Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Moiseenko, E. T.$<.>)
Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 20
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 74 рукописный текст
Автор(ы) : Моисеенко, Евгений Тимофеевич
Заглавие : Структурные фазовые превращения и атомное упорядочение при твердофазных реакциях в тонкопленочных системах Cu/Au и Pd/Fe : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2014
Колич.характеристики :128 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 126 назв.
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.15
ББК : В371.26я031 + В375.1я031
Экземпляры :ДС(1)
Свободны : ДС(1)
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/М 74 рукописный текст
Автор(ы) : Моисеенко, Евгений Тимофеевич
Заглавие : Структурные фазовые превращения и атомное упорядочение при твердофазных реакциях в тонкопленочных системах Cu/Au и Pd/Fe : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07
Выходные данные : Красноярск, 2014
Колич.характеристики :21 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения РАН
Примечания : Библиогр.
ГРНТИ : 29.19.16 + 29.19.15
Смотреть автореферат
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Жарков, Сергей Михайлович, Алтунин, Роман Русланович, Моисеенко, Евгений Тимофеевич
Заглавие : Твердофазная реакция в тонкопленочной системе Al/Ag
Коллективы : Научный совет по электронной микроскопии РАН, Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, "Курчатовский институт", научно-исследовательский центр, Российская конференция по электронной микроскопии (28; 2020 ; 5-10 сент.; Черноголовка, Московская обл.), Школа молодых ученых (6; 2020 ; 5-10 сент.; Черноголовка, Московская обл.)
Место публикации : XXVIII Российская конференция по электронной микроскопии (РКЭМ-2020): сб. тез. докладов : в 3-х т. - 2020. - Т. 2. - P.228-229. - ISBN 978-5-6045073-2-2, DOI 10.37795/RCEM.2020.82.12.017
Примечания : Библиогр.: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Zharkov S. M., Altunin R. R., Belousov O. V., Solovyov L. A., Yumashev V. V., Volochaev M. N., Zeer G. M.
Заглавие : Peculiarities of Intermetallic Phase Formation in the Process of a Solid State Reaction in (Al/Cu)n Multilayer Thin Films
Место публикации : JOM. - 2021. - Vol. 73, Is. 2. - P.580-588. - ISSN 10474838 (ISSN), DOI 10.1007/s11837-020-04522-9
Примечания : Cited References: 44. - This work was supported by the Russian Science Foundation under Grant #18-13-00080. The electron microscopy investigations were conducted in the SFU Joint Scientific Center whose infrastructure was supported by the State assignment (#FSRZ-2020-0011) of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation. The preparation of cross-section samples for TEM investigations was conducted in the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS”
Аннотация: Phase formation in a solid state reaction in Al/Cu bilayer and multilayer thin films was studied by the methods of in situ transmission electron microscopy, electron diffraction, simultaneous thermal analysis and x-ray diffraction. It was established that the phase formation sequences in the (Al/Cu)n (n = 2, 15) multilayer thin films (θ-Al2Cu → γ1-Al4Cu9 → η2-AlCu) and Al/Cu bilayer thin films (θ-Al2Cu → η2-AlCu → γ1-Al4Cu9) were different. It was assumed that the phase formation process in the thin films was strongly affected by a number of copper/aluminum interfaces due to the changes of aluminum and copper diffusion current.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Zharkov S. M., Altunin R. R., Belousov O. V., Solovyov L. A., Yumashev V. V., Volochaev M. N., Zeer G. M.
Заглавие : Correction to: Peculiarities of intermetallic phase formation in the process of a solid state reaction in (Al/Cu)n multilayer thin films (vol 73, pg 580, 2021)
Место публикации : JOM. - 2021. - Vol. 73, Is. 6. - P.1988. - ISSN 1047-4838, DOI 10.1007/s11837-021-04633-x. - ISSN 1543-1851(eISSN)
Примечания : Cited References: 1
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Altunin R. R., Zharkov S. M.
Заглавие : In situ electron diffraction and resistivity characterization of solid state reaction process in Cu/Al bilayer thin films
Место публикации : Metall. Mat. Trans. A. - 2020. - Vol. 51, Is. 3. - P.1428-1436. - ISSN 10735623 (ISSN), DOI 10.1007/s11661-019-05602-5
Примечания : Cited References: 52. - The authors wish to thank the financial support from the Russian Science Foundation (Grant #18-13-00080)
Аннотация: Solid state reaction processes in Cu/Al thin films have been studied using the methods of in situ electron diffraction and electrical resistivity measurements. The solid state reaction in the Cu/Al thin films has been found to begin already at 88 °C with the formation of the Al2Cu phase in the process of thermal heating in vacuum. The phase sequence at the solid state reaction in the films under study has been determined to be the following: Al2Cu → AlCu → Al4Cu9. A model has been suggested for describing the initial formation stage of intermetallic compounds at the solid state reaction in Cu/Al thin films. According to this model, at the initial stage, the intermetallic compounds are formed as separate crystallites at the interface in the Cu/Al thin films. The suggested model can be applied both to the formation of the first phase, Al2Cu, and to the subsequent phases: AlCu and Al4Cu9. For the Al4Cu9 phase the temperature coefficient of the electrical resistivity has been determined to be equal to αAl4Cu9= 1.1 × 10−3 K−1.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Altunin R. R., Moiseenko E. T., Zharkov S. M.
Заглавие : Structural phase transformations during a solid-state reaction in a bilayer Al/Fe thin-film nanosystem
Место публикации : Phys. Solid State. - 2020. - Vol. 62, Is. 1. - P.200-205. - ISSN 10637834 (ISSN), DOI 10.1134/S1063783420010059
Примечания : Cited References: 36. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-03-01173a
Аннотация: The processes of phase formation during a solid-state reaction between Fe and Al nanolayers have been investigated by the in situ electron diffraction method. It is established that the solid-state reaction at the interface between iron and aluminum nanolayers begins at ≈100°C with the formation of a disordered Al solid solution in α-Fe. It is shown that intermetallic phases (FeAl6 and/or Fe2Al5, FeAl, and Fe3Al) are successively formed upon further heating.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Altunin R. R., Moiseenko E. T., Zharkov S. M.
Заглавие : Effect of the structural properties on the electrical resistivity of the Al/Ag thin films during the solid-state reaction
Коллективы : Russian Science FoundationRussian Science Foundation (RSF) [18-13-00080]
Место публикации : Phys. Solid State. - 2020. - Vol. 62, Is. 4. - P.708-713. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783420040034. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Cited References: 43. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 18-13-00080.
Предметные рубрики: LIGHT-EMITTING-DIODES
PHASE-FORMATION
AG
AL
DIFFUSION
SUPPRESSION
INTERFACE
SURFACE
GROWTH
HEAT
Аннотация: Based on the results of in situ electron diffraction study of the solid-state reaction and electrical resistivity measurements on the Al/Ag thin films with an atomic ratio of Al : Ag = 1 : 3, the temperature of the reaction onset has been established and a model of the structural phase transitions has been proposed. The solid-state reaction begins at 70°C with the formation of the Al–Ag solid solution at the interface between the aluminum and silver nanolayers. It has been found that, in the course of the reaction, the intermetallic compounds γ-Ag2Al → μ-Ag3Al are successively formed. It is shown that the possibility of the formation of the μ‑Ag3Al phase during the solid-state reaction in the Al/Ag thin films depends on the aluminum-to-silver ratio, while the formation of the μ-Ag3Al phase begins only after all fcc aluminum has reacted.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Altunin R. R., Yumashev V. V., Moiseenko E. T., Belousov O. V., Solovyov L. A., Volochaev M. N., Zeer G. M.
Заглавие : Kinetic study of a solid-state reaction in Ag/Al multilayer thin films by in situ electron diffraction and simultaneous thermal analysis
Коллективы : Russian Science Foundation, RussiaRussian Science Foundation (RSF) [181300 080]
Место публикации : J. Alloys Compd. - 2021. - Vol. 871. - Ст.159474. - ISSN 0925-8388, DOI 10.1016/j.jallcom.2021.159474. - ISSN 1873-4669(eISSN)
Примечания : Cited References: 47. - This work was supported by the Russian Science Foundation, Russia under grant #181300 080
Предметные рубрики: STRUCTURAL PHASE-TRANSFORMATIONS
COMMITTEE RECOMMENDATIONS
ICTAC KINETICS
Аннотация: A solid-state reaction process in Ag/Al multilayer thin films has been investigated by the methods of in situ electron diffraction, simultaneous thermal analysis, transmission electron microscopy and X-ray diffraction with the aim of studying the phase formation kinetics of intermetallic compounds. The sequence of the phase transformations in the solid-state reaction has been established: Ag+Al→(Ag)+(Al)→(Ag)+δ-Ag2Al→μ-Ag3Al. The process of the solid-state interaction has been shown to consist of two steps; each of them is described by a kinetic model of the nth order reactions with autocatalysis. The kinetic parameters of the autocatalytic process of the phase formation for δ-Ag2Al and µ-Ag3Al, have been determined, in particular, their apparent activation energy: 126 kJ/mol and 106 kJ/mol, respectively.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Yumashev V. V., Altunin R. R., Zeer G. M., Nikolaeva N. S., Belousov O. V., Zharkov S. M.
Заглавие : Solid-state reaction in Cu/a-Si nanolayers: A comparative study of STA and electron diffraction data
Место публикации : Materials. - 2022. - Vol. 15, Is. 23. - Ст.8457. - ISSN 19961944 (eISSN), DOI 10.3390/ma15238457
Примечания : Cited References: 45. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant # 22-13-00313
Аннотация: The kinetics of the solid-state reaction between nanolayers of polycrystalline copper and amorphous silicon (a-Si) has been studied in a Cu/a-Si thin-film system by the methods of electron diffraction and simultaneous thermal analysis (STA), including the methods of differential scanning calorimetry (DSC) and thermogravimetry (TG). It has been established that, in the solid-state reaction, two phases are formed in a sequence: Cu + Si → η″-Cu3Si → γ-Cu5Si. It has been shown that the estimated values of the kinetic parameters of the formation processes for the phases η″-Cu3Si and γ-Cu5Si, obtained using electron diffraction, are in good agreement with those obtained by DSC. The formation enthalpy of the phases η″-Cu3Si and γ-Cu5Si has been estimated to be: ΔHη″-Cu3Si = −12.4 ± 0.2 kJ/mol; ΔHγ-Cu5Si = −8.4 ± 0.4 kJ/mol. As a result of the model description of the thermo-analytical data, it has been found that the process of solid-state transformations in the Cu/a-Si thin-film system under study is best described by a four-stage kinetic model R3 → R3 → (Cn-X) → (Cn-X). The kinetic parameters of formation of the η″-Cu3Si phase are the following: Ea = 199.9 kJ/mol, log(A, s−1) = 20.5, n = 1.7; and for the γ-Cu5Si phase: Ea = 149.7 kJ/mol, log(A, s−1) = 10.4, n = 1.3, with the kinetic parameters of formation of the γ-Cu5Si phase being determined for the first time.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Yumashev V. V., Altunin R. R., Solovyov L. A., Volochaev M. N., Belousov O. V., Zharkov S. M.
Заглавие : Thermokinetic study of intermetallic phase formation in an Al/Cu multilayer thin film system
Место публикации : Materialia. - 2023. - Vol. 28. - Ст.101747. - ISSN 25891529 (eISSN), DOI 10.1016/j.mtla.2023.101747
Примечания : Cited References: 53. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant # 22-13-00313
Аннотация: The solid-state reaction process in a multilayer thin film system (Al/Cu)50 has experimentally been studied using the methods of simultaneous thermal analysis (STA) and in situ electron diffraction. A detailed kinetic analysis of the phase formation processes during the solid-state reaction has shown that the observed solid-state transformations can be described by a statistically significant kinetic model where each stage corresponds to the reaction of the n-th order with autocatalysis. The low-temperature stage has been demonstrated to be attributable to the formation of the θ-Al2Cu phase, with the medium-temperature and high-temperature ones corresponding to the α2-AlCu3 and γ1-Al4Cu9 phases, respectively. The kinetic parameters for the formation of the phases θ-Al2Cu, α2-AlCu3 and γ1-Al4Cu9 have been determined. It has been shown that the kinetic model describing the solid-state reaction in the Al–Cu multilayer thin film system is in best agreement with the experimental data in the case of a competition between the formation stages of the α2-AlCu3 and γ1-Al4Cu9 phases.
Смотреть статью
Найти похожие
12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Yumashev V. V., Moiseenko E. T., Altunin R. R., Solovyov L. A., Volochaev M. N., Zeer G. M., Nikolaeva N. S., Belousov O. V.
Заглавие : Thermokinetic study of aluminum-induced crystallization of a-Si: The effect of Al layer thickness
Колич.характеристики :24 с
Место публикации : Nanomaterials. - 2023. - Vol. 13, Is. 22. - Ст.2925. - ISSN 20794991 (eISSN), DOI 10.3390/nano13222925
Примечания : Cited References: 70. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant #22-13-00313
Аннотация: The effect of the aluminum layer on the kinetics and mechanism of aluminum-induced crystallization (AIC) of amorphous silicon (a-Si) in (Al/a-Si)n multilayered films was studied using a complex of in situ methods (simultaneous thermal analysis, transmission electron microscopy, electron diffraction, and four-point probe resistance measurement) and ex situ methods (X-ray diffraction and optical microscopy). An increase in the thickness of the aluminum layer from 10 to 80 nm was found to result in a decrease in the value of the apparent activation energy Ea of silicon crystallization from 137 to 117 kJ/mol (as estimated by the Kissinger method) as well as an increase in the crystallization heat from 12.3 to 16.0 kJ/(mol Si). The detailed kinetic analysis showed that the change in the thickness of an individual Al layer could lead to a qualitative change in the mechanism of aluminum-induced silicon crystallization: with the thickness of Al ≤ 20 nm. The process followed two parallel routes described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X) and the Avrami–Erofeev equation (An): with an increase in the thickness of Al ≥ 40 nm, the process occurred in two consecutive steps. The first one can be described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X), and the second one can be described by the n-th order reaction equation (Fn). The change in the mechanism of amorphous silicon crystallization was assumed to be due to the influence of the degree of Al defects at the initial state on the kinetics of the crystallization process.
Смотреть статью,
Scopus
Найти похожие
13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Altunin R. R., Semenova Yu. G., Moiseenko E. T., Varnakov S. N.
Заглавие : In situ transmission electron microscopy investigations of solid-state synthesis in thin films
Коллективы : International symposium on self-propagating high temperature synthesis
Место публикации : XI Int. symp. self-propagat. high temp. synth. (SHS-2011): book of abstracts. - 2011. - Ст.4C-2. - P.78-79. - ISBN 978-5-6040595-4-8
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Жарков, Сергей Михайлович, Алтунин, Роман Русланович, Моисеенко, Евгений Тимофеевич, Юмашев, Владимир Витальевич
Заглавие : Кинетика фазообразования при твердофазной реакции в многослойных тонкопленочных наносистемах Al/Cu
Коллективы : Научный совет по электронной микроскопии РАН, Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Российская конференция по электронной микроскопии "Современные методы электронной, зондовой микроскопии и комплементарных методов исследованиях наноструктур и наноматериалов" (29; 2022 ; 29-31 авг.; Москва)
Место публикации : XXIX Российская конференция по электронной микроскопии (РКЭМ-2022): сб. тез. докладов. - 2022. - P.279
Примечания : Библиогр.: 1. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 22-13-00313)
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
15.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Altunin R. R., Moiseenko E. T., Varnakov S. N., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : In-situ transmission electron microscopy and electron diffraction investigations of solid-state reactions in Fe3 Si(111)/Si(111) films
Коллективы : International symposium on self-propagating high temperature synthesis
Место публикации : Int. Symp. on Self-propag. High-Temp. Synth. SHS XIII: Oct. 12-15, 2015, Antalya / Türkiye. - 2015. - Ст.Abstract:1139. - P.81
Примечания : The work was partly supported by the Russian Foundation for Basic Research (grants ## 13-02-01265a, 140300515a) and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (grant #2014/71/1763 in the framework of the state assignment for Siberian Federal University for 2014-2016)
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
16.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Altunin R. R., Moiseenko E. T.
Заглавие : Solid-state reactions in Al based multilayer nanosystems
Коллективы : International symposium on self-propagating high temperature synthesis
Место публикации : International symposium on self-propagating high temperature synthesis (15 ; 2019 ; Sept. ; 16-20 ; Moscow). XV International symposium on self-propagating high temperature synthesis (SHS-2019): book of abstracts. - 2019. - P.561-562. - ISBN 978-5-6040595-4-8, DOI 10.24411/9999-0014A-2019-10204
Примечания : Самораспространяющийся высокотемпературный синтез (загл. конф.)
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Altunin R. R., Moiseenko E. T., Zeer G. M., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Solid-state reactions in Fe/Si multilayer nanofilms
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: S. G. Ovchinnikov, A. Samardak: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P.144-149. - ISSN 1662-9779, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.144. - ISSN 978-303835054-5
Примечания : Cited References: 16. - The work was supported by the Presidium of RAS (project No. 24.34), the Russian Foundation for Basic Research (grant #13-02-01265)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): fe/si multilayer nanofilm--intermetallics--solid state reaction--phase transition--magnetic properties--electron diffraction--transmission electron microscopy
Аннотация: Solid-state reaction processes in Fe/Si multilayer nanofilms have been studied in situ by the methods of transmission electron microscopy and electron diffraction in the process of heating from room temperature up to 900ºС at a heating rate of 8-10ºС/min. The solid-state reaction between the nanolayers of iron and silicon has been established to begin at 350-450ºС increasing with the thickness of the iron layer.
Найти похожие
18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Moiseenko E. T., Altunin R. R., Zharkov S. M.
Заглавие : Solid-state synthesis and atomic ordering in thin Cu/Au films (Atomic Ratio, Cu : Au = 3 : 1)
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys.: Allerton Press, 2012. - Vol. 76, Is. 10. - P.1149-1151. - ISSN 1062-8738, DOI 10.3103/S1062873812100073
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): atomic ordering--atomic ratio--bi-layer--in-situ transmission--nano films--solid-state synthesis--space groups--atoms--gold--in situ processing--transmission electron microscopy--copper
Аннотация: In situ transmission electron microscopy investigations of the processes of solid-state synthesis and atomic ordering in bilayer Cu/Au nanofilms (atomic ratio, Cu : Au = 3 : 1) are conducted. It is found that solid-state synthesis starts at 170В°C. A Cu 3Au atomic-disordered structure (Fm3m space group; lattice con- stant, a = 3.76 В± 0.01 A) forms at 280В°C. Annealing the film for 1 hour at 380В°C produced a Cu 3AuI (L1 2 type) atomic-ordered superstructure, a Pm-3m space group, and lattice constant, a = 3.76 В± 0.01 a in the bulk of the film.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Moiseenko E. T., Altunin R. R., Nikolaeva N. S., Zhigalov V. S., Myagkov V. G.
Заглавие : Study of solid-state reactions and order-disorder transitions in Pd/α-Fe(001) thin films
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research [14-03-00515a]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation
Место публикации : JETP Letters. - 2014. - Vol. 99, Is. 7. - P.405-409. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364014070145. - ISSN 1090-6487
Примечания : Cited References: 20. - This work was supported in part by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 14-03-00515a) and by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract for the Siberian Federal University for 2014).
Предметные рубрики: MAGNETIC-PROPERTIES
PHASE
Fe
Аннотация: The formation of the hard-magnetic ordered L10-FePd phase in thin bilayer Pd/α-Fe(001) films has been experimentally studied. Solid-state reactions initiated by thermal heating in bilayer Pd/α-Fe(001) films with a thickness of 50–60 nm (the atomic ratio Pd: Fe ≈ 50: 50) separated from the substrate have been studied using the in situ electron diffraction methods. It has been shown that the solid-state reaction between the palladium and iron layers in Pd/α-Fe(001) starts at 400°C with the formation of the disordered Fe-Pd phase. At 480°C, the ordered L10-FePd phase is formed. The order-disorder phase transition has been studied. It has been established that the transition of the ordered L10-FePd phase to the disordered FePd phase starts at 725°C. At 740°C, only the disordered FePd phase is present over the whole volume of the film. The observed temperature of the order-disorder phase transition is shifted from the equilibrium value by 35°C to higher temperatures. This effect is assumingly associated with the higher concentration of palladium atoms at the boundaries of the Fe-Pd crystal grains owing to the grain-boundary adsorption.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Zharkov S. M., Moiseenko E. T., Altunin R. R., Zeer G. M.
Заглавие : In situ transmission electron microscopy and electron diffraction investigation of solid-state reactions and atomic ordering in Cu/Au bilayer nanofilms
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Chem. - 2013. - Vol. 6, Is. 3. - P.230-240; Журн. СФУ. Сер. "Химия"
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): cu/au nanofilm--intermetallics--solid state reaction--phase transition--atomic ordering--superstructure--нанопленка cu/au--интерметаллиды--твердофазная реакция--фазовый переход--атомное упорядочение--сверхструктура
Аннотация: Solid-state reaction processes and atomic ordering in Cu/Au bilayer nanofilms (with the atomic ratio Cu:Au≈50:50) have been studied in situ by the methods of transmission electron microscopy and electron diffraction in the process of heating from room temperature up to 700 ºС at a heating rate of 4-8 ºС/min. The solid-state reaction between the nanolayers of copper and gold has been established to begin at 180 ºС. The process of atomic ordering has been shown to start simultaneously with the process of the formation of the disordered phase of Cu50Au50 at 245 ºС. The formation processes of the ordered phases of: CuAuI (L10 superstructure) and CuAuII (long period superstructure) have been studied, as well as the phase transition processes: disorder - order (the transition of the disordered structure into the ordered one) and order - disorder (the transition of the ordered structure into the disordered one).Методами просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов проведены in situ-исследования процессов твердофазных реакций и атомного упорядочения в двухслойных нанопленках Cu/Au (с атомным соотношением Cu:Au≈50:50) при нагреве от комнатной температуры до 700 ºС при скорости нагрева 4-8 ºС/мин. Установлено, что твердофазная реакция между нанослоями меди и золота начинается при 180 ºС. Показано, что процесс атомного упорядочения начинается одновременно с процессом формирования неупорядоченной фазы Cu50Au50 при 245 ºС. Исследованы процессы формирования атомно-упорядоченных фаз: CuAuI (L10 сверхструктура) и CuAuII (длинно-периодическая сверхструктура), а также процессы фазовых переходов беспорядок-порядок (переход неупорядоченной структуры в атомно-упорядоченную) и порядок-беспорядок (переход атомно-упорядоченной структуры в неупорядоченную)
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)