Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Tarasov, I. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 130
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

    Эллипсометрический контроль параметров многослойных наноструктур Fe/Si в процессе роста / И. А. Тарасов [и др.] // Космич. аппараты и технол. - 2018. - Т. 2, № 4. - С. 220-224, DOI 10.26732/2618-7957-2018-4-220-224. - Библиогр.: 10. - Работа выполнена при финансовой поддержке программ Президиума РАН № 32, проект 0356-2018-0061, Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской академии наук, проект II.8.70. . - ISSN 2618-7957
   Перевод заглавия: Ellipsometric control of parameters of multilayer Fe/Si nanostructures during growth
Кл.слова (ненормированные):
эллипсометрия -- силициды железа -- многослойные Fe/Si наноструктуры -- ellipsometry -- iron silicides -- multilayer Fe/Si nanostructures
Аннотация: С использованием метода одноволновой лазерной эллипсометрии in situ проведено исследование процесса формирования многослойной структуры [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100). Были получены сведения об оптических и структурных свойствах данной структуры. Изменение морфологии поверхности растущих слоев и их оптических характеристик оказываются неидентичными для случаев осаждения железа на поверхность слоя кремния и осаждения кремния на поверхность слоя железа. Полученные профили оптических постоянных свидетельствуют об увеличении толщины переходных слоев, содержащих твердые растворы «железо-кремний» и силициды. Характер изменения оптических постоянных усложняется с каждым последующим слоем железа, осаждаемым на поверхность кремния. Поведение профилей n и k, соответствующих формированию кремниевых слоев, имеет более простой характер по сравнению с поведением подобных профилей железа. Эти профили имеют лишь некоторые особенности на начальных этапах роста и соответствуют формированию аморфных слоев кремния. Полученные данные согласуются с данными просвечивающей электронной микроскопии.
Using in situ single-wave laser ellipsometry method, the formation of the [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100) multilayer structure was studied. Information about the optical and structural properties of this structure was obtained. The change in the morphology of the surface of the growing layers and their optical characteristics are not identical for the cases of iron deposition on the surface of the silicon layer and deposition of silicon on the surface of the iron layer. The refractive index and coefficient of absorption indicate an increase of the thickness of transition layers containing iron-silicon solid solutions and silicides. The nature of the change in the optical constants become more complicated with each subsequent iron layer deposited on the silicon surface. The behavior of n and k profiles corresponding to the formation of silicon layers is simpler than the behavior of similar iron profiles. These profiles have only some features at the initial stages of growth and correspond to the formation of amorphous silicon layers. The obtained data are consistent with the data of transmission electron microscopy.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Экспериментальное и теоретическое исследование слоистых ферромагнитных структур методом спектральной in situ магнитоэллипсометрии / О. А. Максимова [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 110, № 3-4. - С. 155-162, DOI 10.1134/S0370274X19150037. - Библиогр.: 28. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской Академии Наук (проект 0356-2018-0061, проект II.8.70). . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Данная статья посвящена развитию методики обработки данных спектральной in situ магнитоэллипсометрии для анализа ферромагнитных планарных наноструктур. В рамках нового подхода к интерпретации модулированных магнитным полем спектральных эллипсометрических измерений, проводимых с использованием магнитооптического эффекта Керра в экваториальной конфигурации, апробируется многослойная модель, содержащая ферромагнитный слой с двумя пограничными интерфейсами, неферромагнитный буферный слой и неферромагнитную подложку. В частности, исследуется влияние толщины ферромагнитного слоя на результаты магнитоэллипсометрических измерений. Для измерений были выбраны поликристаллические пленки Fe различной толщины на неферромагнитной поверхности SiO2/Si(100). В результате обработки данных спектральных магнитоэллипсометрических измерений определены комплексные диагональные и недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости в спектральном диапазоне 1.38-3.45 эВ. Приведено сопоставление полученных результатов с литературными данными других авторов и расчетом тензора диэлектрической проницаемости Fe в рамках теории функционала плотности.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Максимова, Ольга Александровна; Maximova, O. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2713598 Российская Федерация

Способ получения суперпарамагнитных наночастиц на основе силицида железа Fe3Si с модифицированной поверхностью / С. А. Лященко, И. А. Яковлев, И. А. Тарасов. - № 2019117687 ; Заявл. 05.06.2019 ; Опубл. 03.02.2020 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 4

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2681635 Российская Федерация

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2018104934 ; Заявл. 08.02.2018 ; Опубл. 11.03.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2560148 Российская Федерация

Способ измерения магнитооптических эффектов in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2014118809/28 ; Заявл. 08.05.2014 ; Опубл. 20.08.2015 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 23
Аннотация: Изобретение относится к области магнитных и магнитооптических измерений. Способ заключается в том, что исследуемый образец освещают линейно поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на p- и s-компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка. При этом к исследуемому образцу во время проведения измерений прикладывают переменное магнитное поле, при измерении меридионального эффекта Керра поляризатор фиксируют в положении P=0, а анализаторы в амплитудном и фазовом каналах A1,2=45°. Перемагничивание образца осуществляют с помощью вращающегося постоянного магнита и величину поворота плоскости поляризации α, пропорциональную проекции намагниченности на плоскость падения света, определяют по формуле. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения и информативности.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2660765 Российская Федерация

Способ бесконтактного измерения температуры in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. - № 2017104846 ; Заявл. 14.02.2017 ; Опубл. 09.07.2018 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2018. - № 19
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения физической температуры объекта по температурным изменениям его оптических постоянных, и может быть использовано для дистанционного измерения температуры объекта в промышленности, медицине, биологии, в физических исследованиях и др. Заявлен способ бесконтактного измерения температуры in situ, заключающийся в том, что образец освещают поляризованным светом и измеряют изменение интенсивности при отражении. В процессе измерения регистрируют отраженное от поверхности образца электромагнитное излучение с длиной волны в диапазоне 300-900 нм. Анализируют изменение интенсивности после отражения и находят температуру, решая следующее уравнение: M(T)=F(T), где М(Т) - среднее арифметическое данных об интенсивности со всех четырех фотоприемников эллипсометра, зависящее от температуры, F(T) - функция, вид которой зависит от исследуемого материала. Новым является то, что для зондирующего пучка задают состояние линейной поляризации с поворотом 0° и накапливают массив данных для дальнейшего усреднения, а также то, что предложенный способ позволяет измерять температуру образца от температуры 4 K до его термического разрушения. Технический результат - повышение точности измерения температуры in situ независимо от структуры отражающей поверхности и при температурах до 4 K. 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2015616615 Российская Федерация

Система анализа данных многоугловой спектральной элипсометрии (MultiW) / авт. пр. И. А. Тарасов, авт. пр. И. А. Яковлев, авт. пр. Н. Н. Косырев ; правообладатель: ФГБУН Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН. - № 2015613270 ; Заявл. 22.04.2015 ; Опубл. 20.07.2015 // Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 7
Аннотация: Программа предназначена для расчёта спектральных зависимостей оптических постоянных и параметра толщины тонких плёнок путём решения обратной задачи эллипсометрии для случая многоугловых измерений спектральных зависимостей эллипсометрических углов. Программа использует ряд методов и оптических моделей, позволяющих провести расширенный анализ оптических свойств, качества интерфейса и шероховатости поверхности исследуемых объектов. Получаемые сведения могут быть использованы для отработки технологических процессов получения планарных наноструктур и характеризации их электронных свойств в соответствующем диапазоне энергий.

Смотреть свид-во
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Синтез и спин-зависимый транспорт в гибридных структурах на основе силицида железа / А. С. Тарасов [и др.] // XIII Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : тезисы докладов. - 2019. - С. 68 . - ISBN 978-5-9500855-6-7

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар(13 ; 2019 ; 24 февр.-2 марта ; Кыштым, Россия); Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Российский федеральный ядерный центр - ВНИИТФ им. Е.И. Забабахина
}
Найти похожие

   В37
   Г 62

    Тарасов, Иван Анатольевич.
    Развитие методики эллипсометрического контроля параметров наноструктур Fe/Si в процессе роста [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / И. А. Тарасов ; науч. рук. С. Н. Варнаков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 137 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.31.26

ББК В374я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич \науч. рук.\; Varnakov, S. N.; Tarasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

10.

   В37

    Тарасов, Иван Анатольевич.
    Развитие методики эллипсометрического контроля параметров наноструктур Fe/Si в процессе роста : автореф. дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / И. А. Тарасов ; науч. рук. С. Н. Варнаков ; офиц. опп.: Е. М. Артемьев, В. В. Коробцов ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 19 с. - Библиогр. -

29.19.37

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич \науч. рук.\; Varnakov, S. N.; Мартьянов, Олег Николаевич \офиц. опп.\; Лепешев, Анатолий Александрович \офиц. опп.\; Tarasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие