Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Krasnov, P. O.$<.>)

Общее количество найденных документов : 38
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-38

Фотоннокристаллический микрорезонатор с управляемой добротностью / П. О. Краснов, П. С. Панкин, Д. С. Бузин [и др.] // XXXIII Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени профессора А.П. Сухорукова (Волны-2022) : сборник трудов. - 2022. - Секция: Нанофотоника, метаматериалы и фотонные кристаллы. - С. 22-23. - Библиогр.: 2. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РНФ (проект № 22-22-00687)

Материалы конференции,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева
Сибирский федеральный университет
АО "НПП" Радиозавод", Красноярск

Доп.точки доступа:
Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Панкин, Павел Сергеевич; Pankin, P. S.; Бузин, Даниил Сергеевич; Buzin, D. S.; Романенко, Гавриил Александрович; Сутормин, Виталий Сергеевич; Sutormin, V. S.; Наболь, Степан Васильевич; Nabol, S. V.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Зеленов, Ф. В.; Масюгин, Альберт Николаевич; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Ветров, Степан Яковлевич; Vetrov, S. Ya.; Тимофеев, Иван Владимирович; Timofeev, I. V.; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Волны-2022, Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени А. П. Сухорукова(33 ; 2022 ; 5-10 июня ; Можайск, Моск. обл.); "Волновые явления: физика и применения", Всероссийская школа-семинар имени А. П. Сухорукова(33 ; 2022 ; 5-10 июня ; Можайск, Моск. обл.)
}
Найти похожие

Термодинамическая устойчивость и электронная структура полимерных “сэндвичевых” комплексов порфиринов с различными металлами / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 10. - С. 1669-1672. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
порфирины -- сэндвичевые комплексы -- электронная структура -- термодинамическая устойчивость
Аннотация: Квантово-химическими методами исследована термодинамическая стабильность различных конформеров полимерных “сэндвичевых” структур металл-порфиринов (MeP). Показана возможность образования устойчивых слоистых структур BaP, SrP, ScP, YP и ZrP c заслоненной и заторможенной конформацией; при этом в случае комплексов SrP , BaP и ScP более выгодны заслоненные конформеры, а в случае YP и ZrP – заторможенные. На основании результатов расчетов электронной структуры изучаемых соединений установлено, что SrP и BaP являются полупроводниками, а ScP, YP и ZrP – проводниками.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Thermodynamic stability and electron structure of polymeric sandwich complexes of porphyrins with different metals [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86 Is. 10.- P.1567-1569

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Игнатова, Н. Ю.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov A. S.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование структуры и свойств монослоя VN(111) на поверхности MgO(111) / А. В. Куклин [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2014. - Т. 56, Вып. 2. - С. 230-234. - Библиогр.: 27 назв. - Исследования выполнены при поддержке РФФИ, грант 12-02-31417 мол\_а\_2012 . - ISSN 0367-3294
Аннотация: В рамках DFT-расчетов проведено моделирование и оптимизация монослоя VN(111) на поверхности MgO(111). Было найдено наиболее выгодное расположение нитрида ванадия на поверхности пластинки оксида магния. Рассчитаны зонная структура и плотности состояний для монослоя VN(111). На основе DOS монослоя VN на поверхности MgO сделан вывод, что данная структура обладает свойством разбавленного магнитного полупроводника.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical investigation of the structure and properties of the VN(111) monolayer on the MgO(111) surface [Текст] / A. V. Kuklin [et al.] // Phys. Solid State : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 56 Is. 2.- P.229-234

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Eliseeva N. S.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование интеркалированных соединениий lixbc3 / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. СФУ. Сер. "Химия". - 2013. - Т. 5, № 2. - С. 209-215 ; J. Sib. Fed. Univ. Chem.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov A. S.

}
Найти похожие

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие

538.915
Т 33


    Теоретическое исследование влияния деформации на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора / М . В. Сержантова, А. А. Кузубов, А. С. Федоров [и др.] // Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева. - 2011. - № 3. - С. 150-155 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of the influence of deformation on the electronic structure of a hexagonal boron nitride monolayer

ГРНТИ	29.19
УДК	538.915

Рубрики:

Кл.слова (ненормированные):
адатомы -- adatoms -- hexagonal boron nitride monolayer (h-bn) -- density functional theory (dft) -- electronic structure -- vacancies -- монослой гексагонального нитрида бора (h-bn) -- теория функционала плотности (dft) -- электронная структура -- вакансии
Аннотация: Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.
Work is devoted research of influence of deformation on electronic structure and properties of a monolayer hexagonal boron nitride, and also to behavior studying adatoms of boron and nitrogen on a monolayer surface.

РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук
Институт цветных металлов и материаловедения Сибирского федерального университета
Сибирский государственный технологический университет

Доп.точки доступа:
Сержантова, Мария Викторовна; Serzhantova M.V.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov P. O.
}
Найти похожие

Теоретическое исследование атомной и электронной структур интеркалированных соединений Li[[d]]x[[/d]]BC[[d]]3[[/d]] / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 141, Вып. 6. - С. 1162-166. - Библиогр.: 23 назв. . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Изучены интеркалированные соединения Lix BC3 различной конфигурации с целью их возможного использования в качестве электродных материалов для литиевых источников тока. Для этого были рассчитаны зонная структура и плотность состояний для каждой структуры, оценены энергетическая стабильность и возможность деформации за счет изменения объема ячейки в процессе интеркаляции.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical investigation of the atomic and electronic structure of LixBC3 intercalated compounds [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 114 Is. 6.- P.1018-1021

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov A. S.; Лыхин, А. О.
}
Найти похожие

Теоретическое изучение сорбции и диффузии водорода на поверхности и в объеме интерметаллида Mg2Ni / А. А. Кузубов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2014. - T. 56, Вып. 10. - С. 1970-1977. - Библиогр.: 30 . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Представлено теоретическое исследование интерметаллида Mg2Ni в качестве потенциального материала для хранения водорода. Рассмотрены процессы сорбции и диффузии атома водорода в объеме и на поверхности данного материала, а также постадийный процесс диссоциативной хемосорбции молекулы H2 на поверхности. Изучена зависимость энергии сорбции атомарного водорода от структурных характеристик интерметаллида Mg2Ni.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical investigation of the adsorption and diffusion of hydrogen on the surface and in the bulk of the intermetallic compound Mg2Ni [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Phys. Solid State : Pleiades Publishing, 2014. - Vol. 56 Is. 10.- P.2035-2042

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Ковалева, Евгения Андреевна; Холтобина, А. С.
}
Найти похожие

Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - Библиогр.: 21 назв. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- дефекты -- адатомы -- метод функционала плотности
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86 Is. 7.- P.1091-1095

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Толстая, А. В.
}
Найти похожие

10.

Металл-диэлектрический оптический микрорезонатор с управляемой добротностью / Г. А. Романенко, П. С. Панкин, Д. С. Бузин [и др.] // XXXIII Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени профессора А.П. Сухорукова (Волны-2022) : сборник трудов. - 2022. - Секция: Нанофотоника, метаматериалы и фотонные кристаллы. - С. 33-34. - Библиогр.: 3. - Исследование было поддержано Российским научным фондом (проект № 22-42-08003)

Материалы конференции,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский федеральный университет
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева
АО НПП «Радиосвязь», Красноярск

Доп.точки доступа:
Романенко, Гавриил Александрович; Панкин, Павел Сергеевич; Pankin, P. S.; Бузин, Даниил Сергеевич; Buzin, D. S.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Сутормин, Виталий Сергеевич; Sutormin, V. S.; Наболь, Степан Васильевич; Nabol, S. V.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Зеленов, Ф. В.; Масюгин, Альберт Николаевич; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Тимофеев, Иван Владимирович; Timofeev, I. V.; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Волны-2022, Всероссийская школа-семинар "Волновые явления: физика и применения" имени А. П. Сухорукова(33 ; 2022 ; 5-10 июня ; Можайск, Моск. обл.); "Волновые явления: физика и применения", Всероссийская школа-семинар имени А. П. Сухорукова(33 ; 2022 ; 5-10 июня ; Можайск, Моск. обл.)
}
Найти похожие