Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Lukyanenko, A. V.$<.>)

Общее количество найденных документов : 128
Показаны документы с 1 по 20

Frequency-dependent magnetotransport properties of the schottky diode based on the Fe3Si/p-Si hybrid structure / A. S. Tarasov [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. III.22.02o. - P. . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
}
Найти похожие

Magnetoresistance of the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure / I. A. Bondarev [et al.] // Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. IX.24.02p . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Rautckii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
}
Найти похожие

    The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device / N. V. Volkov [et al.] // J. Surf. Invest. - 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P. 984-994, DOI 10.1134/S1027451015050432. - Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043. . - ISSN 1027-4510
   Перевод заглавия: Оптически индуцированный и управляемый напряжением магниторезистивный эффект в устройстве на основе кремния

РУБ Surfaces and Interfaces, Thin Films

Кл.слова (ненормированные):
magnetoresistance -- magnetotransport properties -- photoconductivity -- bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Institute of Space Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Magnetic and transport properties of Fe3Si on the Si (111) substrate / I. A. Bondarev [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 59. - Библиогр.: 2. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Dorofeev, N. V.; Дорофеев, Николай Владимирович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
}
Найти похожие

Anisotropy of the magnetoimpedance in hybrid hetero structure FeNi/SiO2/p-Si / A. V. Lukyanenko [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 111. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Gustaitsev, A. O.; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
}
Найти похожие

The magnetoimpedance effect in the Fe3Si/p-Si structure / D. A. Smolyakov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 161. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
}
Найти похожие

The dc magnetotransport properties of the Mn/SiO2/p-Si diode / A. S. Tarasov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 173. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234, and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; Jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир", центр межрегионального инновационного развития
}
Найти похожие

Ferromagnetic resonance characterization of the single-crystal epitaxial Fe3Si film on the Si(111) substrate / M. V. Rautskii [et al.] // Third Asian school-conf. on physics and technol. of nanostructured mater. (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. III.24.04p. - Библиогр.: 3. - The work was supported in part by the Grant of the President of the Pussian Federation and the Pussian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234 . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Volochaev, M. N.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
}
Найти похожие

Magnetic, transport, and magnetotransport properties of the textured Fe3O4 thin films reactively deposited onto SiO2/Si / A. S. Tarasov [et al.] // J. Alloys Compd. - 2016. - Vol. 688. - P. 1095-1100, DOI 10.1016/j.jallcom.2016.07.138. - Cited References: 40. - This work was supported in part by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234; the Russian Academy of Sciences, Program “Far East” no. 0262-2015-0057; and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, state order no. 16.663.2014K. The XRD study was supported by the state budget allocated to the Russian Academy of Sciences, fundamental research project no. V. 45.3.1. The authors are grateful to the Krasnoyarsk Regional Fund for Science and Technical Activity Support and the Council of the President of the Russian Federation on Grants. . - ISSN 0925-8388
Кл.слова (ненормированные):
Magnetite -- Magnetoresistance -- Reactive deposition
Аннотация: The structural, magnetic, transport, and magnetotransport properties of Fe3O4 thin films with thicknesses from 38 nm to 95 nm are systematically investigated. The occurrence of the Verwey transition in these films at a temperature of about 120 K is established. It is found that the temperature dependences of the magnetic moment have a feature near 40 K, which can be attributed to the multiferroic phase. According to the X-ray diffraction data, the film structure represents a (001) texture. As was established using transmission electron microscopy, the height and width of texture crystallites increase with film thickness. Analysis of the temperature dependences of the resistivity showed that the dominant carrier transport mechanism in the films is thermoactivated tunneling. The thermoactivation energy, along with the room-temperature resistivity, decreases with increasing film thicknesses, which is most likely related to the variation in the crystallite size, especially in the crystallite width. The field dependence of magnetoresistance behaves similarly over the entire temperature range and has a positive MR peak in weak fields, which is related to spin-dependent tunneling through Fe3O4 grains and antiferromagnetically coupled antiphase boundaries. © 2016 Elsevier B.V.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Automation and Control Processes, Russian Academy of Sciences, Far Eastern Branch, Vladivostok, Russian Federation
School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Korobtsov, V. V.; Balashev, V. V.; Vikulov, V. A.; Solovyov, L. A.; Соловьев, Леонид Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

10.

Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/insulator/semiconductor hybrid structures / N. V. Volkov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. I4.4. - P. 214. - References: 3 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
hybrid structures -- magnetoresistance -- magnetoimpedance

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

11.

Ferromagnetic Resonance Study of the epitaxial Fe3Si(111) film on the Si(111) substrate / M. V. Rautskii [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. O5.5. - P. 253. - References: 2 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- FMR -- magnetic anisotropy

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

12.

Characterization and magnetotransport properties of textured Fe3O4 films / A. S. Tarasov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. O10.21. - P. 465. - References: 2. - This work was partially supported by RFBR project no. 14-02-00234, the RAS «Far East» Program No 0262-2015-0057 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
magnetite -- texture film -- spin-dependent transport

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Korobtsov, V .V.; Коробцов, Владимир Викторович; Balashev, V. V.; Балашев В. В.; Vikulov, V. A.; Solovyov, L. A.; Соловьев, Леонид Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

13.

FIB and photolithography fabrication of low-dimensional devices based on the Co/Al2O3/Ge/Al2O3/Si hybrid structures / A. V. Lukyanenko [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P10.17. - P. 485 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
spin injection -- hybrid structures -- FIB

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

14.

Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/ p -Si hybrid structure / N. V. Volkov [et al.] // AIP Adv. - 2017. - Vol. 7, Is. 1. - Ст. 015206, DOI 10.1063/1.4974876. - Cited References: 29. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research Projects Nos. 16-42-242036 and 16-42-243046, the Russian Ministry of Education and Science, state assignment no. 16.663.2014K. . - ISSN 2158-3226
Кл.слова (ненормированные):
Electric fields -- Impact ionization -- Ionization -- Magnetic fields -- Magnetism -- Manganese -- Schottky barrier diodes -- Effect of magnetic field -- High magnetic fields -- Low temperatures -- Magnetic and electric fields -- Magnetotransport effects -- Magnetotransport phenomena -- Schottky barriers -- Switching devices -- Magnetic field effects
Аннотация: We report on abrupt changes in dc resistance and impedance of a diode with the Schottky barrier based on the Mn/SiO2/p-Si structure in a magnetic field. It was observed that at low temperatures the dc and ac resistances of the device change by a factor of more than 106 with an increase in a magnetic field to 200 mT. The strong effect of the magnetic field is observed only above the threshold forward bias across the diode. The ratios between ac and dc magnetoresistances can be tuned from almost zero to 108% by varying the bias. To explain the diversity of magnetotransport phenomena observed in the Mn/SiO2/p-Si structure, it is necessary to attract several mechanisms, which possibly work in different regions of the structure. The anomalously strong magnetotransport effects are attributed to the magnetic-field-dependent impact ionization in the bulk of a Si substrate. At the same time, the conditions for this process are specified by structure composition, which, in turn, affects the current through each structure region. The effect of magnetic field attributed to suppression of impact ionization via two mechanisms leads to an increase in the carrier energy required for initiation of impact ionization. The first mechanism is related to displacement of acceptor levels toward higher energies relative to the top of the valence band and the other mechanism is associated with the Lorentz forces affecting carrier trajectories between scatterings events. The estimated contributions of these two mechanisms are similar. The proposed structure is a good candidate for application in CMOS technology-compatible magnetic- and electric-field sensors and switching devices.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Space Technology, Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Gustaitsev, A. O.; Густайцев, Артур Олегович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

15.

Marnetic-field sensitivity of charge transport in silicon-based hybrid structures : Invited / N. V. Volkov [et al.] // International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts / Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P10

Материалы совещания

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Rautskii, M. V.; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics(27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

16.

Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/p-Si hybrid structure / I. A. Tarasov [et al.] // International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts / Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P. 21

Материалы совещания

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics(27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

17.

    International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts / Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. ; предс. прогр. ком. S. G. Ovchinnikov. - Krasnoyarsk : [s. n.], 2017. - 30 p.
    Содержание:
Bondarev, I. A. Magnetic and transport properties of the epitaxial Fe3Si film on a Si substrate / I. A. Bondarev. - P .25
Yakovlev, I. A. The magnetic anisotropy of the Fe and Fe(1-x)Si(x) thin films depend on / I. A. Yakovlev [и др.]. - P .12
Другие авторы: Belyaev B. A., Rautskii M. V., Tarasov, I. A., Varnakov S. N, Ovchinnikov, S. G.
Popkov, S. I. Inverted opals as the Josephson networks of weak links : Invited / S. I. Popkov [и др.]. - P .24
Другие авторы: Gokhfeld D. M., Bykov A., Mistonov A., Shabanov A., Terentiev K.
Nikolaev, S. Electronic structure and Fermi surface within the cluster perturbation theory in X-operators representation : Invited / S. Nikolaev, V. I. Kuz'min, S. G. Ovchinnikov. - P .27
Fedorov, A. S. DFT investigation of electronic and optical magnetic properties of one dimensional transition metal halide structuresTmHaI3 : Invited / A. S. Fedorov [и др.]. - P .20
Другие авторы: Kuzubov A. A., Kovaleva E. A., Popova M. I., Kholtobina A. S., Mikhaleva N. S., Visotin M. A.
Ovchinnikov, S. G. Effect of interatomic exchange interaction on spin crossover and Mott-Hubbard transition under high pressure and the physical properties of the low Earth’s mantle : Invited / S. G. Ovchinnikov [и др.]. - P .26
Другие авторы: Orlov Yu. S., Nikolaev S., Nesterov A., Ovchinnikova T.
Tarasov, I. A. Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/p-Si hybrid structure / I. A. Tarasov [и др.]. - P .21
Другие авторы: Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Volkov, N. V. Marnetic-field sensitivity of charge transport in silicon-based hybrid structures : Invited / N. V. Volkov [et al.]. - P .10
Другие авторы: Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Ovchinnikov S. G.
Lukyanenko, A. V. Fabrication of multi-terminal planar devices based on epitaxial Fe1-xSix films grown on Si(111) / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, I. A. Tarasov [et al.] ; A. V. Luyanenko [и др.]. - P .28
Другие авторы: Tarasov A. S., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Smolyarova T. E., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Rautskii, M. V. Magnetic field-driven lateral photovoltaic effect in the Fe/SiO2/p-Si hibrid structure with the Scottky barrier / M. V. Rautskii [и др.]. - P .29
Другие авторы: Tarasov A. S., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Volkov N. V.
Moryachkov, R. Small angle X-ray scattering and atomic structure of aptamer biomolecules / R. Moryachkov [и др.]. - P .14-15
Другие авторы: Tomilin F. N., Shchugoreva I., Spiridonova V., Peters G., Zabluda V.
Tarasov, I. A. Iron silicides and pure iron epitaxial and highly-textured nanostructures on silicon: growth and their physical properties : Invited / I. A. Tarasov [и др.]. - P .23
Другие авторы: Visotin M. A., Solovyov L. A., Rautskii M. V., Zhandun, V. S., Nemtsev I. V., Yakovlev I. A., Varnakov S. N, Ovchinnikov, S. G.
Sokolov, A. E. Magnetic nanoparticles and DNA-aptamers conjugates for diagnostics and therapy of cancer : Invited / A. E. Sokolov [и др.]. - P .13
Другие авторы: Zamay S., Zamay T., Svetlichnyi V., Velikanov D.
Sandalov, I. S. The microscopic origin of ferromagnetism in Fe silicides : Invited / I. S. Sandalov [и др.]. - P .16
Другие авторы: Zamkova N. G., Zhandun V. S., Ovchinnikov, S. G.

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Lukyanenko, A. V.; Varnakov, S. N.; Bondarev, I. A.; Ovchinnikov, S. G.; Tarasov, I. A.; Svetlichnyi, V.; Velikanov, D. A.; Spiridonova, V.; Peters, G.; Zabluda, V. N.; Popova, M. I.; Kholtobina, A. S.; Mikhaleva, N. S.; Visotin, M. A.; Yakovlev, I. A.; Volkov, N. V.; Rautskii, M. V.; Zhandun, V. S.; Nemtsev, I. V.; Varnakov, S. N; Mistonov, A.; Shabanov, A. V.; Terentiev, K. Yu.; Nesterov, A.; Ovchinnikova, T.; Smolyarova, T. E.; Volochaev, M. N.; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics (27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

18.

Magnetic field-driven lateral photovoltaic effect in the Fe/SiO2/p-Si hibrid structure with the Scottky barrier / M. V. Rautskii [et al.] // International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts / Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P. 29

Материалы совещания

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics(27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

19.

Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/ insulator/ semiconductor hybrid structures / N. V. Volkov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2017. - Vol. 440: EURO-Asian Symposium on Trends in Magnetism (EASTMAG) (AUG 15-19, 2016, Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, RUSSIA). - P. 140-143, DOI 10.1016/j.jmmm.2016.12.092. - Cited References:27. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund, Project nos. 16-42-242036 and 16-42-243046, the Russian Ministry of Education and Science, state assignment no. 16.663.2014K. . - ISSN 0304-8853. - ISSN 1873-4766

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
SPINTRONICS
   BREAKDOWN
   SILICON
   SPIN
Кл.слова (ненормированные):
Hybrid structures -- Magnetoresistance -- Magnetoimpedance -- Photovoltage
Аннотация: Extremely large magnetotransport phenomena were found in the simple devices fabricated on base of the Me/SiO2/p-Si hybrid structures (where Me are Mn and Fe). These effects include gigantic magnetoimpedance (MI), dc magnetoresistance (MR) and the lateral magneto-photo-voltaic effect (LMPE). The MI and MR values exceed 10(6)% in magnetic field about 0.2 T for Mn/SiO2/p-Si Schottky diode. LMPE observed in Fe/SiO2/p-Si lateral device reaches the value of 10(4)% in a field of 1 T. We believe that in case with the Schottky diode MR and MI effects are originate from magnetic field influence on impact ionization process by two different ways. First, the trajectory of the electron is deflected by a magnetic field, which suppresses acquisition of kinetic energy and therefore impact ionization. Second, the magnetic field gives rise to shift of the acceptor energy levels in silicon to a higher energy. As a result, the activation energy for impact ionization significantly increases and consequently threshold voltage rises. Moreover, the second mechanism (acceptor level energy shifting in magnetic field) can be responsible for giant LMPE.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [16-42-242036, 16-42-243046]; Russian Ministry of Education and Science [16.663.2014K]; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

20.

Si/Fe flux ratio influence on growth and physical properties of polycrystalline β-FeSi2 thin films on Si(100) surface / I. A. Tarasov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2017. - Vol. 440. - P. 144-152, DOI 10.1016/j.jmmm.2016.12.084. - Cited References:39. - This work was supported by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060 . - ISSN 0304-8853. - ISSN 1873-4766

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
SEMICONDUCTING FESI2 FILMS
SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY
EPITAXIAL-FILMS
Кл.слова (ненормированные):
β-FeSi2 iron disilicide -- Optical properties -- Reflection high-energy -- electron diffraction -- Raman spectroscopy -- ab initio calculation
Аннотация: This work investigates the Si/Fe flux ratio (2 and 0.34) influence on the growth of β-FeSi2 polycrystalline thin films on Si(100) substrate at 630 °C. Lattice deformations for the films obtained are confirmed by X-ray diffraction analysis (XRD). The volume unit cell deviation from that of β-FeSi2 single crystal are 1.99% and 1.1% for Si/Fe =2 and Si/Fe =0.34, respectively. Absorption measurements show that the indirect transition (~ 0.704 eV) of the Si/Fe =0.34 sample changes to the direct transition with a bandgap value of ~0.816 eV for the sample prepared at Si/Fe =2. The absorption spectrum of the Si/Fe =0.34 sample exhibits an additional peak located below the bandgap energy value with the absorption maximum of ~0.36 eV. Surface magneto-optic Kerr effect (SMOKE) measurements detect the ferromagnetic behavior of the β-FeSi2 polycrystalline films grown at Si/Fe =0.34 at T=10 K, but no ferromagnetism was observed in the samples grown at Si/Fe =2. Theoretical calculations refute that the cell deformation can cause the emergence of magnetization and argue that the origin of the ferromagnetism, as well as the lower absorption peak, is β-FeSi2 stoichiometry deviations. Raman spectroscopy measurements evidence that the film obtained at Si/Fe flux ratio equal to 0.34 has the better crystallinity than the Si/Fe =2 sample.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Visotin, M. A.; Высотин Максим Александрович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Krylov, A. S.; Крылов, Александр Сергеевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Science Foundation [16-13-00060]; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие