Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (24)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Volkov, N. V.$<.>)

Общее количество найденных документов : 438
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Волков, Никита Валентинович, Еремин, Евгений Владимирович, Цикалов, Виталий Сергеевич, Патрин, Геннадий Семёнович, Ким, Петр Дементьевич, Yu Seong-Cho, Kim Dong-Nyun, Chau Nguyen
Заглавие : Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре
Место публикации : Письма в Журнал технической физики. - Санкт-Петербург: Наука, 2009. - Т. 35, № 21. - С. 33-41. - ISSN 0320-0116
Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La0.7Sr0.3MnO3/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La0.7Sr0.3MnO3 и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения --- зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. PACS: 72.25.-b, 73.40.-c, 75.47.-m
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Волков, Никита Валентинович, Еремин, Евгений Владимирович, Цикалов, Виталий Сергеевич, Патрин, Геннадий Семёнович, Ким, Петр Дементьевич, Seong-Cho Yu, Dong-Hyun Kim, Nguyen Chau
Заглавие : Эффекты переключения токовых каналов в магнитной туннельной структуре
Коллективы : "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум, Институт физики микроструктур РАН
Место публикации : Нанофизика и наноэлектроника: XIII Международный Симпозиум 16-20 марта 2009 г. Нижний Новгород: [программа и тезисы докл.]. - 2009. - T. 2. - С. 478-479
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тарасов, Антон Сергеевич, Лукьяненко, Анна Витальевна, Бондарев, Илья Александрович, Яковлев, Иван Александрович, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106
Примечания : Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886)
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Абрамова, Галина Михайловна, Волков, Никита Валентинович, Петраковский, Герман Антонович, Мазалов Л. В., Крючкова Н. А., Соколов, Валерий Владимирович
Заглавие : Электрические свойства твердых растворов на основе MnS и CuCrS2.
Коллективы : "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты", Международная конференция
Место публикации : XII Международная Конференция "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты". МКЭЭЭ-2008: труды : 18-23 сентября 2008 г., Крым, г. Алушта . - С. 88
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Киселев, Николай Иванович, Великанов, Дмитрий Анатольевич, Корчагина С. Б., Петраковская, Элеонора Анатольевна, Васильев, Александр Дмитриевич, Соловьев, Леонид Александрович, Балаев, Дмитрий Александрович, Баюков, Олег Артемьевич, Денисов И. А., Цегельник С. С., Еремин, Евгений Владимирович, Знак Д. А., Шайхутдинов, Кирилл Александрович, Шубин А. А., Шестаков, Николай Петрович, Волков, Никита Валентинович, Гордеев С. К., Белобров, Петр Иванович
Заглавие : Электрические и магнитные свойства композитов из наноалмаза и пироуглерода
Место публикации : Рос. химич. журн. - 2012. - Т. 56, № 1-2. - С. 50-57. - ISSN 0373-0247
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Киселев, Николай Иванович, Великанов, Дмитрий Анатольевич, Корчагина С. Б., Петраковская, Элеонора Анатольевна, Васильев, Александр Дмитриевич, Соловьев, Леонид Александрович, Балаев, Александр Дмитриевич, Баюков, Олег Артемьевич, Денисов И. А., Цегельник С. С., Еремин, Евгений Владимирович, Знак Д. А., Шайхутдинов, Кирилл Александрович, Шубин А. А., Шестаков, Николай Петрович, Волков, Никита Валентинович, Гордеев С. К., Белобров, Петр Иванович
Заглавие : Электрические и магнитные свойства композитов из наноалмаза и пироуглерода
Коллективы : "Высокие технологии в промышленности России", Международная научно-техническая конференция
Место публикации : XVII Междунар. науч.-техн. конф. "Высокие технологии в промышленности России": Материалы. конф.: ЦНИТИ "Техномаш", 2011. - С. 503-512
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2561232!-747417514
Автор(ы) : Смоляков, Дмитрий Александрович, Волков, Никита Валентинович, Густайцев, Артур Олегович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса .- по 20140617
Коллективы : Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 24
Аннотация: Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет срр геометрию, где в качестве подложки используют п-Si, в качестве диэлектрика используют Si02 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на Si02 и нижнюю часть полупроводника п-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Терещенко О. Е., Паулиш А. Г., Неклюдова М. А., Шамирзаев T. C., Ярошевич А. С., Просвирин И. П., Жаксылыкова И. Э., Дмитриев Д. В., Торопов А. И., Варнаков, Сергей Николаевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Волков, Никита Валентинович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Латышев А. В.
Заглавие : Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 38, Вып. 1. - С. 27-36. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: 13 назв. - Авторы выражают благодарность А.Г. Черкову за изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии.Работа частично поддержана Российской академией наук (программа "спинтроника"), грантом РФФИ (10-02-91067-НЦНИ) и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН.
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барон, Филипп Алексеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Михлин Ю. Л., Лукьяненко, Анна Витальевна, Коновалов С. О., Зеленов Ф. В., Швец П. В., Гойхман А. Ю., Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292
Примечания : Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008)
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Волочаев, Михаил Николаевич, Зеленов Ф. В., Яковлев, Иван Александрович, Бондарев, Илья Александрович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства
Место публикации : Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096021010106
Примечания : Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022)
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие