Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Tarasov, I. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 130
Показаны документы с 1 по 20

    Эллипсометрический контроль параметров многослойных наноструктур Fe/Si в процессе роста / И. А. Тарасов [и др.] // Космич. аппараты и технол. - 2018. - Т. 2, № 4. - С. 220-224, DOI 10.26732/2618-7957-2018-4-220-224. - Библиогр.: 10. - Работа выполнена при финансовой поддержке программ Президиума РАН № 32, проект 0356-2018-0061, Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской академии наук, проект II.8.70. . - ISSN 2618-7957
   Перевод заглавия: Ellipsometric control of parameters of multilayer Fe/Si nanostructures during growth
Кл.слова (ненормированные):
эллипсометрия -- силициды железа -- многослойные Fe/Si наноструктуры -- ellipsometry -- iron silicides -- multilayer Fe/Si nanostructures
Аннотация: С использованием метода одноволновой лазерной эллипсометрии in situ проведено исследование процесса формирования многослойной структуры [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100). Были получены сведения об оптических и структурных свойствах данной структуры. Изменение морфологии поверхности растущих слоев и их оптических характеристик оказываются неидентичными для случаев осаждения железа на поверхность слоя кремния и осаждения кремния на поверхность слоя железа. Полученные профили оптических постоянных свидетельствуют об увеличении толщины переходных слоев, содержащих твердые растворы «железо-кремний» и силициды. Характер изменения оптических постоянных усложняется с каждым последующим слоем железа, осаждаемым на поверхность кремния. Поведение профилей n и k, соответствующих формированию кремниевых слоев, имеет более простой характер по сравнению с поведением подобных профилей железа. Эти профили имеют лишь некоторые особенности на начальных этапах роста и соответствуют формированию аморфных слоев кремния. Полученные данные согласуются с данными просвечивающей электронной микроскопии.
Using in situ single-wave laser ellipsometry method, the formation of the [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100) multilayer structure was studied. Information about the optical and structural properties of this structure was obtained. The change in the morphology of the surface of the growing layers and their optical characteristics are not identical for the cases of iron deposition on the surface of the silicon layer and deposition of silicon on the surface of the iron layer. The refractive index and coefficient of absorption indicate an increase of the thickness of transition layers containing iron-silicon solid solutions and silicides. The nature of the change in the optical constants become more complicated with each subsequent iron layer deposited on the silicon surface. The behavior of n and k profiles corresponding to the formation of silicon layers is simpler than the behavior of similar iron profiles. These profiles have only some features at the initial stages of growth and correspond to the formation of amorphous silicon layers. The obtained data are consistent with the data of transmission electron microscopy.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Экспериментальное и теоретическое исследование слоистых ферромагнитных структур методом спектральной in situ магнитоэллипсометрии / О. А. Максимова [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 110, № 3-4. - С. 155-162, DOI 10.1134/S0370274X19150037. - Библиогр.: 28. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской Академии Наук (проект 0356-2018-0061, проект II.8.70). . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Данная статья посвящена развитию методики обработки данных спектральной in situ магнитоэллипсометрии для анализа ферромагнитных планарных наноструктур. В рамках нового подхода к интерпретации модулированных магнитным полем спектральных эллипсометрических измерений, проводимых с использованием магнитооптического эффекта Керра в экваториальной конфигурации, апробируется многослойная модель, содержащая ферромагнитный слой с двумя пограничными интерфейсами, неферромагнитный буферный слой и неферромагнитную подложку. В частности, исследуется влияние толщины ферромагнитного слоя на результаты магнитоэллипсометрических измерений. Для измерений были выбраны поликристаллические пленки Fe различной толщины на неферромагнитной поверхности SiO2/Si(100). В результате обработки данных спектральных магнитоэллипсометрических измерений определены комплексные диагональные и недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости в спектральном диапазоне 1.38-3.45 эВ. Приведено сопоставление полученных результатов с литературными данными других авторов и расчетом тензора диэлектрической проницаемости Fe в рамках теории функционала плотности.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Максимова, Ольга Александровна; Maximova, O. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2713598 Российская Федерация

Способ получения суперпарамагнитных наночастиц на основе силицида железа Fe3Si с модифицированной поверхностью / С. А. Лященко, И. А. Яковлев, И. А. Тарасов. - № 2019117687 ; Заявл. 05.06.2019 ; Опубл. 03.02.2020 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 4

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2681635 Российская Федерация

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2018104934 ; Заявл. 08.02.2018 ; Опубл. 11.03.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2560148 Российская Федерация

Способ измерения магнитооптических эффектов in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2014118809/28 ; Заявл. 08.05.2014 ; Опубл. 20.08.2015 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 23
Аннотация: Изобретение относится к области магнитных и магнитооптических измерений. Способ заключается в том, что исследуемый образец освещают линейно поляризованным световым пучком и измеряют изменение поляризации при отражении, используя разделение отраженного луча на p- и s-компоненты с разложением по амплитуде и фазе, получая на выходе четыре световых пучка. При этом к исследуемому образцу во время проведения измерений прикладывают переменное магнитное поле, при измерении меридионального эффекта Керра поляризатор фиксируют в положении P=0, а анализаторы в амплитудном и фазовом каналах A1,2=45°. Перемагничивание образца осуществляют с помощью вращающегося постоянного магнита и величину поворота плоскости поляризации α, пропорциональную проекции намагниченности на плоскость падения света, определяют по формуле. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения и информативности.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2660765 Российская Федерация

Способ бесконтактного измерения температуры in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. - № 2017104846 ; Заявл. 14.02.2017 ; Опубл. 09.07.2018 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2018. - № 19
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения физической температуры объекта по температурным изменениям его оптических постоянных, и может быть использовано для дистанционного измерения температуры объекта в промышленности, медицине, биологии, в физических исследованиях и др. Заявлен способ бесконтактного измерения температуры in situ, заключающийся в том, что образец освещают поляризованным светом и измеряют изменение интенсивности при отражении. В процессе измерения регистрируют отраженное от поверхности образца электромагнитное излучение с длиной волны в диапазоне 300-900 нм. Анализируют изменение интенсивности после отражения и находят температуру, решая следующее уравнение: M(T)=F(T), где М(Т) - среднее арифметическое данных об интенсивности со всех четырех фотоприемников эллипсометра, зависящее от температуры, F(T) - функция, вид которой зависит от исследуемого материала. Новым является то, что для зондирующего пучка задают состояние линейной поляризации с поворотом 0° и накапливают массив данных для дальнейшего усреднения, а также то, что предложенный способ позволяет измерять температуру образца от температуры 4 K до его термического разрушения. Технический результат - повышение точности измерения температуры in situ независимо от структуры отражающей поверхности и при температурах до 4 K. 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2015616615 Российская Федерация

Система анализа данных многоугловой спектральной элипсометрии (MultiW) / авт. пр. И. А. Тарасов, авт. пр. И. А. Яковлев, авт. пр. Н. Н. Косырев ; правообладатель: ФГБУН Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН. - № 2015613270 ; Заявл. 22.04.2015 ; Опубл. 20.07.2015 // Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 7
Аннотация: Программа предназначена для расчёта спектральных зависимостей оптических постоянных и параметра толщины тонких плёнок путём решения обратной задачи эллипсометрии для случая многоугловых измерений спектральных зависимостей эллипсометрических углов. Программа использует ряд методов и оптических моделей, позволяющих провести расширенный анализ оптических свойств, качества интерфейса и шероховатости поверхности исследуемых объектов. Получаемые сведения могут быть использованы для отработки технологических процессов получения планарных наноструктур и характеризации их электронных свойств в соответствующем диапазоне энергий.

Смотреть свид-во
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Синтез и спин-зависимый транспорт в гибридных структурах на основе силицида железа / А. С. Тарасов [и др.] // XIII Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : тезисы докладов. - 2019. - С. 68 . - ISBN 978-5-9500855-6-7

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар(13 ; 2019 ; 24 февр.-2 марта ; Кыштым, Россия); Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Российский федеральный ядерный центр - ВНИИТФ им. Е.И. Забабахина
}
Найти похожие

   В37
   Г 62

    Тарасов, Иван Анатольевич.
    Развитие методики эллипсометрического контроля параметров наноструктур Fe/Si в процессе роста [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / И. А. Тарасов ; науч. рук. С. Н. Варнаков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 137 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.31.26

ББК В374я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич \науч. рук.\; Varnakov, S. N.; Tarasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

10.

   В37

    Тарасов, Иван Анатольевич.
    Развитие методики эллипсометрического контроля параметров наноструктур Fe/Si в процессе роста : автореф. дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / И. А. Тарасов ; науч. рук. С. Н. Варнаков ; офиц. опп.: Е. М. Артемьев, В. В. Коробцов ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 19 с. - Библиогр. -

29.19.37

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич \науч. рук.\; Varnakov, S. N.; Мартьянов, Олег Николаевич \офиц. опп.\; Лепешев, Анатолий Александрович \офиц. опп.\; Tarasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие

11.

Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si/Si(111) / И. А. Тарасов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99, Вып. 10. - С. 651-655DOI 10.7868/S0370274X14100026. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты # 13-02-01265, 14-02-31309), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-2886.2014.2), Министерства образования и науки Российской Федерации (госконтракт # 02.G25.31.0043) и программы президиума РАН # 24.34
Аннотация: Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической проницаемости \varepsilon эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si толщиной 27 нм в области энергий E=(1.16-4.96) эВ. Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe3Si и плотность электронных состояний (DOS). Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза пленки, показывает, что формирование сплошного слоя пленки силицида железа Fe3Si происходит при достижении ее толщиной в 5 нм.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Optical characteristics of an epitaxial Fe3Si/Si(111) iron silicide film [Текст] / I. A. Tarasov [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99 Is. 10.- P.565-569

Держатели документа:
Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Федоров, Дмитрий Александрович; Fedorov, D. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

12.

Оптические и структурные свойства плёнок β-FeSi2/Si(001), полученных соосаждением в сверхвысоком вакууме при различных соотношениях потоков Fe и Si / И. А. Тарасов [и др.] // Сборник трудов IX международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". - СПб., 2014. - С. 351-352

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Крылов, Александр Сергеевич; Krylov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", международная конференция (9 ; 2014 ; июль; 7-10 ; Санкт-Петребург)
}
Найти похожие

13.

Оптические и магнитные свойства трехслойных систем DyxCo1-x/Bi/Py / Н. Н. Косырев, В. Ю. Яковчук, Г. С. Патрин [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2021. - Т. 47, Вып. 3. - С. 7-10, DOI 10.21883/PJTF.2021.03.50566.18429. - Библиогр.: 14. - Исследования проведены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 18-02-00161-а) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
обменное взаимодействие -- магнитные пружины -- эллипсометрия -- магнитооптический эффект Керра
Аннотация: Представлены результаты исследования оптических и магнитооптических свойств трехслойных систем DyxCo1-x/Bi/Py (Py - пермаллой). Для изучения температурной зависимости намагниченности использовался магнитооптический эффект Керра, а для измерения оптических показателей преломления и поглощения - метод спектральной эллипсометрии. Показано, что толщина прослойки висмута влияет на обменное взаимодействие между слоями пермаллоя и DyCo, что проявляется в изменении температуры компенсации намагниченности, а также в изменении характера обменного взаимодействия.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Optical and magnetic properties of the DyxCo1-x/Bi/Py trilayers [Текст] / N. N. Kosyrev, V. Y. Yakovchuk, G. S. Patrin [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2021. - Vol. 47 Is. 2.- P.107-110

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Ачинский филиал Красноярского государственного аграрного университета, Ачинск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Яковчук, Виктор Юрьевич; Yakovchuk, V. Yu.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Комаров, Василий Андреевич; Komarov V. A.; Волченко, Е. Н.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.
}
Найти похожие

14.

Определение оптических параметров наноструктур Fe/Si методом эллипсометрии / Д. В. Шевцов, И. А. Тарасов [и др.] // Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы: получение, свойства, применение. V Ставеровские чтения : труды Всерос. науч.-технич. конф. с междунар. участием, 15-16 октября 2009 г., Красноярск. - Красноярск : СФУ, 2009. - С. 187

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы", Всероссийская научно-техническая конференция(5 ; 2009 ; сент. ; Красноярск); Ставеровские чтения(5 ; 2009 ; сент. ; Красноярск)
}
Найти похожие

15.

Определение оптических параметров наноструктур Fe/Si методом эллипсометрии / Д. В. Шевцов [и др.] // Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы: получение, свойства, применение. V Ставеровские чтения. - Красноярск, 2009. - С. 187-188 . - ISBN 978-5-7638-1568-9

ГРНТИ

29.19.22

Аннотация: Рассматривается обратная задача эллипсометрии в рамках однослойной системы "подложка-пленка", в частности ставятся задачи определения оптич. постоянных монокристаллич. кремния итерационным методом и оптич. постоянных нанослоев железа графоаналитич. методом. Модель, принятая в этих вычислениях, состоит из плоскости полубесконечной подложки, покрытой тонкой пленкой и окруженная диэлектрич. средой. Использование комбинации итерационного и графоаналитического методов решения обратной задачи эллипсометрии позволило определять оптические параметры и толщины отдельных слоев в наноструктурах Fe/Si

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

16.

О возможных магнитных свойствах ультратонких пленок Mn2GaC на подложках Al2O3 / М. А. Высотин, И. А. Тарасов, А. С. Федоров [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2022. - Т. 116, Вып. 5. - С. 318-323, DOI 10.31857/S1234567822170098. - Библиогр.: 22. - Исследования выполняются при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта # 20-42-240012, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение # 075-15-2019-1886) . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Рассматривается вопрос о возможности роста и магнитных свойствах тонких пленок MAX-фазы Mn2GaC на подложках Al2O3 различной ориентации. В рамках геометрического подхода спрогнозированы наиболее предпочтительные ориентационные соотношения и интерфейсные плоскости в системе Mn2GaC//Al2 O3, указывающие на возможность роста на подложках сапфира С-срез (0001), S-срез(01¯1¯1), N-срез (11¯2¯3), и R-срез (0¯11¯2). С помощью метода функционала электронной плотности рассчитаны возможные магнитные свойства сплошных ультратонких пленок Mn2GaC при условии сохранения однородных растяжений/сжатий решетки MAX-фазы,вызванных ростом на предсказанных подложках: определено влияние деформации решетки Mn2GaC на магнитное упорядочение и величины магнитных моментов, оценена возможность перехода из антиферромагнитного состояния в ферромагнитное под действием внешних магнитных полей. Показано, что рост ферромагнитной пленки MAX-фазы Mn2GaC наиболее вероятен на подложках Al2O3(0001), Al2O3(11¯2¯3) и Al2O3(0¯112¯).

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия On the possible magnetic properties of ultrathin Mn2GaC films on Al2O3 substrates [Текст] / M. A. Vysotin, I. A. Tarasov, A. S. Fedorov [et al.] // JETP Letters. - 2022. - Vol. 116 Is. 5.- P.323-328

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Высотин, Максим Александрович; Vysotin, M. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

17.

Наноструктуры ферромагнитный металл/полупроводник на основе силицидов железа / С. Г. Овчинников [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2016. - Т. 58, Вып. 11. - С. 2195–2199. - Библиогр.: 21. - Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант N 16-13-00060). . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Ферромагнитные монокристаллические эпитаксиальные пленки Fe3Si и поликристаллические пленки Fe5Si3 получены на подложках Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ контролем структуры, оптических и магнитных свойств. Обсуждаются результаты структурных, магнитных и оптических измерений. Экспериментальные данные сравниваются с результатами микроскопического расчета спин-поляризованной электронной структуры, спектров диэлектрической проницаемости и оптической проводимости.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Iron silicide-based ferromagnetic metal/semiconductor nanostructures [Текст] / S. G. Ovchinnikov [et al.] // Phys. Solid State : Maik Nauka-Interperiodica Publishing, 2016. - Vol. 58 Is. 11.- P.2277-2281

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Попов, Евгений Александрович; Popov E. A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Жандун, Вячеслав Сергеевич; Zhandun, V. S.; Замкова, Наталья Геннадьевна; Zamkova, N. G.
}
Найти похожие

18.

Наноструктуры ферромагнитный металл/полупроводник на основе силицидов железа / С. Г. Овчинников [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. - Нижний Новгород, 2016. - Т. 1. - С. 236-237 . - ISBN 9785-91326-378-0

ГРНТИ

29.19.36

Аннотация: Ферромагнитные монокристаллические эпитаксиальные пленки Fe[3]Si и поликристаллич. пленки Fe[5]Si[3] получены на подложках Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ контролем структуры, оптических и магн. свойств. Обсуждаются результаты структурных, магнитных, оптических и магнитооптич. измерений. Эксперим. данные сравниваются с результатами микроскопич. расчета спин-поляризованной электронной структуры

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Жандун, Вячеслав Сергеевич; Zhandun, V. S.; Замкова, Наталья Геннадьевна; Zamkova, N. G.; Сандалов, Игорь Семёнович; Sandalov, I. S.
}
Найти похожие

19.

Наноструктуры «ферромагнитный металл / полупроводник» на основе силицидов железа / С. Г. Овчинников [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Материалы XX междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника". - 2016. - Т. 1. - С. 236-237. - Библиогр.: 4. - Работа выполнена при поддержке гранта РНФ 16-13-00060 . - ISBN 978-5-91326-378-0
Аннотация: Ферромагнитные монокристаллические эпитаксиальные пленки Fe3Si и поликристаллические пленки Fe5Si3 получены на подложках Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии с in situ контролем структуры, оптических и магнитных свойств. В докладе обсуждаются результаты структурных, магнитных, оптических и магнитооптических измерений. экспериментальные данные сравниваются с результатами микроскопического расчета спин-поляризованной электронной структуры.

Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Жандун, Вячеслав Сергеевич; Zhandun, V. S.; Замкова, Наталья Геннадьевна; Zamkova, N. G.; Сандалов, Игорь Семёнович; Sandalov, I. S.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(20 ; 2016 ; март. ; 14-18 ; Нижний Новгород)
}
Найти похожие

20.

На пути к разнообразию эпитаксиальных соотношений и повышению качества кристаллической структуры тонких пленок MAX-фаз: прогнозирование и эксперимент / И. А. Тарасов, М. А. Высотин, С. А. Лященко [и др.] // XIII Cибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО-2021) : сб. тезисов докладов / сопредс., чл. прогр. ком. С. Г. Овчинников и др. - 2021. - С. 25. - Библиогр.: 1. - Исследования выполняются при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 20-42-240012, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение № 075-15-2019-1886). . - ISBN 978-5-90168-835-9

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \сопредс., прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Максимова, Ольга Александровна; Maximova, O. A.; Назарова, З. И.; Назаров, А. Н.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур(13 ; 2021 ; 24-25 мая ; Новосибирск); Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный технический университет; Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского; Научный совет РАН по физике низких температур
}
Найти похожие