Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Yakovlev, I. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 173
Показаны документы с 1 по 20

    Яковлев, Иван Александрович.
    Сравнение магнитной анизотропии поликристаллической и монокристаллической пленок Fe3Si / И. А. Яковлев // Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 398-405, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-398-405. - Библиогр.: 19. - Автор статьи выражает благодарность Беляеву Борису Афанасьевичу (ИФ СО РАН) за проведенные измерения на сканирующем спектрометре ферромагнитного резонанса . - ISSN 2712-8970
   Перевод заглавия: The magnetic anisotropy comparison of polycrystalline and single-crystal Fe3Si films
Кл.слова (ненормированные):
магнитная анизотропия -- ферромагнитные пленки -- Fe3Si -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- magnetic anisotropy -- ferromagnetic films -- molecular beam epitaxy
Аннотация: Постоянное совершенствование высокотехнологичных приборов требует от науки постоянного развития технологий и поиска новых материалов. На сегодняшний день развитие области магнетизма достигло очень широких знаний, что позволило создать и изучить множество искусственных ферромагнитных материалов, которые уже сейчас активно применяются в науке и технике. Последние научные знания показывают, что один и тот же материал в различном состоянии может проявлять разные электрические, магнитные свойства. Так в современных приборах активно применяются тонкие магнитные пленки. Физические процессы в тонких пленках протекает иначе, чем в массивных материалах. В результате пленочные элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным образцам. Пленка – это тонкий слой связанного конденсированного вещества, толщина которого сравнивается с расстоянием действия поверхностных сил; представляет собой термодинамически стабильную или метастабильную часть гетерогенной системы «пленка – подложка». Дальнейшее изучение пленочных структур привело к созданию и исследованию многослойных магнитных систем. В таких структурах возможно присутствие как слоёв различных ферромагнитных материалов, так и неферромагнитных прослоек, а свойства многослойных систем могут значительно отличаться от свойств любого из компонентов системы. Для практики эти материалы также имеют множество применений, в том числе, радиосвязь и геологоразведка. В нашем эксперименте методом молекулярно-лучевой эпитаксии при совместном осаждении Fe и Si синтезированы ферромагнитные тонкие пленки силицида Fe3Si. На подложке SiO2/Si(111) была получена поликристаллическая пленка силицида, а на Si(111)7×7 – монокристаллическая. Структура была исследована с помощью дифракции отраженных быстрых электронов непосредственно в процессе роста. Методом ферромагнитного резонанса была изучена магнитная анизотропия полученных образцов. Установлено, что поликристаллическая пленка характеризуется одноосной магнитной анизотропией, которая составляет 13.42 Э и формируется в следствие «косого» напыления. А магнитная анизотропия для монокристаллической пленки Fe3Si формируется в большей степени внутренними магнитокристаллическими силами.
High-tech devices improvement requires development of technology and search for new materials from science. To date, the development of the magnetism research field has reached a very broad knowledge, which made it possible to create and study a variety of artificial ferromagnetic materials, which are already actively used in science and technology. The latest scientific knowledge shows that the same material in different states can exhibit different electrical and magnetic properties. So, thin magnetic films are actively used in modern devices. Physical processes in thin films proceed differently than in bulk materials. As a result, the film elements have characteristics that differ from those of bulk samples and make it possible to observe effects that are not characteristic of bulk samples. A film is a thin layer of a bound condensed substance, the thickness of which is compared with the distance of surface forces action; it is a thermodynamically stable or metastable part of a heterogeneous film-substrate system. Further study of film structures led to the creation and study of multilayer magnetic systems. In such structures, the presence of both various ferromagnetic materials layers and non-ferromagnetic interlayers is possible, and the multilayer systems properties can differ significantly from the properties of any system components. These materials also have many applications for practice, including radio communications and geological exploration. In our experiment, ferromagnetic thin films of Fe3Si silicide were synthesized by molecular beam epitaxy with co-deposition of Fe and Si. A polycrystalline silicide film was obtained on a SiO2/Si(111) substrate, and a single crystal film was on Si(111)7×7. The structure was investigated using the diffraction of reflected fast electrons directly during the growth process. The magnetic anisotropy of the obtained samples was studied by the ferromagnetic resonance. It was found that the polycrystalline film is characterized by uniaxial magnetic anisotropy, which is 13.42 Oe and is formed as a result of “oblique” deposition. And the magnetic anisotropy for a single-crystal Fe3Si film is formed to a greater extent by internal magnetocrystalline forces.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН, Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38.

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие

Яковлев, Иван Александрович.
Синтез магнитных наноструктур на основе Fe3Si методом МЛЭ / Яковлев Иван Александрович // Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXV). - Красноярск : ФИЦ КНЦ СО РАН, 2022. - секция: Физика. - С. 26. - Библиогр.: 3. - Работа выполнена научным коллективом . - ISBN 978-5-6045249-8-5

Материалы конференции, ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Yakovlev, I. A.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт биофизики Сибирского отделения РАН; Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН; Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН; Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера; Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН(25 ; 2022 ; 14 апр. ; Красноярск)

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

   В37
   Я 47

    Яковлев, Иван Александрович.
    Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочных силицидов железа [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. А. Яковлев ; науч. рук. С. Н. Варнаков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 139 с. - Библиогр.: 152 назв. -

ГРНТИ

29.19.16

29.19.37

ББК В371.26я031 + В373.3я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич \науч. рук.\; Varnakov, S. N.; Yakovlev, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
силицид железа -- структуры ферромагнетик/полупроводник -- эффект Ханле -- спиновая аккумуляция -- электрическая спиновая инжекция
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46 Is. 7.- P.665-668

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

    Эллипсометрический контроль параметров многослойных наноструктур Fe/Si в процессе роста / И. А. Тарасов [и др.] // Космич. аппараты и технол. - 2018. - Т. 2, № 4. - С. 220-224, DOI 10.26732/2618-7957-2018-4-220-224. - Библиогр.: 10. - Работа выполнена при финансовой поддержке программ Президиума РАН № 32, проект 0356-2018-0061, Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской академии наук, проект II.8.70. . - ISSN 2618-7957
   Перевод заглавия: Ellipsometric control of parameters of multilayer Fe/Si nanostructures during growth
Кл.слова (ненормированные):
эллипсометрия -- силициды железа -- многослойные Fe/Si наноструктуры -- ellipsometry -- iron silicides -- multilayer Fe/Si nanostructures
Аннотация: С использованием метода одноволновой лазерной эллипсометрии in situ проведено исследование процесса формирования многослойной структуры [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100). Были получены сведения об оптических и структурных свойствах данной структуры. Изменение морфологии поверхности растущих слоев и их оптических характеристик оказываются неидентичными для случаев осаждения железа на поверхность слоя кремния и осаждения кремния на поверхность слоя железа. Полученные профили оптических постоянных свидетельствуют об увеличении толщины переходных слоев, содержащих твердые растворы «железо-кремний» и силициды. Характер изменения оптических постоянных усложняется с каждым последующим слоем железа, осаждаемым на поверхность кремния. Поведение профилей n и k, соответствующих формированию кремниевых слоев, имеет более простой характер по сравнению с поведением подобных профилей железа. Эти профили имеют лишь некоторые особенности на начальных этапах роста и соответствуют формированию аморфных слоев кремния. Полученные данные согласуются с данными просвечивающей электронной микроскопии.
Using in situ single-wave laser ellipsometry method, the formation of the [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100) multilayer structure was studied. Information about the optical and structural properties of this structure was obtained. The change in the morphology of the surface of the growing layers and their optical characteristics are not identical for the cases of iron deposition on the surface of the silicon layer and deposition of silicon on the surface of the iron layer. The refractive index and coefficient of absorption indicate an increase of the thickness of transition layers containing iron-silicon solid solutions and silicides. The nature of the change in the optical constants become more complicated with each subsequent iron layer deposited on the silicon surface. The behavior of n and k profiles corresponding to the formation of silicon layers is simpler than the behavior of similar iron profiles. These profiles have only some features at the initial stages of growth and correspond to the formation of amorphous silicon layers. The obtained data are consistent with the data of transmission electron microscopy.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ / Н. Н. Косырев [и др.] // Журн. техн. физ. - 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38 . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers [Текст] / N. N. Kosyrev [et al.] // Tech. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 59 Is. 5.- P.736-739

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev N. N.; Швец, Василий Александрович; Михайлов, Н. Н.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Рыхлицкий, С. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие

Экспериментальное и теоретическое исследование слоистых ферромагнитных структур методом спектральной in situ магнитоэллипсометрии / О. А. Максимова [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 110, № 3-4. - С. 155-162, DOI 10.1134/S0370274X19150037. - Библиогр.: 28. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской Академии Наук (проект 0356-2018-0061, проект II.8.70). . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Данная статья посвящена развитию методики обработки данных спектральной in situ магнитоэллипсометрии для анализа ферромагнитных планарных наноструктур. В рамках нового подхода к интерпретации модулированных магнитным полем спектральных эллипсометрических измерений, проводимых с использованием магнитооптического эффекта Керра в экваториальной конфигурации, апробируется многослойная модель, содержащая ферромагнитный слой с двумя пограничными интерфейсами, неферромагнитный буферный слой и неферромагнитную подложку. В частности, исследуется влияние толщины ферромагнитного слоя на результаты магнитоэллипсометрических измерений. Для измерений были выбраны поликристаллические пленки Fe различной толщины на неферромагнитной поверхности SiO2/Si(100). В результате обработки данных спектральных магнитоэллипсометрических измерений определены комплексные диагональные и недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости в спектральном диапазоне 1.38-3.45 эВ. Приведено сопоставление полученных результатов с литературными данными других авторов и расчетом тензора диэлектрической проницаемости Fe в рамках теории функционала плотности.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Максимова, Ольга Александровна; Maximova, O. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79, DOI 10.31857/S1028096021010106. - Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022) . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
кремний-на-изоляторе -- транзистор -- барьер Шоттки -- электронная литография -- нанопроволока -- реактивно-ионное травление -- электронный транспорт
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties [Текст] / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15 Is. 1.- P.65-69

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Шанидзе, Лев Викторович; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Зеленов, Ф. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2713598 Российская Федерация

Способ получения суперпарамагнитных наночастиц на основе силицида железа Fe3Si с модифицированной поверхностью / С. А. Лященко, И. А. Яковлев, И. А. Тарасов. - № 2019117687 ; Заявл. 05.06.2019 ; Опубл. 03.02.2020 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 4

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

10.

Описание изобретения к патенту 2681635 Российская Федерация

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2018104934 ; Заявл. 08.02.2018 ; Опубл. 11.03.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

11.

Описание изобретения к патенту 2747433 Российская Федерация

Способ получения гибридных нанокристаллов Au 3 Fe 1-x /Fe и интерметаллических нанокристаллов Au 3 Fe 1-x с контролируемым латеральным размером / Т. Е. Смолярова, А. С. Тарасов, И. А. Яковлев [и др.]. - № 2020123118 ; Заявл. 07.07.2020 ; Опубл. 05.05.2021 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 13
Аннотация: Изобретение относится к технологиям получения материалов нанометрового размера, состоящих из биметаллических гибридных нанокристаллов Au3Fe1-x/Fe и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером и может применяться в биомедицине, информационных технологиях и катализе. Способ получения гибридных нанокристалллов Au3Fe1-x/Fe и интерметаллических нанокристаллов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером характеризуется тем, что на предварительно подготовленную поверхность аморфного оксида осаждают методом термического испарения в сверхвысоком вакууме в камере молекулярно-лучевой эпитаксии слой золота при температуре 250°С, затем осаждают слой железа на поверхность аморфного оксида, активированную золотом при температуре 750°С, причем атомное соотношение золота к железу изменяется от более 0 до 3,22. Технический результат состоит в возможности контролируемого изменения латерального размера получаемых биметаллических гибридных Au3Fe1-x/Fe нанокристаллов и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x за счет изменения количества атомов Au, предварительно осажденных на аморфную оксидную поверхность при одинаковом количестве осажденных атомов.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

12.

Описание изобретения к патенту 2660765 Российская Федерация

Способ бесконтактного измерения температуры in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. - № 2017104846 ; Заявл. 14.02.2017 ; Опубл. 09.07.2018 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2018. - № 19
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения физической температуры объекта по температурным изменениям его оптических постоянных, и может быть использовано для дистанционного измерения температуры объекта в промышленности, медицине, биологии, в физических исследованиях и др. Заявлен способ бесконтактного измерения температуры in situ, заключающийся в том, что образец освещают поляризованным светом и измеряют изменение интенсивности при отражении. В процессе измерения регистрируют отраженное от поверхности образца электромагнитное излучение с длиной волны в диапазоне 300-900 нм. Анализируют изменение интенсивности после отражения и находят температуру, решая следующее уравнение: M(T)=F(T), где М(Т) - среднее арифметическое данных об интенсивности со всех четырех фотоприемников эллипсометра, зависящее от температуры, F(T) - функция, вид которой зависит от исследуемого материала. Новым является то, что для зондирующего пучка задают состояние линейной поляризации с поворотом 0° и накапливают массив данных для дальнейшего усреднения, а также то, что предложенный способ позволяет измерять температуру образца от температуры 4 K до его термического разрушения. Технический результат - повышение точности измерения температуры in situ независимо от структуры отражающей поверхности и при температурах до 4 K. 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Shevtsov, D. V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Заблуда, Владимир Николаевич; Zabluda, V. N.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

13.

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2015616615 Российская Федерация

Система анализа данных многоугловой спектральной элипсометрии (MultiW) / авт. пр. И. А. Тарасов, авт. пр. И. А. Яковлев, авт. пр. Н. Н. Косырев ; правообладатель: ФГБУН Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН. - № 2015613270 ; Заявл. 22.04.2015 ; Опубл. 20.07.2015 // Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 7
Аннотация: Программа предназначена для расчёта спектральных зависимостей оптических постоянных и параметра толщины тонких плёнок путём решения обратной задачи эллипсометрии для случая многоугловых измерений спектральных зависимостей эллипсометрических углов. Программа использует ряд методов и оптических моделей, позволяющих провести расширенный анализ оптических свойств, качества интерфейса и шероховатости поверхности исследуемых объектов. Получаемые сведения могут быть использованы для отработки технологических процессов получения планарных наноструктур и характеризации их электронных свойств в соответствующем диапазоне энергий.

Смотреть свид-во
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

14.

Синтез магнитных наноструктур на основе Fe3Si методом МЛЭ / И.А. Яковлев, С.А. Лященко [и др.] // Тезисы Конкурса-конференции молодых учёных, аспирантов и студентов : Красноярск, 31 марта 2022 г. - 2022. - С. 21. - Библиогр.: 3

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Лященко, Сергей Александрович; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev I.V.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Конкурс-конференция молодых учёных, аспирантов и студентов(2022 ; март ; Красноярск)
}
Найти похожие

15.

Синтез и характеризация эпитаксиальных тонких пленок Mn5Ge3 на подложке кремния / И.А. Бондарев, М.В. Рауцкий [и др.] // Тезисы Конкурса-конференции молодых учёных, аспирантов и студентов : Красноярск, 31 марта 2022 г. - 2022. - С. 9. - Библиогр.: 3. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 20-42-243007

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Конкурс-конференция молодых учёных, аспирантов и студентов(2022 ; март ; Красноярск)
}
Найти похожие

16.

Синтез и характеризация эпитаксиальных тонких пленок MN5GE3 на подложке кремния / М. А. Бондарев, М. В. Рауцкий, А. С. Тарасов, И. А. Яковлев // Решетневские чтения : материалы XXVI междунар. науч.-практ. конф. : в 2-х ч. - 2022. - Ч. 1. Секция "Наноматериалы, нанотехнологии и информационные системы в аэрокосмической отрасли". - С. 644-645. - Библиогр.: 2. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта . - ISSN 978-5-864

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бондарев, Михаил Александрович; Bondarev M. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(26 ; 2022 ; нояб. ; 9-11 ; Красноярск); Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Информационные спутниковые системы им. М.Ф. Решетнева, ОАО; "Красноярский машиностроительный завод", ОАО; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"
}
Найти похожие

17.

Синтез и спин-зависимый транспорт в гибридных структурах на основе силицида железа / А. С. Тарасов [и др.] // XIII Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : тезисы докладов. - 2019. - С. 68 . - ISBN 978-5-9500855-6-7

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар(13 ; 2019 ; 24 февр.-2 марта ; Кыштым, Россия); Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Российский федеральный ядерный центр - ВНИИТФ им. Е.И. Забабахина
}
Найти похожие

18.

Синтез и магнитные свойства трехслойных гибридных структур Fe3-xSi1+x /Ge/Fe3Si/Si(111) / А. С. Тарасов // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXIV международной конференции / прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 9: Магнитные пленки. - С. 75-77. - Библиогр.: 5

Материалы конференции,
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Платунов, Михаил Сергеевич; Platunov, M. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция(24 ; 2021 ; 1-8 июля ; Москва); Научный совет по физике конденсированных сред РАН; МИРЭА - Российский технологический университет; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Магнитное общество России
}
Найти похожие

19.

Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла / С. Г. Овчинников, О. А. Максимова, С. А. Лященко [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2021. - Т. 114, Вып. 3. - С. 192-195, DOI 10.31857/S123456782115009X. - Библиогр.: 13. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда # 21-12-00226, http://rscf.ru/project/21-12-00226/ . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости ε зависят от толщин слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы. Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок. Показано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора ε при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Role of interfaces in the permittivity tensor of thin layers of a ferromagnetic metal [Текст] / S. G. Ovchinnikov, O. A. Maximova, S. A. Lyaschenko [et al.] // JETP Letters. - 2021. - Vol. 114 Is. 3.- P.163-165

Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра "Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН", 660036 Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Максимова, Ольга Александровна; Maximova, O. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.
}
Найти похожие

20.

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2018611121 Российская Федерация

Программа для расчета картин дифракции электронов от кубического кристалла / И. А. Яковлев. - № 2017662201 ; Заявл. 27.11.2017 ; Опубл. 24.01.2018 // Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2018. - № 2
Аннотация: Программа предназначена для расчета и визуализации геометрического расположения рефлексов при дифракции электронов на просвет через монокристалл с кубической кристаллической решеткой. Функции программы: расчет картин рефлексов для кубических кристаллов с различными межплоскостными расстояниями и в любом кристаллографическом направлении падения пучка электронов; задание параметров дифрактометра - расстояния от образца до экрана и длины волны пучка электронов. Программа состоит из блоков: определения перпендикулярных относительно падения пучка электронов плоскостей кристалла; расчета межплоскостных расстояний определенных плоскостей; расчета взаимных углов между определенными плоскостями; расчета расстояний между рефлексами на картине; отображения рассчитанной дифракционной картины. Язык программирования: JavaScript. Объем программы для ЭВМ: 3,87 Кб.

Смотреть свид-во
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент)Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие