Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Smolyakov, D. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 49
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-49

    Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure / A. S. Tarasov [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 2019. - Vol. 34, Is. 3. - Ст. 035024, DOI 10.1088/1361-6641/ab0327. - Cited References: 56. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project. 18-42-243022 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research by project no. 18-32-00035. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 "Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies" . - ISSN 0268-1242. - ISSN 1361-6641
   Перевод заглавия: Спин-зависимая электрическая экстракция дырок из низколегированного p-Si через интерфейсные состояния в структуре Fe3Si/p-Si

РУБ Engineering, Electrical & Electronic + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
ALLOYS
Кл.слова (ненормированные):
spin accumulation -- interface states -- hybrid structures -- Hanle effect -- iron silicide
Аннотация: Spin accumulation effect in Fe3Si/p-Si structure with low boron doped silicon substrate was found. Calculated spin lifetimes are comparable with results reported earlier but for structures with highly doped semiconductors (SC) with or without a tunnel barrier introduced between the SC and ferromagnet (FM). Electrical characterization of a prepared Fe3Si/p-Si diode allowed the determination of possible reasons for the pronounced spin signal. Analysis of the forward bias I-V curve revealed a Schottky barrier at the Fe3Si/p-Si interface with a height of φBp = 0.57 eV. Then, using impedance spectroscopy, we observed interface states localized in the band gap of silicon with energy of E LS = 40 meV. Such states most probably cause the observed spin signal. We believe that in our experiment, spin-dependent hole extraction was performed via the interface states resulting in the minority spin accumulation in the silicon valence band. The observed effect paves the way to the development of different spintronic devices based on FM/SC structures without dielectric tunneling barriers.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [18-42-243022]; Russian Foundation for Basic Research [18-32-00035]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [II.8.70]; Fundamental research program of the Presidium of the RAS [32]
}
Найти похожие

Influence of metal magnetic state and metal-insulator-semiconductor structure composition on magnetoimpedance effect caused by interface states / D. A. Smolyakov [et al.] // Thin Solid Films. - 2019. - Vol. 671. - P. 18-21, DOI 10.1016/j.tsf.2018.12.026. - Cited References: 15. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research , project no. 18-32-00035 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research , Government of the Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243022, and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences , project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences , Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies». . - ISSN 0040-6090
Кл.слова (ненормированные):
Magnetoimpedance -- Spintronics -- Metal/insulator/semiconductor structures -- Nanosized semiconductors
Аннотация: This article presents the results of a study of the transport properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) hybrid structures in alternating current (ac) mode. We prepared a series of samples with different layers of metal, insulator, and semiconductor. We prepared a series of samples with different layers of metal, insulator and semiconductor. Ferromagnetic Fe and non-magnetic Cu and Mn were chosen as metals, the insulators were SiO2 and Al2O3, and n- and p-type Si substrates were used as semiconductors. Temperature dependence of the real part of the impedance showed peculiar peaks below 40К for different combinations of metals, insulators and semiconductors. For all samples the effect of the magnetic field on the transport properties was studied. At low temperatures, the magnetic field shifts peaks toward higher temperatures. Metal magnetic state does not significantly affect this phenomenon. Changing the type of the insulator and its thickness also did not cause any significant effect. However, the effect was observed for samples with different composition. Moreover, the type of conductivity of the substrate, as well as the type of metal, determines the value of magnetoimpedance. The main role in the magnetoimpedance effect is played by recharge of the energy states localized at the insulator/semiconductor interface. This mechanism allows obtaining a MI effect even in “nonmagnetic” MIS structures; magnetoimpedance can be either positive or negative, depending on temperature and frequency. We suggest that the observed ac magnetotransport phenomena could be used for creating magnetic field sensors, working on new principles.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660014, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Masyugin, A. N.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Comparing the magnetic and magnetoelectric properties of the SmFe3(BO3)4 ferroborate single crystals grown using different solvents / E. Eremin [et al.] // J. Cryst. Growth. - 2019. - Vol. 518. - P. 1-4, DOI 10.1016/j.jcrysgro.2019.04.017. - Cited References: 17. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (RFBR) according to the research projects No. 18-02-00696_a and RFBR, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-240011 p_a. . - ISSN 0022-0248. - ISSN 1873-5002

РУБ Crystallography + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
POLARIZATION
FEATURES
Кл.слова (ненормированные):
Impurities -- Growth from solutions -- Single crystal growth -- Borates -- Ferroelectric materials -- Magnetic materials
Аннотация: SmFe3(BO3)4 single crystals have been grown from the bismuth trimolybdate and lithium tungstate-based melt–solutions. Samarium ferroborate single crystals were grown first from the lithium–tungstate flux. The magnetic and magnetoelectric properties of the synthesized crystals have been compared. It is shown that the SmFe3(BO3)4 ferroborate grown from the bismuth trimolybdate-based melt–solution contains impurities of Bi3+ ions (∼5% at.), which replace Sm3+ ions, while the SmFe3(BO3)4, ferroborate grown from the lithium tungstate-based melt–solution contains minor or zero amounts of such impurities. The magnetoelectric and magnetodielectric effects with the Bi3+ admixture appeared 1.5× stronger than in SmFe3(BO3)4; this is probably due to twinning.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Siberian State Univ Sci & Technol, Krasnoyarsk 660037, Russia.

Доп.точки доступа:
Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Gudim, I. A.; Гудим, Ирина Анатольевна; Temerov, V. L.; Темеров, Владислав Леонидович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Russian Foundation for Basic Research (RFBR) [18-02-00696_a]; RFBR, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [18-42-240011 p_a]
}
Найти похожие

    Magnetoimpedance Effect in a SOI-Based Structure / D. A. Smolyakov [et al.] // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, Is. 14. - P. 98-100, DOI 10.1134/S1063782619140215. - Cited References: 10. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-32-00035. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 “Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies”. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479
   Перевод заглавия: Эффект магнитоимпеданса в структуре на основе КНИ
Рубрики:
NANOSTRUCTURE DEVICES
Кл.слова (ненормированные):
magnetoimpedance -- spintronics -- silicone on insulator -- nanosized semiconductors -- interface states
Аннотация: This paper presents the results of the study the transport properties of the SOI-based structure. Measurements were carried out on an alternating current with an external magnetic field in a wide temperature range. The influence of the magnetic field was found. We associate this effect with the influence on the surface states located at the interface, this appears as a change of the energy of their levels. This effect is enhanced by the nanoscale of the silicon channel.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036 Russia
Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660014 Russia

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич
}
Найти похожие

Синтез и спин-зависимый транспорт в гибридных структурах на основе силицида железа / А. С. Тарасов [и др.] // XIII Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : тезисы докладов. - 2019. - С. 68 . - ISBN 978-5-9500855-6-7

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар(13 ; 2019 ; 24 февр.-2 марта ; Кыштым, Россия); Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Российский федеральный ядерный центр - ВНИИТФ им. Е.И. Забабахина
}
Найти похожие

    Investigation of silicon-based hybrid structures of different composition / D. A. Smolyakov [et al.] // Fourth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2018) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2018. - Ст. II.25.04o. - P. 155
   Перевод заглавия: Исследование гибридных структур на базе кремния с различным составом

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Masyugin, A. N.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(4 ; 2018 ; сент. ; 23-28 ; Владивосток); Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН; Дальневосточный федеральный университет
}
Найти похожие

Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybrid structures: Synthesis, magnetic and transport properties / A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, I. A. Yakovlev [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2023. - Vol. 87, Suppl. 1. - P. S133-S146, DOI 10.1134/S1062873823704518. - Cited References: 54. - The authors thank the laboratory of Magnetic MAX Materials created under Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences) for assistance. The authors also thank Professor B.A. Belyaev for FMR calculations. - Supported by the Russian Science Foundation, grant no. 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science . - ISSN 1062-8738. - ISSN 1934-9432
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- manganese germanide -- MBE -- FMR -- electronic transport -- spintronics
Аннотация: Planar and vertical hybrid structures, which combine ferromagnetic and semiconductor layers are essential for implementation and study of spin transport phenomena in semiconductors, which is crucial for the advancement and development of spintronics. We have developed approaches for the synthesis of Fe3 + xSi1 – x epitaxial thin films and demonstrated the spin accumulation effect in multiterminal devices based on Fe3 + xSi1 – x/Si. Fe3 + xSi1 – x/Ge/Fe3Si and Fe3 + xSi1 – x/Ge/Mn5Ge3 multilayer hybrid structures were synthesized on a Si(111) substrate, study of their structural, magnetic and transport properties were performed. The effect of synthesis conditions on the growth of epitaxial structures and on their magnetic and transport properties was discussed. The results obtained may prove valuable in the development and fabrication of spintronic devices.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center”, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, 660041, Krasnoyarsk, Russia
Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center”, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Низкотемпературные диэлектрические и магнитные свойства композитных наночастиц латуни, полученных на ускорителе электронов методом электронно-лучевого испарения из двухзонного тигля / Д. А. Смоляков, Е. В. Еремин, М. С. Молокеев [и др.] // Физ. твердого тела. - 2024. - Т. 66, Вып. 1. - С. 88-93, DOI 10.61011/FTT.2024.01.56942.209. - Библиогр.: 19 . - ISSN 0367-3294. - ISSN 1726-7498
Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- нанопорошки -- композит -- ускоритель электронов -- диэлектрические свойства -- парамагнетики
Аннотация: Представлены результаты исследования композитных наночастиц латуни Cu/Zn, полученных из двухзонного тигля с использованием ускорителя электронов для облучения мишени. Проведена характеризация, определен химический и фазовый состав изготовленных образцов с помощью просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеноструктурного анализа. Изучены диэлектрические свойства нанопорошка. Обнаружены особенности активационного типа. Оценена энергия активационного процесса. Магнитные свойства образца демонстрируют парамагнитный характер, что было ожидаемо ввиду состава нанопорошка. Однако на фоне парамагнитного вклада имеется ферромагнитная фаза, которая хорошо проявляется при низких температурах и практически исчезает при комнатной температуре. Это указывает на то, что какая-то часть композитных наночастиц обладает дальним магнитным порядком при низких температурах.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Новосибирск, Россия

Доп.точки доступа:
Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Зобов, К. В.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие

Structural and magnetic characteristics of nanogranular Co-Al2O3 single- and multilayer films formed by the solid-state synthesis / M. N. Volochaev [et al.] // Phys. Solid State. - 2018. - Vol. 60, Is. 7. - P. 1425-1431, DOI 10.1134/S1063783418070302. - Cited References: 35. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 16-03-00069 and the Russian Foundation for Basic Research, Government of the Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243010 r_mol_a. . - ISSN 1063-7834. - ISSN 1090-6460

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
NANOCOMPOSITE THIN-FILMS
FERROMAGNETIC-RESONANCE
GRANULAR FILMS
Аннотация: The results of structural and magnetic investigations of nanogranular Co–Al2O3 films formed from Co3O4/Al thin-film layered structures upon vacuum annealing are reported. The Co3O4/Al films have been obtained by sequential reactive magnetron sputtering of a metallic cobalt target in a medium consisting of the Ar + O2 gas mixture and magnetron sputtering of an aluminum target in the pure argon atmosphere. It is shown that such a technique makes it possible to obtain nanogranular Co–Al2O3 single- and multilayer thin films with a well-controlled size of magnetic grains and their distribution over the film thickness.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Структурные и магнитные характеристики однослойных и многослойных наногранулированных пленок Co-Al2O3, полученных методом твердофазного синтеза [Текст] / М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2018. - Т. 60 Вып. 7. - С. 1409–1415

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Krasnoyarsk Sci Ctr, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian State Univ Sci & Technol, Krasnoyarsk 660014, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Shestakov, N. P.; Шестаков, Николай Петрович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Luk'yanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Rachek, V. B.; Loginov, Yu. Yu.; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Russian Foundation for Basic Research [16-03-00069]; Russian Foundation for Basic Research, Government of the Krasnoyarsk Territory; Krasnoyarsk Territorial Foundation [18-42-243010 r_mol_a]
}
Найти похожие

10.

    Магнитозависимый фотовольтаический эффект в гибридной структуре Mn/SiO2/N-Si / М. В. Рауцкий [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - С. 112. - Библиогр.: 1 . - ISBN 978-5-00133-051-6
   Перевод заглавия: magnetic field dependent photovoltaic effect in Mn/SiO2/N-Si hybrid structure

РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Iskhakov, R. S. \чл. прогр. ком.\; Исхаков, Рауф Садыкович; Ovchinnikov, S. G. \чл. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Aplesnin, S. S. \чл. прогр. ком.\; Аплеснин, Сергей Степанович; Balaev, D. A. \чл. прогр. ком.\; Балаев, Дмитрий Александрович; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(8 ; 2018 ; Aug. 24-28 ; Irkutsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие