Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Yakovlev, I. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 173
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Platunov M. S., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Weschke E., Schierle E., Yakovlev I. A.
Заглавие : XMCD study of (Fe/Si)[[]d]N[[/d]] nanostructured films
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 183. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Komogortsev S. V., Varnakov S. N., Satsuk S. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarenko G. V., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 310. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Komogortsev S. V., Varnakov S. N., Satsuk S. A., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science, 2014. - Vol. 351. - P.104-108. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2013.09.058. - ISSN 873-4766
Примечания : Cited References: 40. - The work has been supported by RFBR Grant 11-03-00168-a, 12-02-00943-a, 13-02-01265-a, Interdisciplinary integration of fundamental research of SB RAS (2012-2014) project No. 64. Also the study was supported by The Ministry of Education and Science of Russian Federation, project 14.513.11.0016.
Предметные рубрики: UNIAXIAL ANISOTROPY
SURFACE
SILICON
ROUGHNESS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): epitaxial growth--iron--magnetic anisotropy--thin film
Аннотация: The magnetic anisotropy of 10 nm iron films deposited in an ultra high vacuum on the Si(001) surface and on the Si(001) over caped by 1.5 nm layer of SiO2 was investigated. There is in-plane uniaxial magnetic anisotropy caused by oblique sputtering in the Fe films on a SiO2 buffer layer. The easy magnetization axis is always normal to the atomic flux direction but the value of the anisotropy field is different depending on the axial angle among sputtering direction and the substrate crystallographic axes. It is argued that the uniaxial magnetic anisotropy results from elongated surface roughness formation during film deposition. Several easy magnetization axes are found in Fe/Si(001) film without the SiO2 buffer layer. The mutual orientation of the main easy axes and Si crystallographic axes indicates that there is epitaxial growth of Fe/Si(001) film with the following orientation relative to the substrate: Fe[100] ?Si[110]. The anisotropy energy of Fe/Si(001) film is estimated by simulation of angle dependence of remnant magnetization m r as the sum of the mr angle plot from uniaxial anisotropy (induced by oblique deposition) and the polar plot from biaxial magnetocrystalline anisotropy. В© 2013 Elsevier B.V.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Komogortsev S. V., Varnakov S. N., Satsuk S. A., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetic anisotropy of Fe films on Si(001) with and without SiO2 buffer layer
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Asian School-Conf. on Phys. and Technol.of Nanostruct. Mater. - 2013. - P.75-76
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Kosyrev N. N., Varnakov S. N., Tarasov I. A., Lyashchenko S. A., Shvetsov D. V., Maksimova O. A., Yakovlev I. A., Zabluda V. N., Shvets V. A., Rykhkitsky S. V., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Structural, magnetic and optical properties of Me/Si (Me=Mn,Fe) nanostructures perfomed by in situ magnetoellipsometry
Коллективы : International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (6; 2013 ; May ; 26-31; Kyoto, Japan)
Место публикации : 6th Int. Conf. on Spectr. Ellipsometry (ICSE-VI 2013): Conf. programm and abstr. - 2013. - P.205
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Zabluda V. N., Kosyrev N. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Tarasov I. A., Lyashchenko S. A., Shvetsov D. V., Maksimova O. A., Yakovlev I. A., Shvets V. A., Rykhlitsky S. V.
Заглавие : In situ spectral magnetoellipsometry for structural, magnetic and optical properties of Me/Si (Me=Mn,Fe) nanolayers
Коллективы : International conference nanomaterials: applications and properties
Место публикации : Proc. int. conf. nanomaterials: application and properties. - 2013. - Vol. 2, No. 3. - P.03AET11
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Varnakov S. N., Yakovlev I. A., Zharkov S. M., Kosyrev N. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Time-resolved ellipsometric characterization of (Fe/Si)n multilayer film synthesis
Коллективы : Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications (9 -13 Sept. 2013; San Sebastian, Spain)
Место публикации : Donostia Int. Conf. on Nanoscaled Magnetism and Applications: Abstracts book. - 2013. - Ст.P1-27. - P.260
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Косырев, Николай Николаевич, Швец, Василий Александрович, Михайлов Н. Н., Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Рыхлицкий С. В., Яковлев, Иван Александрович
Заглавие : Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ
Место публикации : Журн. техн. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - ISSN 0044-4642
Примечания : Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Яковлев, Иван Александрович, Варнаков, Сергей Николаевич, Беляев, Борис Афанасьевич, Жарков, Сергей Михайлович, Молокеев, Максим Сергеевич, Тарасов, Иван Анатольевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Исследование структурных и магнитных характеристик эпитаксиальных пленок Fe3Si/Si(111)
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2014. - Т. 99, Вып. 9-10. - С. 610 – 613. - ISSN 0370-274X, DOI 10.7868/S0370274X14090082
Примечания : Библиогр.: 19. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант #13-02-01265), гранта поддержки ведущей научной школы (Проект НШ-2886.2014.2) и Министерства образования и науки РФ (гос. контракт #02.G25.31.0043; госзадание СФУ в части проведения НИР на 2014г)
Аннотация: Представлены результаты структурных и магнитных исследований эпитаксиальной структуры, полученной при одновременном напылении из двух источников железа и кремния на атомарно чистую поверхность Si(111)7×7 при температуре подложки 150 °С. Методами рентгеноструктурного анализа, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции отраженных быстрых электронов эпитаксиальная структура идентифицирована как монокристаллическая пленка силицида Fe3Si с ориентацией Si[111]Fe3Si[111]. Установлено, что эпитаксиальная пленка Fe3Si при комнатной температуре обладает магнитной одноосной анизотропией (Ha=26 Э) и имеет сравнительно узкую линию однородного ферромагнитного резонанса (Δ H=11.57 Э), измеренную на частоте накачки 2.274 ГГц.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тарасов, Иван Анатольевич, Попов, Захар Иванович, Варнаков, Сергей Николаевич, Молокеев, Максим Сергеевич, Федоров, Александр Семенович, Яковлев, Иван Александрович, Федоров, Дмитрий Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si/Si(111)
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99, Вып. 10. - С. 651-655. - DOI 10.7868/S0370274X14100026
Примечания : Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты # 13-02-01265, 14-02-31309), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-2886.2014.2), Министерства образования и науки Российской Федерации (госконтракт # 02.G25.31.0043) и программы президиума РАН # 24.34
Аннотация: Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической проницаемости \varepsilon эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si толщиной 27 нм в области энергий E=(1.16-4.96) эВ. Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe3Si и плотность электронных состояний (DOS). Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза пленки, показывает, что формирование сплошного слоя пленки силицида железа Fe3Si происходит при достижении ее толщиной в 5 нм.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие