Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
Место работы автора
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>K=адатомы<.>)
Общее количество найденных документов
:
2
Показаны документы
с 1 по 2
1.
Вид документа
: Статья из журнала
Шифр издания
: 538.915/Т 33
Автор(ы)
: Сержантова, Мария Викторовна, Кузубов, Александр Александрович, Федоров, Александр Семенович, Томилин, Феликс Николаевич, Краснов, Павел Олегович
Заглавие
: Теоретическое исследование влияния деформации на электронную структуру монослоя гексагонального нитрида бора
Место публикации
: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева, 2011. - № 3. - С. 150-155. - ISSN 1816-9724
ГРНТИ
: 29.19
УДК
: 538.915
Предметные рубрики:
Ключевые слова
(''Своб.индексиров.''):
адатомы
--adatoms--hexagonal boron nitride monolayer (h-bn)--density functional theory (dft)--electronic structure--vacancies--монослой гексагонального нитрида бора (h-bn)--теория функционала плотности (dft)--электронная структура--вакансии
Аннотация:
Работа посвящена исследованию влияния деформации на электронную структуру и свойства монослоя гексагонального нитрида бора, а также изучению поведения адатомов бора и азота на поверхности монослоя.Work is devoted research of influence of deformation on electronic structure and properties of a monolayer hexagonal boron nitride, and also to behavior studying adatoms of boron and nitrogen on a monolayer surface.
РИНЦ
Найти похожие
2.
Вид документа
: Статья из журнала
Шифр издания
:
Автор(ы)
: Кузубов, Александр Александрович, Елисеева, Наталья Сергеевна, Краснов, Павел Олегович, Томилин, Феликс Николаевич, Федоров, Александр Семенович, Толстая А. В.
Заглавие
: Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC
Место публикации
: Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - ISSN 0044-4537
Примечания
: Библиогр.: 21 назв.
Ключевые слова
(''Своб.индексиров.''): карбид кремния--дефекты--
адатомы
--метод функционала плотности
Аннотация:
Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.
РИНЦ
,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)