Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Moiseenko, E. T.$<.>)

Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-29

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 74 рукописный текст
Автор(ы) : Моисеенко, Евгений Тимофеевич
Заглавие : Структурные фазовые превращения и атомное упорядочение при твердофазных реакциях в тонкопленочных системах Cu/Au и Pd/Fe : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2014
Колич.характеристики :128 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 126 назв.
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.15
ББК : В371.26я031 + В375.1я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 74 рукописный текст
Автор(ы) : Моисеенко, Евгений Тимофеевич
Заглавие : Структурные фазовые превращения и атомное упорядочение при твердофазных реакциях в тонкопленочных системах Cu/Au и Pd/Fe : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2014
Колич.характеристики :21 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.15
Смотреть автореферат
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Жарков, Сергей Михайлович, Алтунин, Роман Русланович, Моисеенко, Евгений Тимофеевич
Заглавие : Твердофазная реакция в тонкопленочной системе Al/Ag
Коллективы : Научный совет по электронной микроскопии РАН, Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, "Курчатовский институт", научно-исследовательский центр, Российская конференция по электронной микроскопии (28; 2020 ; 5-10 сент.; Черноголовка, Московская обл.), Школа молодых ученых (6; 2020 ; 5-10 сент.; Черноголовка, Московская обл.)
Место публикации : XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии (РКЭМ-2020): сб. тез. докладов : в 3-х т. - 2020. - Т. 2. - P.228-229. - ISBN 978-5-6045073-2-2, DOI 10.37795/RCEM.2020.82.12.017
Примечания : Библиогр.: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Zharkov S. M., Altunin R. R., Belousov O. V., Solovyov L. A., Yumashev V. V., Volochaev M. N., Zeer G. M.
Заглавие : Peculiarities of Intermetallic Phase Formation in the Process of a Solid State Reaction in (Al/Cu)n Multilayer Thin Films
Место публикации : JOM. - 2021. - Vol. 73, Is. 2. - P.580-588. - ISSN 10474838 (ISSN), DOI 10.1007/s11837-020-04522-9
Примечания : Cited References: 44. - This work was supported by the Russian Science Foundation under Grant #18-13-00080. The electron microscopy investigations were conducted in the SFU Joint Scientific Center whose infrastructure was supported by the State assignment (#FSRZ-2020-0011) of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation. The preparation of cross-section samples for TEM investigations was conducted in the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS”
Аннотация: Phase formation in a solid state reaction in Al/Cu bilayer and multilayer thin films was studied by the methods of in situ transmission electron microscopy, electron diffraction, simultaneous thermal analysis and x-ray diffraction. It was established that the phase formation sequences in the (Al/Cu)n (n = 2, 15) multilayer thin films (θ-Al2Cu → γ1-Al4Cu9 → η2-AlCu) and Al/Cu bilayer thin films (θ-Al2Cu → η2-AlCu → γ1-Al4Cu9) were different. It was assumed that the phase formation process in the thin films was strongly affected by a number of copper/aluminum interfaces due to the changes of aluminum and copper diffusion current.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Altunin R. R., Zharkov S. M.
Заглавие : In situ electron diffraction and resistivity characterization of solid state reaction process in Cu/Al bilayer thin films
Место публикации : Metall. Mat. Trans. A. - 2020. - Vol. 51, Is. 3. - P.1428-1436. - ISSN 10735623 (ISSN), DOI 10.1007/s11661-019-05602-5
Примечания : Cited References: 52. - The authors wish to thank the financial support from the Russian Science Foundation (Grant #18-13-00080)
Аннотация: Solid state reaction processes in Cu/Al thin films have been studied using the methods of in situ electron diffraction and electrical resistivity measurements. The solid state reaction in the Cu/Al thin films has been found to begin already at 88 °C with the formation of the Al2Cu phase in the process of thermal heating in vacuum. The phase sequence at the solid state reaction in the films under study has been determined to be the following: Al2Cu → AlCu → Al4Cu9. A model has been suggested for describing the initial formation stage of intermetallic compounds at the solid state reaction in Cu/Al thin films. According to this model, at the initial stage, the intermetallic compounds are formed as separate crystallites at the interface in the Cu/Al thin films. The suggested model can be applied both to the formation of the first phase, Al2Cu, and to the subsequent phases: AlCu and Al4Cu9. For the Al4Cu9 phase the temperature coefficient of the electrical resistivity has been determined to be equal to αAl4Cu9= 1.1 × 10−3 K−1.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Altunin R. R., Moiseenko E. T., Zharkov S. M.
Заглавие : Structural phase transformations during a solid-state reaction in a bilayer Al/Fe thin-film nanosystem
Место публикации : Phys. Solid State. - 2020. - Vol. 62, Is. 1. - P.200-205. - ISSN 10637834 (ISSN), DOI 10.1134/S1063783420010059
Примечания : Cited References: 36. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-03-01173a
Аннотация: The processes of phase formation during a solid-state reaction between Fe and Al nanolayers have been investigated by the in situ electron diffraction method. It is established that the solid-state reaction at the interface between iron and aluminum nanolayers begins at ≈100°C with the formation of a disordered Al solid solution in α-Fe. It is shown that intermetallic phases (FeAl6 and/or Fe2Al5, FeAl, and Fe3Al) are successively formed upon further heating.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Altunin R. R., Moiseenko E. T., Zharkov S. M.
Заглавие : Effect of the structural properties on the electrical resistivity of the Al/Ag thin films during the solid-state reaction
Коллективы : Russian Science FoundationRussian Science Foundation (RSF) [18-13-00080]
Место публикации : Phys. Solid State. - 2020. - Vol. 62, Is. 4. - P.708-713. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783420040034. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Cited References: 43. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 18-13-00080.
Предметные рубрики: LIGHT-EMITTING-DIODES
PHASE-FORMATION
AG
AL
DIFFUSION
SUPPRESSION
INTERFACE
SURFACE
GROWTH
HEAT
Аннотация: Based on the results of in situ electron diffraction study of the solid-state reaction and electrical resistivity measurements on the Al/Ag thin films with an atomic ratio of Al : Ag = 1 : 3, the temperature of the reaction onset has been established and a model of the structural phase transitions has been proposed. The solid-state reaction begins at 70°C with the formation of the Al–Ag solid solution at the interface between the aluminum and silver nanolayers. It has been found that, in the course of the reaction, the intermetallic compounds γ-Ag2Al → μ-Ag3Al are successively formed. It is shown that the possibility of the formation of the μ‑Ag3Al phase during the solid-state reaction in the Al/Ag thin films depends on the aluminum-to-silver ratio, while the formation of the μ-Ag3Al phase begins only after all fcc aluminum has reacted.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Altunin R. R., Yumashev V. V., Moiseenko E. T., Belousov O. V., Solovyov L. A., Volochaev M. N., Zeer G. M.
Заглавие : Kinetic study of a solid-state reaction in Ag/Al multilayer thin films by in situ electron diffraction and simultaneous thermal analysis
Коллективы : Russian Science Foundation, RussiaRussian Science Foundation (RSF) [181300 080]
Место публикации : J. Alloys Compd. - 2021. - Vol. 871. - Ст.159474. - ISSN 0925-8388, DOI 10.1016/j.jallcom.2021.159474. - ISSN 1873-4669(eISSN)
Примечания : Cited References: 47. - This work was supported by the Russian Science Foundation, Russia under grant #181300 080
Предметные рубрики: STRUCTURAL PHASE-TRANSFORMATIONS
COMMITTEE RECOMMENDATIONS
ICTAC KINETICS
Аннотация: A solid-state reaction process in Ag/Al multilayer thin films has been investigated by the methods of in situ electron diffraction, simultaneous thermal analysis, transmission electron microscopy and X-ray diffraction with the aim of studying the phase formation kinetics of intermetallic compounds. The sequence of the phase transformations in the solid-state reaction has been established: Ag+Al→(Ag)+(Al)→(Ag)+δ-Ag2Al→μ-Ag3Al. The process of the solid-state interaction has been shown to consist of two steps; each of them is described by a kinetic model of the nth order reactions with autocatalysis. The kinetic parameters of the autocatalytic process of the phase formation for δ-Ag2Al and µ-Ag3Al, have been determined, in particular, their apparent activation energy: 126 kJ/mol and 106 kJ/mol, respectively.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Yumashev V. V., Altunin R. R., Zeer G. M., Nikolaeva N. S., Belousov O. V., Zharkov S. M.
Заглавие : Solid-state reaction in Cu/a-Si nanolayers: A comparative study of STA and electron diffraction data
Место публикации : Materials. - 2022. - Vol. 15, Is. 23. - Ст.8457. - ISSN 19961944 (eISSN), DOI 10.3390/ma15238457
Примечания : Cited References: 45. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant # 22-13-00313
Аннотация: The kinetics of the solid-state reaction between nanolayers of polycrystalline copper and amorphous silicon (a-Si) has been studied in a Cu/a-Si thin-film system by the methods of electron diffraction and simultaneous thermal analysis (STA), including the methods of differential scanning calorimetry (DSC) and thermogravimetry (TG). It has been established that, in the solid-state reaction, two phases are formed in a sequence: Cu + Si → η″-Cu3Si → γ-Cu5Si. It has been shown that the estimated values of the kinetic parameters of the formation processes for the phases η″-Cu3Si and γ-Cu5Si, obtained using electron diffraction, are in good agreement with those obtained by DSC. The formation enthalpy of the phases η″-Cu3Si and γ-Cu5Si has been estimated to be: ΔHη″-Cu3Si = −12.4 ± 0.2 kJ/mol; ΔHγ-Cu5Si = −8.4 ± 0.4 kJ/mol. As a result of the model description of the thermo-analytical data, it has been found that the process of solid-state transformations in the Cu/a-Si thin-film system under study is best described by a four-stage kinetic model R3 → R3 → (Cn-X) → (Cn-X). The kinetic parameters of formation of the η″-Cu3Si phase are the following: Ea = 199.9 kJ/mol, log(A, s−1) = 20.5, n = 1.7; and for the γ-Cu5Si phase: Ea = 149.7 kJ/mol, log(A, s−1) = 10.4, n = 1.3, with the kinetic parameters of formation of the γ-Cu5Si phase being determined for the first time.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие