1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Хартов, Станислав Викторович, Симунин, Михаил Максимович, Фадеев Ю. В., Немцев, Иван Васильевич, Зырянов, Виктор Яковлевич
Заглавие : Технология формирования графитизированных нанотубуленов в слое пористого анодного оксида алюминия
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 228-231. - ISSN 1816-9724
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): углеродная нанотрубка--пористый анодный оксид алюминия--функционально активный материал--активная наномембрана--активное молекулярное сито--carbon nanotube--porous anodic alumina--functionally active material--active nanomembrane--active molecular sieve
Аннотация: Описывается оригинальная технология покрытия графитовыми слоями внутренних стенок пор в пластине анодного оксида алюминия. Для синтеза графитизированного углерода при низких температурах (от 500 °С) использован процесс осаждения из газовой фазы с применением оригинального катализатора, предварительно внедренного в поры. Исследована морфология полученных структур, а также показано, что графит, осажденный на стенки пор оксида алюминия, формирует цилиндирическую трубку - нанотубулен. Обсуждаются возможности использования полученных структур в качестве функционально активных элементов различного назначения, например, наномембран с управляемыми транспортными свойствами, элементов наноэлектроники и др.The paper describes the original coating technology of covering the inner walls of the pores with the graphite layers in the anodic aluminum oxide plate. For the synthesis of graphitizing carbon at low temperatures (500 °C) the deposition process from the gas phase was used, with the use of the original catalyst pre-embedded in the pores. The morphology of the resulting structures is investigated and it is shown that the carbon deposited on the pore walls of the alumina forms the cylindrical tube - nanotubulene. The possibility of use of the resulting structures as functionally active elements for various purposes, such as nanomembranes with controlled transport properties, and other elements of nanoelectronics, is discussed.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
|
Главная
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН