Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (68)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИФФУЗИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-14 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Габуда, Святослав Петрович
Заглавие : Диффузия молекул воды в натролите
Место публикации : Докл. АН СССР. - 1962. - Т. 146, № 4. - С. 840-843
Примечания : Библиогр.: 9
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Коршунов, Михаил Анатольевич
Заглавие : Ускоренная диффузия молекул парадихлорбензола в наночастицах твердого раствора парадибромбензола/парадихлорбензола
Коллективы : "Ordering in Minerals and Alloys", international meeting, "Упорядочение в минералах и сплавах", международный симпозиум
Место публикации : Упорядочение в минералах и сплавах (OMA-2009): 12-й Международный симпозиум : 10-16 октября 2009, г. Ростов-на-Дону, пос. Лоо, Россия. - 2009. - Vol. 1. - P.259-260
Материалы конференции
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Калинин, Юрий Дмитриевич
Заглавие : Диффузия частиц в радиационных поясах : [рецензия]
Место публикации : Геомагнетизм и аэрономия. - 1975. - Т. 15, N 1. - С. 187. - ISSN 0016-7940
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Попов, Александр Кузьмич, Шалагин А. М., Шалаев, Владимир Михайлович, Яхнин, Владимир Зорьевич
Заглавие : Светоиндуцированная диффузия газов в поле немонохроматической волны
Место публикации : Оптика и спектроскопия. - 1981. - Т. 50, № 3. - С. 598-600. - ISSN 0030-4034
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лундин, Арнольд Геннадьевич, Габуда, Святослав Петрович
Заглавие : Молекулярная диффузия и спектры ЯМР твердых тел
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 1968. - Т. 10, Вып. 8. - С. 2516-2519
Примечания : Библиогр.
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Габуда, Святослав Петрович, Лундин, Арнольд Геннадьевич
Заглавие : Диффузия молекул воды в гидратах и спектры ЯМР
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ. - 1968. - Т. 55, вып. 3. - С. 1066-1076
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Орлов, Виталий Александрович, Иванов, Анатолий Александрович, Орлова И. Н., Патрин, Геннадий Семёнович, Исхаков, Рауф Садыкович
Заглавие : Одномерный дрейф газа магнитных вихрей в хаотичном поле дефектов
Коллективы : "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, МИРЭА - Российский технологический университет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Магнитное общество России
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах: сборник трудов XXIV международной конференции/ прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 11: Магнитные наноструктуры. - Ст.11-53-58
Примечания : Библиогр.: 3. - Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российcкой Федерации (№ темы FSRZ-2020-0011).
Аннотация: работе теоретически решается задача о термоактивированном одномерном движении газа невзаимодействующих магнитных вихрей/скирмионов в поле хаотично расположенных дефектов -закрепляющих центров. Свойства центров закрепления так же могут флуктуировать. Фактор, приводящий в движение газ квазичастиц, может быть любой физической природы (поля, токи, градиенты магнитных характеристик магнетика...).
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ивлев В. Ф., Заварзина Н. И., Габуда, Святослав Петрович
Заглавие : Положение протонов и диффузия молекул воды в апофиллите KFCa4Si8O20-8H2O
Место публикации : Кристаллография. - 1968. - Т. 13, Вып. 5. - С. 815-820
Примечания : Библиогр.: 7 назв.
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Дрокин, Николай Александрович, Масленников, Алексей Николаевич
Заглавие : Влияние ионных примесей на импедансные спектры жидких кристаллов
Место публикации : Жидкие кристаллы и их практическое использование. - 2012. - Вып. 4. - С. 39-46. - ISSN 1991-3966
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электрический импеданс--ионная проводимость--сурфактант--релаксация--диффузия--жидкие кристаллы--адсорбция
Аннотация: Проведены исследования полного комплексного сопротивления (импеданса) жидкого кристалла 8СВ, допированного ионным сурфактантом цетил-триметил-аммонием бромистым (ЦТАБ) в диапазоне частот f = 10-2 − 108 Гц. Установлено, что введение ионов в составе сурфактанта приводит к увеличению действительной и мнимой компонент импеданса в области низких частот. Используя метод замещения образца эквивалентной электрической схемой, проведена аппроксимация импедансных спектров и определены электрофизические характеристики материала.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
 1-10    11-14 
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)