Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Romanova, O. B.$<.>)

Общее количество найденных документов : 153
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Romanova O. B., Kretinin V. V., Aplesnin S. S., Sitnikov M. N., Udod L. V., Yanushkevich K. I.
Заглавие : Electrical properties of the polycrystalline BiFe0.95Co0.05O3 films
Коллективы : Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Belarusian Republican Foundation for Basic Research [20-52-00005]
Место публикации : Phys. Solid State. - 2021. - Vol. 63. Is. 6. - P.897-903. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783421060184. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Cited References: 34. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research and the Belarusian Republican Foundation for Basic Research, project no. 20-52-00005
Предметные рубрики: BiFeO3 THIN-FILMS
PHASE-SEPARATION
CRYSTAL
MODEL
Аннотация: Semiconductor BiFe0.95Co0.05O3 thin-film compounds have been synthesized by a burst technique. The film surface morphology and the effect of electronic doping via substitution of cobalt ions for trivalent iron on the optical, magnetic, and kinetic properties have been investigated in the temperature range of 77-600 K in magnetic fields of up to 12 kOe. Two electron relaxation channels have been found in the impedance spectrum in the frequency range of 0.1-1000 kHz. The negative magnetoresistance in the anomalous magnetization region and the maximum magnetoimpedance in the vicinity of the surface phase transition have been established. Using the Hall measurements, carrier types dominating in the magnetoresistance and magnetoimpedance effects have been determined. The magnetization anomalies have been explained in the model of superparamagnetic clusters and the magnetoresistance, by the carrier scattering by spin fluctuations.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Udod L. V., Aplesnin S. S., Sitnikov M. N., Romanova O. B., Galyas A. I.
Заглавие : Magneto-electrical properties of iron-substituted bismuth pyrostannate Bi2(Sn0.8Fe0.2)2O7
Коллективы : "Actual problems of solid state physics" , International scientific conference, Научно-практический центр по материаловедению НАН Беларуси
Место публикации : IX International scientific conference “Actual problems of solid state physics": Book of abstracts/ int. sci. com. S. S. Aplesnin [et al]. - Minsk, 2021. - P.175
Примечания : The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research project № 20-52-00005 Bel_a
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Romanova O. B., Aplesnin S. S., Sitnikov M. N., Udod L. V., Kharkov A. M.
Заглавие : Magnetoresistance and magnetoimpedance in holmium manganese sulfides
Коллективы : Russian Foundation for Fundamental InvestigationsRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [20-42-243002]
Место публикации : Appl. Phys. A. - 2022. - Vol. 128, Is. 2. - Ст.124. - ISSN 0947-8396, DOI 10.1007/s00339-021-05198-x. - ISSN 1432-0630(eISSN)
Примечания : Cited References: 46. - Funding was provided by Russian Foundation for Fundamental Investigations (20-42-243002)
Предметные рубрики: PHASE-SEPARATION
IMPEDANCE
Аннотация: The structure, transport characteristics, real and imaginary parts of the impedance components and electric polarization of the HoXMn1-XS (X = 0.1 and 0.2) system have been investigated in the temperature range of 80-500 K in magnetic fields of up to 12 kOe. The morphology of synthesized samples has been studied. The influence of the magnetic field on the transport characteristics, on both direct and alternating currents of holmium manganese sulfides, have been established. The negative effects of DC magnetoresistance in the region of the magnetic phase transition and positive AC magnetoimpedance up to 4% in the paramagnetic region have been established. The critical temperatures of the existence of the electric polarization have been determined. At a substitution concentration of X = 0.1, the activation character of the relaxation time versus temperature has been found. The diffusion contribution for the composition with X = 0.2 has been established by the impedance hodograph.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Romanova O. B., Aplesnin S. S., Udod L. V.
Заглавие : Effect of electron and hole doping on the transport characteristics of chalcogenide systems
Коллективы : Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Belarusian Republican Foundation for Basic Research [20-52-00005]
Место публикации : Phys. Solid State. - 2021. - Vol. 63, Is. 5. - P.754-757. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783421050152. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Cited References: 21. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research and the Belarusian Republican Foundation for Basic Research, project no. 20-52-00005
Предметные рубрики: MAGNETIC-PROPERTIES
TRANSITION
Аннотация: The electrical properties of the Ag0.01Mn0.99S and Tm0.01Mn0.99S semiconductor compounds and the Hall effect in them have been investigated in the temperature range of 80-400 K in a magnetic field of 12 kOe. Using the I-V characteristics, the conductivity mechanism depending on the doping type and concentration has been established. Upon substitution of silver for manganese, the Mott-type conductivity has been found, while substitution of thulium causes the ohmic conductivity. The mobility and type of carriers have been determined from the Hall constant data.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Romanova O. B., Aplesnin S. S., Udod L. V., Yanushkevich K. I., Zhivulko A. M.
Заглавие : Impedance and Hall effect in TmXMn1-XSe
Коллективы : "Actual problems of solid state physics" , International scientific conference, Научно-практический центр по материаловедению НАН Беларуси
Место публикации : IX International scientific conference “Actual problems of solid state physics": Book of abstracts / int. sci. com. S. S. Aplesnin [et al]. - Minsk, 2021. - P.174
Примечания : Cited References: 3. - The reported study was funded by RFBR according to the research project №20-52-00005 Bel_a. The reported study was funded by BRFBR according to the research project № Т20Р-052
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Романова, Оксана Борисовна, Кретинин В. В., Аплеснин, Сергей Степанович, Ситников, Максим Николаевич, Удод, Любовь Викторовна, Янушкевич К. И.
Заглавие : Электрофизические свойства поликристаллических пленок BiFe0.95Co0.05O3
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 6. - С. 721-728. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2021.06.50928.015
Примечания : Библиогр.: 34. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и БРФФИ в рамках научного проекта N 20-52-00005
Аннотация: Синтезированы полупроводниковые тонкопленочные соединения BiFe0.95Co0.05O3 методом вспышки. Проведены исследования морфологии поверхности пленок, а также влияние электронного допирования путем замещения трехвалентного железа ионами кобальта на оптические, магнитные и кинетические свойства в интервале температур 77-600 K в магнитных полях до 12 kOe. Обнаружено два канала релаксации электронов в спектре импеданса в интервале частот 0.1-1000 kHz. Найдено отрицательное магнитосопротивление в области аномального поведения намагниченности и максимальное значение магнитоимпеданса в окрестности поверхностного фазового перехода. Из холловских измерений установлены типы носителей тока, доминирующие в эффектах магнитосопротивления и магнитоимпеданса. Аномалии намагниченности объясняются в модели суперпарамагнитных кластеров, а магнитосопротивление рассеиванием носителей тока на спиновых флуктуациях.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Udod L. V., Romanova O. B., Aplesnin S. S., Kretinin V. V.
Заглавие : Study of structural properties of bismuth pyrostannate by Raman and IR spectroscopy
Место публикации : Sib. J. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 21, Is. 4. - P.556-564. - ISSN 2587-6066, DOI 10.31772/2587-6066-2020-21-4-556-564; \b Сибирский журнал науки и технологий
Примечания : Cited References: 19. - The reported study was funded by RFBR according to the research project № 20-52-00005 Bel_a
Аннотация: Chromium-substituted bismuth pyrostannates with a pyrochlore structure were synthesized by the solid-phase reaction method. The X-ray structural analysis performed at room temperature showed that the samples Bi2(Sn1-xCrx)2O7, x = 0; 0.05, 0.1 are single-phase and belong to the Pc monoclinic structure. Polymorphic transformations of the synthesized samples were studied by Raman and IR spectroscopy. IR spectra were obtained at the temperature range 110–525 K and frequencies 350–1100 cm–1. Raman spectra were measured at room temperature at frequencies of 100–3000 cm–1. Heterovalent substitution of Sn4+ for Cr3+ modifies the spectra of pure Bi2Sn2O7. The crystal structure of Bi2Sn2O7 consists of two oxygen sublattices: SnO6 and Bi2O'. Chromium ions substituted tin ions in the SnO6 oxygen octahedra, distorting the local structure in the vicinity of bismuth ions. Phonon modes are softening in the vicinity of phase transitions. А shift of the phase boundaries of polymorphic transitions is observed for Bi2(Sn1-хCrх)2O7, x = 0.05, 0.1. The frequencies of stretching vibration modes were determined from IR and Raman spectra. The substitution of chromium for tin ions resulted in the appearance of two new modes at frequencies of 581 and 822 cm–1 in the Raman spectra. The absence of an inversion center in the crystal structure of Bi2(Sn1-xCrx)2O7 is confirmed by Raman spectroscopy. IR spectra of chromium-substituted samples consist of complex lines, which decompose into 2 and 3 Lorentzian lines. The softening and broadening of optical absorption modes are associated with the electronic contribution. Impurity states of electrons form polarons.Методом твердофазной реакции синтезированы хромзамещенные пиростаннаты висмута со структурой пирохлора. Рентгеноструктурный анализ, выполненный при комнатной температуре, показал, что образцы Bi2(Sn1-хCrх)2O7, х = 0; 0,05, 0,1 однофазные и принадлежит к моноклинной структуре Pc. Полиморфные превращения синтезированных образцов изучались методами Раман и ИК спектроскопии. ИК-спектры получены в температурном диапазоне 110-525 К, интервале частот 350-1100 см-1. Спектры Рамановского рассеяния измерялись при комнатной температуре на частотах 100-3000 см-1. Гетеровалентное замещение Sn4+ на Cr3+ видоизменяет спектры чистого Bi2Sn2O7. Кристаллическая структура Bi2Sn2O7 состоит из двух кислородных подрешеток: SnO6 и Bi2O′. Ионы хрома замещают ионы олова в кислородных октаэдрах SnO6, искажая локальную структуру в окрестности ионов висмута. Вблизи фазовых переходов происходит смягчение фононных мод. Для Bi2(Sn1-хCrх)2O7, 0,05, 0,1 наблюдается смещение фазовых границ полиморфных переходов. Из ИК и Раман спектров определены частоты мод валентных колебаний. В Рамановских спектрах замещение ионов олова хромом привело к появлению двух новых мод на частотах 581 и 822 см-1. Отсутствие центра инверсии в кристаллической структуре Bi2(Sn1-хCrх)2O7 подтверждается Раман спектроскопией. ИК спектры хромзамещенных образцов состоят из сложных линий, которые разлагаются на 2 и 3 линии Лоренцовой формы. Смягчение и уширение спектров поглощения связывается с электронным вкладом. Примесные состояния электронов образуют поляроны.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Romanova O. B., Aplesnin S. S., Sitnikov M. N., Kharkov A. M., Udod L. V., Galyas A. I.
Заглавие : The study of phase transitions in a system TmXMn1-XSe by means of ultrasonic experiments
Коллективы : "Actual problems of solid state physics" , International scientific conference, Научно-практический центр по материаловедению НАН Беларуси
Место публикации : IX International scientific conference “Actual problems of solid state physics": Book of abstracts/ int. sci. com. S. S. Aplesnin [et al]. - Minsk, 2021. - P.173
Примечания : Cited References: 1. - The reported study was funded by RFBR according to the research project №20-52-00005 Bel_a. The reported study was funded by BRFBR according to the research project № Т20Р-052
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Романова, Оксана Борисовна, Аплеснин, Сергей Степанович, Удод, Любовь Викторовна
Заглавие : Влияние электронного и дырочного допирования на транспортные характеристики халькогенидных систем
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 5. - С. 606-609. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2021.05.50808.269
Примечания : Библиогр.: 21. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и БРФФИ в рамках научного проекта N 20-52-00005
Аннотация: Проведены исследования электрических свойств и эффекта Холла в полупроводниковых соединениях Ag0.01Mn0.99S и Tm0.01Mn0.99S в интервале температур 80-400 K в магнитном поле 12 kOe. Установлен механизм проводимости, зависящий от типа допирования и концентрации из вольт-амперных характеристик. При замещении марганца серебром найден моттовский тип, а замещение тулием вызывает омическую проводимость. Из константы Холла найдена подвижность и тип носителей заряда.
Смотреть статью,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Aplesnin S. S., Sitnikov, Maxim, Romanova O. B., Kharkov, Anton, Begisheva, Olga, Zelenov, Fyodor
Заглавие : Electrosound and asymmetry of the I-V characteristic induced by ultrasound in the RexMn1-xS (Re = Tm, Yb)
Коллективы : Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Belarussian Republic Foundation for Basic Research [20-52-00005]
Место публикации : Eur. Phys. J. Plus. - 2022. - Vol. 137, Is. 2. - Ст.226. - ISSN 2190-5444, DOI 10.1140/epjp/s13360-022-02432-0
Примечания : Cited References: 46. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research and the Belarussian Republic Foundation for Basic Research (Project No. 20-52-00005). The investigation ofmicrostructural properties of the sampleswas carried out using equipment's (SEM and TEM) the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center " Krasnoyarsk Science Center SB RAS". The authors are grateful to A.V. Shabanov, senior researcher of the Laboratory of Molecular Spectroscopy, Kirensky Institute of Physics, for the scanning electron microscopy investigations
Предметные рубрики: ACOUSTIC CHARGE-TRANSPORT
WAVES
SEMICONDUCTOR
ATTENUATION
Аннотация: A correlation between the temperatures corresponding to the maxima of the sound attenuation and temperature resistance coefficient in the RexMn1-xS solid solutions related to the condensation of electrons and holes has been established. X-ray diffraction, energy-dispersive X-ray spectrum, and scanning electron microscope techniques have been used to investigate the microstructure of the samples. In the Yb0.2Mn0.8S compound, a decrease in the ultrasound attenuation with increasing temperature has been observed. The functional dependences of the electrosound on the ultrasound intensity and carrier type and the change in the electrosound sign with temperature have been established. The asymmetry of the I-V characteristic depending on the ultrasound intensity and the attenuation coefficient depending on the electric field has been found. The nonlinear attenuation of the ultrasound as a function of the intensity has been observed. Model of elastic and inelastic scattering of current carriers by acoustic phonons, deformation interaction is used to explain the asymmetry.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Найти похожие