Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Rautskii, M. V.$<.>)

Общее количество найденных документов : 134
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Smolyakov D. A., Chichkov V. I., Mukovskii Y. M.
Заглавие : Magnetization dynamics electron transport in hybrid structures La[[d]]0.7[[/d]]Sr[[d]]0.3[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]]/Y[[d]]3[[/d]]Fe[[d]]5[[/d]]O[[d]]12[[/d]]
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 96. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гребенькова, Юлия Эрнестовна, Эдельман, Ирина Самсоновна, Соколов, Алексей Эдуардович, Еремин, Евгений Владимирович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Андреев Н. В., Чичков В. И., Муковский Я. М.
Заглавие : Магнитные и магнитооптические свойства поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3
Место публикации : Изв. РАН. Сер. физич. - 2013. - Т. 77, № 10. - С. 1383–1386. - DOI 10.7868/S0367676513100153
Примечания : Работа поддержана грантами РФФИ № 11-02-00972 и 12-02-92607.
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Гребенькова, Юлия Эрнестовна, Эдельман, Ирина Самсоновна, Соколов, Алексей Эдуардович, Еремин, Евгений Владимирович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Андреев Н. В., Чичков В. И., Муковский Я. М.
Заглавие : Магнитные и магнитооптические свойства поликристаллических пленок La[[d]]0.7[[/d]]Sr[[d]]0.3[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]]
Коллективы : Российская академия наук, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, Институт физики твердого тела РАН, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Астраханский государственный университет , "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция (22; 2012 ; сент. ; 17-23; Астрахань)
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXII международной конференции. - Астрахань, 2012. - С. 516-518
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Eremin E. V., Patrin G. S., Kim P. D., Lee C. G.
Заглавие : Response of a manganite-based magnetic tunnel structure to microwave radiation
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.125-128. - ISBN 978, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.125. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic tunnel structure--microwave detection effect--spintronics--current flowing--current-in-plane geometry--magnetic tunnels--magnetization dynamics--microwave detection--non-linearity--rectification effects--spin-polarized currents--voltage signals--magnetic materials--magnetoelectronics--manganese oxide--microwaves--magnetism
Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a significant voltage signal due to the rectification effect. The measurements were carried out using current-in-plane geometry with a current flowing parallel to the interfaces in the structure. A value of the microwave-induced voltage strongly depends on a bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in "Classical" terms of nonlinearity of the current-voltage characteristic and using a mechanism that involves the interplay between the spinpolarized current and magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vorotynov A. M., Abramova G. M., Pankrats A. I., Petrakovskii G. A., Zharkov S. M., Zeer G. M., Tugarinov V. I., Rautskii M. V., Sokolov V. V.
Заглавие : Magnetic resonance in a Cu-Cr-S structure
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 117, Is. 5. - P.879-884. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776113130189
Аннотация: A layered Cu-Cr-S structure composed of single-crystal CuCrS2 layers and thin CuCr2S4 plates embedded in them has been investigated by the magnetic resonance and scanning electron microscopy methods. The Curie temperature and saturation magnetization of the spinel phase of the investigated samples have been determined. The thickness of the CuCr 2S4 layers has been estimated. The dependence of the growncrystal topology on synthesis conditions has been established. An interpretation of the anomalous behavior of the magnetostatic oscillation intensity is offered.
Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Eremin E. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S.
Заглавие : Magnetic tunnel structures: Transport properties controlled by bias, magnetic field, and microwave and optical radiation
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science BV, 2012. - Vol. 324, Is. 21. - P.3579-3583. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2012.02.095
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the RFBR, project no. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, project no. 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, project no. 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 5, 22 and 134, and the Federal Program (State contract no. NK-556P_15).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): spintronics--magnetic tunnel junction--high-frequency rectification--photoelectric effect
Аннотация: Different phenomena that give rise to a spin-polarized current in some systems with magnetic tunnel junctions are considered. In a manganite-based magnetic tunnel structure in CIP geometry, the effect of current-channel switching was observed, which causes bias-driven magnetoresistance, rf rectification, and the photoelectric effect. The second system under study, ferromagnetic/insulator/semiconductor, exhibits the features of the transport properties in CIP geometry that are also related to the current-channel switching effect. The described properties can be controlled by a bias, a magnetic field, and optical radiation. At last, the third system under consideration is a cooperative assembly of magnetic tunnel junctions. This system exhibits tunnel magnetoresistance and the magnetic-field-driven microwave detection effect. (C) 2012 Elsevier BY. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tereshchenko O. E., Paulish A. G., Neklyudova M. A., Shamirzaev T. S., Yaroshevich A. S., Prosvirin I. P., Zhaksylykova I. E., Dmitriev D. V., Toropov A. I., Varnakov S. N., Rautskii M. V., Volkov N. V., Ovchinnikov S. G., Latyshev A. V.
Заглавие : Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin
Место публикации : Tech. Phys. Lett.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 38, Is. 1. - P.12-16. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/S1063785012010154
Примечания : Cited References: 13. - This study was supported in part by the Russian Academy of Sciences (Program "Spintronics"), Russian Foundation for Basic Research (project no. 10-02-91067-NTsNI), and Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Interdisciplinary Integration Project).
Предметные рубрики: Pd
Аннотация: Conditions necessary for the formation of a Fe/GaAs interface have been established and the electrical, magnetic, and optical properties of Pd/Fe/GaAs heterostructures with InGaAs quantum wells have been studied. The possibility of obtaining an epitaxial layer of Fe on GaAs(001) surface at room temperature is demonstrated. The magnetization curve of Fe layer exhibits hysteresis with an easy axis in plane of the sample. Iron exhibits surface segregation by diffusion through a 4-nm-thick Pd layer. The properties of obtained Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures show evidence for their possible use in optical detectors of free-electron spin.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Chichkov V. I., Mukovskii Y. M.
Заглавие : Magnetization dynamics and electron transport in the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: S. G. Ovchinnikov, A. Samardak: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P.368-371. - ISSN 978-303835054-5, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.368. - ISSN 1662-9779
Примечания : Cited References: 6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structure--manganite--spin pumping
Аннотация: We present the results of investigations of the spin-polarized current and spin dynamics in the hybrid structures ferrimagnetic insulator/ferromagnetic metal subjected to microwave radiation. We studied the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 bilayer films on the Gd3Ga5O12 substrate. It was experimentally established that under the action of spin pumping the resistance of the La0.7Sr0.3MnO3 film changes. The value of ?R is maximum in the sample with a La0.7Sr0.3MnO3 layer thickness of 10 nm and sharply drops as the manganite film thickness is increased. The resistance decreases in the paramagnetic region and grows in the ferromagnetic region at temperatures below the metal-insulator transition point. The variation in the resistance of the manganite film can be attributed to the correlation of the spin dynamics and transport properties of conduction electrons in the structure. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Giant magnetotransport effects driven by bias and optical irradiation in silicon-based hybrid structures
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир, центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.36
Примечания : Библиогр.: 4 назв.
Материалы конференции
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device
Место публикации : J. Surf. Invest.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P.984-994. - ISSN 1027-4510, DOI 10.1134/S1027451015050432
Примечания : Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetoresistance--magnetotransport properties--photoconductivity--bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие