Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (6)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Kuzubov, A. A.$<.>)
Общее количество найденных документов : 145
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Atuchin V. V., Zaitsev A. I., Molokeev M. S., Aleksandrovsky A. S., Kuzubov A. A., Ignatova N. Y., Kesler V. G.
Заглавие : Electronic structure of α-SrB[[d]]4[[/d]]O[[d]]7[[/d]]: experiment and theory
Место публикации : J. Phys.: Condens. Matter. - 2013. - Vol. 25, no. 8. - Ст.085503. - DOI 10.1088/0953-8984/25/8/085503
Аннотация: The investigation of valence band structure and electronic parameters of constituent element core levels of α-SrB4O7 has been carried out with x-ray photoemission spectroscopy. Optical-quality crystal α-SrB4O7 has been grown by the Czochralski method. Detailed photoemission spectra of the element core levels have been recorded from the powder sample under excitation by nonmonochromatic Al Kα radiation (1486.6 eV). The band structure of α-SrB4O7 has been calculated by ab initio methods and compared to XPS measurements. It has been found that the band structure of α-SrB4O7 is weakly dependent on the Sr-related states.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Aleksandrovsky A. S., Atuchin V. V., Kesler V. G., Zaitsev A. I., Molokeev M. S., Kuzubov A. A., Ignatova N. Y.
Заглавие : Electronic structure of α-SrB4O7: Experiment and theory
Коллективы : Russian-French workshop on Nanosciences and Nanotechnologies, Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН, Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Место публикации : The 7th Russian-French workshop on Nanosciences and Nanotechnologies: Program and abstract book/ ed. A. V. Okotrub. - Novosibirsk, 2013. - P.47. - ISBN 978-5-901688-29-8
Материалы конференции
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Atuchin V. V., Aleksandrovsky A. S., Ignatova N. Y., Kesler V. G., Kuzubov A. A., Molokeev M. S., Zaitsev A. I.
Заглавие : Electronic structure of α-SrB4O7
Коллективы : Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Ульяновский государственный университет, Российский фонд фундаментальных исследований, Академия наук Татарстана, "Opto-, nanoelectronics, nanotechnology, and microsystems", International Conference (2013 ; Jul. ; 26-30; Ulyanovsk, Russia), "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", международная конференция (2013 ; июль.; 26-30; Ульяновск)
Место публикации : XVI Международная конференция "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы": Труды. - Ульяновск, 2013. - P.101-101
Материалы конференции
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Avramov P. V., Kuzubov A. A., Sakai, Seiji, Ohtomo, Manabu, Entani, Shiro, Matsumoto, Yoshihiro, Naramoto, Hiroshi, Eleseeva N. S.
Заглавие : Contact-induced spin polarization in graphene/h-BN/Ni nanocomposites
Место публикации : J. Appl. Phys.: American Institute of Physics, 2012. - Vol. 112, Is. 11. - Ст.114303. - P. - ISSN 0021-8979, DOI 10.1063/1.4767134
Примечания : Cited References: 47. - This work was supported by JAEA Research fellowship (P.V.A.). P.V.A. also acknowledges JAEA ASRC and Molecular Spintronics Group for hospitality and fruitful collaboration. The authors are grateful to the ICS SB RAS and SFU CC (Krasnoyarsk), ISC RAS and MSU CRC, (SKIF MSU "Chebyshev", Moscow) for computer resources. This work was partially supported by the RFBR grant 12-02-31417.
Предметные рубрики: HEXAGONAL BORON-NITRIDE
TRILAYER GRAPHENE
NI(111) SURFACE
GRAPHITE
APPROXIMATION
SPINTRONICS
DIFFRACTION
SIMULATION
SUBSTRATE
CARBON
Аннотация: Atomic and electronic structure of graphene/Ni(111), h-BN/Ni(111) and graphene/h-BN/Ni(111) nanocomposites with different numbers of graphene and h-BN layers and in different mutual arrangements of graphene/Ni and h-BN/Ni at the interfaces was studied using LDA/PBC/PW technique. Using the same technique corresponding graphene, h-BN and graphene/h-BN structures without the Ni plate were calculated for the sake of comparison. It was suggested that C-top:C-fcc and N-top:B-fcc configurations are energetically favorable for the graphene/Ni and h-BN/Ni interfaces, respectively. The Ni plate was found to induce a significant degree of spin polarization in graphene and h-BN through exchange interactions of the electronic states located on different fragments. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4767134]
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Krasnov P. O., Tomilin F. N., Fedorov A. S., Tolstaya A. V.
Заглавие : Possibility of a 2D SiC monolayer formation on Mg(0001) and MgO(111) substrates
Место публикации : Russ. J. Phys. Chem. A: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2013. - Vol. 87, Is. 8. - P.1332-1335. - ISSN 0036-0244, DOI 10.1134/S0036024413080141
Примечания : Cited References: 25
Предметные рубрики: AB-INITIO
THIN-FILMS
NANOTUBES
ENERGY
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): silicon carbide monolayer--density functional theory
Аннотация: The geometrical characteristics of a 2D SiC monolayer on Mg(0001) and MgO(111) plates regarded as potential materials for growing two-dimensional silicon carbide were studied. The most favorable positions of the atoms of 2D SiC on the substrates were determined. In the 2D SiC/Mg(0001) system, unlike in 2D SiC/MgO(111), the deviation of the carbon atom from the silicon carbide monolayer was insignificant (0.08 ). Consequently, magnesium can be used as a substrate for growing two-dimensional silicon carbide. The use of MgO(111) is not recommended because of a significant distortion of the 2D SiC surface.
Смотреть статью,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Краснов, Павел Олегович, Томилин, Феликс Николаевич, Федоров, Александр Семенович, Толстая А. В.
Заглавие : Возможность образования монослоя 2D SIC на подложках Mg(0001) и MgO(111)
Место публикации : Журн. физ. химии. - 2013. - Т. 87, № 8. - С. 1336-1340. - DOI 10.7868/S0044453713080189
Аннотация: Исследованы геометрические особенности монослоя 2D SiC на пластинках Mg(0001) и MgO(111), рассматриваемых в качестве потенциальных материалов для выращивания двумерного карбида кремния. Определены наиболее выгодные положения атомов 2D SiC на подложках. Показано, что величина выхода атома углерода из плоскости монослоя карбида кремния незначительна в системе 2D SiC/Mg(0001) в отличие от 2D SiC/MgO(111) и составляет 0.08 A. Следовательно, существует возможность использования магния в качестве подложки для выращивания двумерного карбида кремния. Использовать MgO(111) нецелесообразно из-за сильного искажения поверхности 2D SiC.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Orlov Yu.S., Ovchinnikov S. G., Dudnikov V. A., Fedorov A. S., Kuzubov A. A.
Заглавие : Structural properties and high temperature spin and electronic transitions in GdCoO[[d]]3[[/d]]: experiment and theory
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 200. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kuzubov A. A., Eliseeva N. S., Popov Z. I., Fedorov A. S., Serzhantova M. V., Denisov V. M., Tomilin F. N.
Заглавие : Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it
Место публикации : JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P.634-638. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364013110088
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Попов, Захар Иванович, Федоров, Александр Семенович, Сержантова, Мария Викторовна, Денисов, Виктор Михайлович, Томилин, Феликс Николаевич
Заглавие : Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736. - DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Eliseeva N. S., Kuzubov A. A., Ovchinnikov S. G., Serzhantova M. V., Tomilin F. N., Fedorov A. S.
Заглавие : Theoretical study of the magnetic properties of ordered vacancies in 2D hexagonal structures: Graphene, 2D-SiC, and h-BN
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 11. - P.555-559. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012110045
Примечания : Cited References: 29
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
METALS
TRANSITION
DEFECTS
STATE
Аннотация: The magnetic properties of vacancies in 2D hexagonal structures-graphene and 2D-SiC and h-BN monolayers-have been studied. It has been found that a local magnetic moment exists in all listed systems in the presence of vacancies. However, in 2D hexagonal silicon carbide, the local magnetic moment appears only in the presence of silicon vacancy. In addition, the effect of the distance between vacancies in a monolayer on transitions between the ferromagnetic and antiferromagnetic states has been revealed.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)