 ил.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич
Заглавие : Система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара»
Коллективы : Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных, Ассоциация студентов-физиков и молодых учёных России, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Российское физическое общество, Институт электрофизики УрО РАН
Место публикации : Десятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-10): информ. бюллетень : сборник тезисов : в 2-х ч./ предс. науч. ком. М. В. Садовский. - Екатеринбург, 2004. - Ч. 2. - С. 1036-1037
Материалы конференции
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2015616615!-287456437
Автор(ы) : Тарасов, Иван Анатольевич, Яковлев, Иван Александрович, Косырев, Николай Николаевич
Заглавие : Система анализа данных многоугловой спектральной элипсометрии (MultiW) .-
Коллективы : Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 7
Аннотация: Программа предназначена для расчёта спектральных зависимостей оптических постоянных и параметра толщины тонких плёнок путём решения обратной задачи эллипсометрии для случая многоугловых измерений спектральных зависимостей эллипсометрических углов. Программа использует ряд методов и оптических моделей, позволяющих провести расширенный анализ оптических свойств, качества интерфейса и шероховатости поверхности исследуемых объектов. Получаемые сведения могут быть использованы для отработки технологических процессов получения планарных наноструктур и характеризации их электронных свойств в соответствующем диапазоне энергий.
Смотреть свид-во
Найти похожие